SiGe微电子技术

图书标准信息

• 作者 徐世六 编
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2007-09
• 版次 1
• ISBN 9787118052527
• 定价 55.00元
• 装帧 平装
• 开本 其他
• 纸张 胶版纸
• 页数 401页
• 字数 594千字

【内容简介】

本书以器件和集成电路为轴线，从基本概念到器件的原理、设计、制造和电路应用。比较全面地介绍了新近发展起来的SiGe微电子技术。全书共九章，内容涉及SiGe材料的性质、SiGe材料的制备、SiGe异质结构、SiGe异质结双极型晶体管、SiGe场效应晶体管、SiGe集成电路、SiGe器件及其电路的发展动态等，并对SiGe在光电子领域的应用作了简明的介绍。讲述简明扼要，并反映出了最新的研究成果和发展趋势。
本书可供在半导体器件、集成电路和相关领域工作的科技工作者参考，也可作为微电子技术、光电子技术、电子材料、电子元器件、电子物理、电子工程等领域大学本科生及研究生的教材。

【目录】

第一章SiGe技术的发展及其应用概述
1.1SiGe器件
1.1.1SiGe双极型器件
1.1.2SiGe场效应器件
1.1.3SiGe光电器件
1.1.4其他SiGe器件
1.2SiGe-HBT的主要应用
1.2.1SiGe放大器
1.2.2SiGe-A/D转换器
1.2.3SiGe振荡器
1.2.4SiGe混频器和倍增器、倍减器
1.2.5SiGe-HBT的其他应用
1.3IBMSiGe技术的早期历史
1.3.1SiGe技术的起源
1.3.2SiGe-UHV/CVD技术的发明
1.3.3最早采用UHV/CVD技术制作的Si外延基区晶体管
1.3.4IBM最早的SiGe基区晶体管
1.3.5PNP-SiGe晶体管
1.3.6fT为75GHZ的SiGe基区晶体管
1.3.7SiGe外延基区晶体管（ETX）
1.3.8SGe技术的后续工作
1.4SiGe的主要厂商、工艺及代表产品
1.4.1SiGe技术的两种主要工艺
1.4.2IBM的SiGe—BiCMOS工艺及产品
1.4.3Atmel的SiGe技术
1.4.4Maxim的SiGe技术
1.4.5Jazz半导体公司的SiGe技术
1.4.6TSMC（台积电）的SiGe技术
1.4.7SiGe半导体公司
1.4.8Sirerm.Microdevices的SiGe技术
1.5SiGe技术的市场和前景
1.6SiGe薄膜的制备工艺概述
1.7开发SiGe-HBT工艺的途径
1.7.1采用低温外延技术淀积SiGe
1.7.2SiGe—BiCMOS的工艺集成
1.7.3SiGe-HBT的制作
1.7.4其他元件的工艺技术
1.8SiGe技术的国内发展动态
参考文献
第二章Si1-xGex的基本物理特性
2.1Si1-xGex合金的晶格和一般性质
2.1.1Si1-xGex合金的相图
2.1.2Si1-xGex合金的晶体
……
第三章应变硅技术原理
第四章SiGe异质结构
第五章SiGe材料的主要制备技术
第六章Si-SiGe异质结双极型晶体管
第七章Si-SiGe异质结场效应晶体管
第八章应变硅器件与电路
第九章SiGe在光电子领域的应用