CMOS射频集成电路设计

图书标准信息

• 作者 余志平 译
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2006-02
• 版次 1
• ISBN 9787121000737
• 定价 40.00元
• 装帧 平装
• 开本 其他
• 纸张 胶版纸
• 页数 418页
• 字数 698千字

【内容简介】

本书全面深入地介绍了如可设计千兆赫兹CMOS射频集成电路。本书首先回顾了集成电路元件的特性、MOS器件物理和晶体管模型，RLC并联、串联和其他形式的振荡网络，以及分布式系统的特点及其与集总参数电路的区别，然后详细讨论了现代高频宽带放大器的设计。接下来介绍了关键的射频功能快，包括低噪声放大器、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。最后探讨了发关接收器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。书中包括多非常有用的电路图其他插图，除第1章和最后一章外，每章的后面都附有许多启发性的习题，是高年级本科生和研究生学习有关射频电子学方面课的理想教科书，对于从事射频集成电路设计或相关领域的工程技术人员来说也是一本非常有益的参考书。

【作者简介】

Thomas H.Lee于1990年获得美国麻省理工学院电机工程系博士学位。他于1990年到Analog Devices公司工作，主要设计高速时钟恢复器件。1992年进入Rambus公司，开发了用于500MB/sCMOS动态随机存储器的高速模拟电路。他还参与了Strong Alpha 和 AMD的  K6/K7/K8微处理器锁相环电路

【目录】

第一章  无线电发展历史的间断回顾

  1.1  引言

  1.2  麦克斯韦尔和赫兹

  1.3  真空管发明前的电子学

  1.4  真空管的诞生

  1.5  Armstrong和再生放大器/检波器/振荡器

  1.6  其他无线电路

  1.7  Armstrong和超再生电路

  1.8  Oleg Losev及第一个固态电路放大顺

  1.9  结束语

  1.10  附录:真空管基础

第二章  无源集成电路元件的特性

  2.1  引言

  2.2  电阻

  2.3  电容

  2.4  电感

  2.5  小结

  2.6  附录:是容方程总结

第三章  MOS器件物理回顾

  3.1  引言

  3.2  简短历史

  3.3  场效应管:一个小故事

  3.4  MOSFET物理:一个小故事

  ……

第四章  无源RLC网络

第五章  分布参数系统

第六章  史密斯圆图和S参数

第七章  频带宽度估算方法

第八章  高频放大器设计  

第九章  基准电压和偏置电路

第十章  噪声

第十一章  低噪声放大器设计

第十二章  混频器

第十三章  RF功率放大器

第十四章  反馈系统

第十五章  锁相环

第十六章  振荡器与频率合成器

第十七章  相位噪声

第十八章  系统结构

第十九章  射频电路历史回顾