国外电子与通信教材系列：半导体物理与器件（第4版）

图书标准信息

• 作者 [美]Donald A.Neamen 著；无毅强、姚素英、史再峰 编
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2013-08
• 版次 4
• ISBN 9787121211652
• 定价 79.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 564页
• 正文语种 简体中文
• 原版书名 Semiconductor Physics and Devices Basic Principles Fourth Edition
• 丛书 国外电子与通信教材系列

【内容简介】

　　《国外电子与通信教材系列：半导体物理与器件（第4版）》是微电子技术领域的基础教程。《国外电子与通信教材系列：半导体物理与器件（第4版）》涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容，全书共三部分，十五章。第一部分是半导体材料属性，主要讨论固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡态半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子；第二部分是半导体器件基础，主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属氧化物半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管；第三部分是专用半导体器件，主要介绍光器件、半导体微波和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。全书内容丰富、概念清楚、讲解深入浅出、理论分析透彻。另外，全书各章难点之后均列有例题、自测题，每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献，书后附有部分习题答案。

【作者简介】

　　DonaldA．Neamen，是新墨西哥大学电气与计算机工程系（ECE）的名誉教授，他已在该系执教25年以上。他在新墨西哥大学获得博士学位后，在位于汉斯科姆空军基地的固态科学实验室担任电子工程师。1976年，他担任新墨西哥大学电气和计算机工程系的教师，专门从事半导体物理与器件和电子线路课程的教学工作。如今他仍然是该系的兼职导师或兼职教授，最近他还在）位于中国上海的上海交通大学密歇根学院（UM-SJTU）执教一个学期。

【目录】

绪论半导体和集成电路
历史
集成电路（IC）
制造
参考文献

第一部分半导体材料属性
第1章固体晶格结构
1.0概述
1.1半导体材料
1.2固体类型
1.3空间晶格
1.4金刚石结构
1.5原子价键
1.6固体中的缺陷和杂质
1.7半导体材料的生长
1.8小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第2章量子力学初步
2.0概述
2.1量子力学的基本原理
2.2薛定谔波动方程
2.3薛定谔波动方程的应用
2.4原子波动理论的延伸
2.5小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第3章固体量子理论初步
3.0概述
3.1允带与禁带
3.2固体中电的传导
3.3三维扩展
3.4状态密度函数
3.5统计力学
3.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第4章平衡半导体
4.0概述
4.1半导体中的载流子
4.2掺杂原子与能级
4.3非本征半导体
4.4施主和受主的统计学分布
4.5电中性状态
4.6费米能级的位置
4.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第5章载流子输运现象
5.0概述
5.1载流子的漂移运动
5.2载流子扩散
5.3杂质梯度分布
5.4霍尔效应
5.5小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第6章半导体中的非平衡过剩载流子
6.0概述
6.1载流子的产生与复合
6.2过剩载流子的性质
6.3双极输运
6.4准费米能级
6.5过剩载流子的寿命
6.6表面效应
6.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第二部分半导体器件基础
第7章pn结
7.0概述
7.1pn结的基本结构
7.2零偏
7.3反偏
7.4结击穿
7.5非均匀掺杂pn结
7.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第8章pn结二极管
8.0概述
8.1pn结电流
8.2产生复合电流和大注入
8.3pn结的小信号模型
8.4电荷存储与二极管瞬态
8.5隧道二极管
8.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第9章金属半导体和半导体异质结
9.0概述
9.1肖特基势垒二极管
9.2金属半导体的欧姆接触
9.3异质结
9.4小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第10章金属氧化物半导体场效应晶体管基础
10.0概述
10.1双端MOS结构
10.2电容电压特性
10.3MOSFET基本工作原理
10.4频率限制特性
10.5CMOS技术
10.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第11章金属氧化物半导体场效应晶体管：概念的深入
11.0概述
11.1非理想效应
11.2MOSFET按比例缩小理论
11.3阈值电压的修正
11.4附加电学特性
11.5辐射和热电子效应
11.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第12章双极晶体管
12.0概述
12.1双极晶体管的工作原理
12.2少子的分布
12.3低频共基极电流增益
12.4非理想效应
12.5等效电路模型
12.6频率上限
12.7大信号开关
12.8其他的双极晶体管结构
12.9小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第13章结型场效应晶体管
13.0概述
13.1JFET概念
13.2器件的特性
13.3非理想因素
13.4等效电路和频率限制
13.5高电子迁移率晶体管
13.6小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第三部分专用半导体器件
第14章光器件
14.0概述
14.1光学吸收
14.2太阳能电池
14.3光电探测器
14.4光致发光和电致发光
14.5发光二极管
14.6激光二极管
14.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第15章半导体功率器件
15.0概述
15.1隧道二极管
15.2耿氏二极管
15.3雪崩二极管
15.4功率双极晶体管
15.5功率MOSFET
15.6半导体闸流管
15.7小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

附录A部分参数符号列表
附录B单位制、单位换算和通用常数
附录C元素周期表
附录D能量单位——电子伏特
附录E薛定谔波动方程的推导
附录F有效质量概念
附录G误差函数
附录H部分习题参考答案
索引