半导体物理基础教程/全国普通高校电子信息与电气学科基础规划教材

图书标准信息

• 作者 郭子政 著
• 出版社 清华大学出版社
• 出版时间 2017-02
• 版次 1
• ISBN 9787302459040
• 定价 29.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 149页
• 字数 99999千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 全国普通高校电子信息与电气学科基础规划教材

【内容简介】

　　本书全面介绍半导体物理学的基本理论，以物理科学、材料科学与工程、电子技术的眼光全面审视半导体物理的发展过程和进展情况。
　　本书内容包括半导体的晶体结构、常见半导体的能带结构、半导体中杂质和缺陷效应、载流子的统计计算方法、半导体导电特性、光电导效应、光伏效应、金属半导体的接触特性、半导体同质PN结、半导体异质结构、MOS结构的特性及应用、半导体发光特性、半导体量子限域效应、半导体磁效应、半导体隧穿效应等，以及建立在此基础之上的各种半导体器件的原理和应用问题。
　　本书可作为高等院校电子信息类本科专业的半导体物理课程教材，也可供相关科技人员参考.

【作者简介】

　　郭子政，教授，理学院应用物理系主任。研究领域：1.凝聚态理论；2.计算机模。主持参加*、部省级科研课题10余项，发表论文90多篇，其中被SCI、EI收录20余篇。参编、编著教材2部。

【目录】

第1章半导体晶体结构
1.1晶体与非晶体
1.2晶体结构
1.3半导体的晶体结构
习题
第2章半导体的能带
2.1能带的形成
2.2半导体中电子共有化运动与能带的量子力学描述
2.3半导体中的E(k)~k关系及有效质量
2.4硅、锗和砷化镓的能带结构
2.5本征半导体、本征激发和空穴
2.6能带理论应用举例
习题
第3章杂质半导体和杂质能级
3.1间隙式杂质和替位式杂质
3.2施主和受主
3.3杂质补偿
3.4深能级杂质
习题
第4章半导体中的平衡载流子
4.1加权求和和加权平均
4.2理想气体分子按速率的分布
4.3导带电子浓度与价带空穴浓度
4.4本征载流子浓度与本征费米能级
4.5杂质半导体的载流子浓度
习题
第5章半导体中载流子的输运现象
5.1半导体中载流子的运动形式
5.1.1无规则运动——热运动
5.1.2有规则运动
5.2主要散射机构以及迁移率与平均自由时间的关系
5.3迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
5.4强电场效应
5.5耿氏效应
5.5.1伏安特性
5.5.2νd~ε特性
5.5.3双谷模型理论
习题
第6章非平衡载流子
6.1过剩载流子及其产生与复合
6.2非平衡载流子的寿命
6.3准费米能级
6.4载流子的扩散运动、爱因斯坦关系
6.5连续性方程
习题
第7章pn结
7.1pn结的单向导电性
7.1.1平衡pn结
7.1.2pn结的伏安特性
7.2pn结电容
7.2.1势垒电容
7.2.2扩散电容
7.3pn结击穿
7.4pn结隧道效应
习题
第8章金属半导体接触
8.1两类接触
8.2肖特基势垒
8.3金属半导体整流接触的电流电压关系
8.4欧姆接触
习题
第9章MOS结构
9.1MOS电容
9.2能带图
9.3MOS结构的CV特性
9.4MOSFET基本工作原理
9.5MOS存储器结构
9.6鳍式晶体管
习题
第10章半导体异质结构
10.1异质结
10.2异质结的能带图
10.3量子阱和超晶格
10.4异质结激光器
10.5晶格匹配和热匹配
习题
第11章半导体电光和光电转换效应
11.1光是怎么产生的
11.2电致发光和LED
11.3白光LED
11.4OLED
11.5半导体光电效应
11.5.1光电效应
11.5.2半导体的内光电效应
11.6半导体光伏效应的应用
习题
第12章半导体低维结构
12.1量子受限系统
12.2量子限域效应
12.2.1量子阱
12.2.2量子线
12.2.3量子点
12.2.4态密度
习题
第13章半导体磁效应
13.1到了重新发明晶体管的时候了？
13.2自旋和自旋电子学
13.3半导体的磁效应
13.4自旋霍尔效应
习题
第14章隧道型量子器件基础
14.1半导体隧道效应
14.1.1共振隧穿二极管RTD
14.1.2隧穿场效应管
14.2透射系数
14.2.1WKB近似
14.2.2传输矩阵方法
14.3隧穿电流
14.4半导体中的隧穿
14.4.1p+n+结隧穿： 齐纳隧穿
14.4.2MIS(MOS)隧穿: FowlerNordheim隧穿
14.4.3MIM隧穿： Simmons公式
习题
习题参考答案
参考文献