• III-V氮化物纳米材料的制备及性能研究
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III-V氮化物纳米材料的制备及性能研究

III-V氮化物纳米材料的制备及性能研究

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作者曹传宝 著

出版社哈尔滨工业大学出版社

出版时间2017-06

版次1

装帧平装

货号11.18-2

上书时间2024-11-18

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品相描述:全新
商品描述
E25-06
图书标准信息
  • 作者 曹传宝 著
  • 出版社 哈尔滨工业大学出版社
  • 出版时间 2017-06
  • 版次 1
  • ISBN 9787560358024
  • 定价 98.00元
  • 装帧 平装
  • 开本 16开
  • 纸张 胶版纸
【内容简介】

Ⅲ-Ⅴ氮化物属于第三代半导体,具有独特的性能及应用领域,现在得以广泛应用的蓝光LED就是以氮化镓为基材制备出来的。本书内容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物纳米材料的研究,包括零维量子点的制备及性能,一维纳米材料的制备及性能,纳米阵列的制备及性能,以及对于Ⅲ-Ⅴ氮化物的理论模拟研究等。

 


【目录】
第1章   Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介 

第2章  气相反应制备GaN纳米线的催化效应

 

第3章  GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理

 

第4章    碳热辅助法控制生长GaN低维结构

 

第5章    定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征

 

第6章     GaN纳米柱阵列的制备及表征

 

第7章     Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究

 

第8章    GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究

 

第9章     GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能

 

第10章    GaN的理论模拟研究

 

第11章    AIN纳米结构的可控制备与表征

 

第12章    单晶InN纳米线的制备及表征

 

第13章    InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究

 

参考文献

 

名词索引

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