III-V氮化物纳米材料的制备及性能研究
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作者曹传宝 著
出版社哈尔滨工业大学出版社
出版时间2017-06
版次1
装帧平装
货号11.18-2
上书时间2024-11-18
Ⅲ-Ⅴ氮化物属于第三代半导体,具有独特的性能及应用领域,现在得以广泛应用的蓝光LED就是以氮化镓为基材制备出来的。本书内容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料的研究,包括零维量子点的制备及性能,一维纳米材料的制备及性能,纳米阵列的制备及性能,以及对于Ⅲ-Ⅴ氮化物的理论模拟研究等。
第2章 气相反应制备GaN纳米线的催化效应
第3章 GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理
第4章 碳热辅助法控制生长GaN低维结构
第5章 定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征
第6章 GaN纳米柱阵列的制备及表征
第7章 Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究
第8章 GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究
第9章 GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能
第10章 GaN的理论模拟研究
第11章 AIN纳米结构的可控制备与表征
第12章 单晶InN纳米线的制备及表征
第13章 InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究
参考文献
名词索引
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