国外电子与通信教材系列·数字集成电路：电路、系统与设计（第2版）（英文版）

图书标准信息

• 作者 [美国]拉贝艾（Jan M.Rabaey）、[美国]拉贝艾（Jan M.Rabaey） 著
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2012-03
• 版次 1
• ISBN 9787121158896
• 定价 89.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 761页
• 字数 1427千字
• 正文语种 英语
• 原版书名 Digital Integrated Circuits a Design Perspective,Second Edition
• 丛书 国外电子与通信教材系列

【内容简介】

《国外电子与通信教材系列·数字集成电路：电路、系统与设计（第2版）（英文版）》分三部分：基本单元、电路设计和系统设计。在对MOS器件和连线的特性做了简要介绍之后，深入分析了反相器，并逐步将这些知识延伸到组合逻辑电路、时序逻辑电路、控制器、运算电路及存储器这些复杂数字电路与系统的设计中。本书以0．25微米CMOS工艺的实际电路为例，讨论了深亚微米器件效应、电路最优化、互连线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验证、芯片测试和可测性设计等主题，着重探讨了深亚微米数字集成电路设计面临的挑战和启示。本书内容已根据作者和中文版译者整理的勘误表进行了更正。
本书可作为高等院校电子科学与技术、电子与信息工程、计算机科学与技术等专业高年级本科生和研究生有关数字集成电路设计方面课程的双语教学教材，也可作为从事这一领域的工程技术人员的参考书。

【作者简介】

作者:(美)Jan M. Rabaey，(美)Anantha Chandrakasan，(美)Borivoje Nikolic

【目录】

Part1TheFabrics
Chapter1Introduction
1.1AHistoricalPerspective
1.2IssuesinDigitalIntegratedCircuitDesign
1.3QualityMetricsofaDigitalDesign
1.3.1CostofanIntegratedCircuit
1.3.2FunctionalityandRobustness
1.3.3Performance
1.3.4PowerandEnergyConsumption
1.4Summary
1.5ToProbeFurther
ReferenceBooks
References

Chapter2TheManufacturingProcess
2.1Introduction
2.2ManufacturingCMOSIntegratedCircuits
2.2.1TheSiliconWafer
2.2.2Photolithography
2.2.3SomeRecuningProcessSteps
2.2.4SimplifiedCMOSProcessFlow
2.3DesignRules-TheContractbetweenDesignerandProcessEngineer
2.4PackagingIntegratedCircuits
2.4.1PackageMaterials
2.4.2InterconnectLevels
2.4.3ThermalConsiderationsinPackaging
2.5Perspective-TrendsinProcessTechnology
2.5.1Short-TermDevelopments
2.5.2IntheLongerTerm
2.6Summary
2.7ToProbeFurther
References
DesignMethodologyInsertAlCLAYOUT
A.lToProbeFurther
References

Chapter3TheDevices
3.1Introduction
3.2TheDiode
3.2.1AFirstGlanceattheDiode-TheDepletionRegion
3.2.2StaticBehavior
3.2.3Dynamic，orTransient，Behavior
3.2.4TheActualDiode-SecondaryEffects
3.2.5TheSPICEDiodeModel
3.3TheMOS（FET）Transistor
3.3.1AFirstGlanceattheDevice
3.3.2TheMOSTransistorunderStaticConditions
3.3.3TheActuaIMOSTransistor-SomeSecondaryEffects
3.3.4SPICEModelsfortheMOSTransistor
3.4AWordonProcessVariations
3.5Perspective-TechnologyScaling
3.6Summary
3.7ToProbeFurther
References
DesignMethodologyInsertBCircuitSimulation
References

Chapter4TheWire
4.1Introduction
4.2AFirstGlance
4.3InterconnectParameters-Capacitance，Resistance，andInductance
4.3.1Capacitance
4.3.2Resistance
4.3.3Inductance
4.4ElectricalWireModels
4.4.1TheIdealWire
4.4.2TheLumpedModel
4.4.3TheLumpedRCModel
4.4.4TheDistributedrcLine
4.4.5TheTransmissionLine
……
Part2ACircuitPerspective
Charter5TheCMOSInverter
Chapter6DesigningCombinationalLogicGatesinCMOS
DesignMethodologyInsertCHowtoSimulateComplexLogicCircuits
DesignMethodologyInsertDLayoutTechniquesforComplexGates
Chapter7DesigningSequentialLogicCircuits
Part3ASystemPerspective
Chapter8ImplementationStrategiesforDigitalICS
DesignMethodologyInsertECharacterizingLogicandSequentialCells
DesignMethodologyInsertFDesignSynthesis
Chapter9CopingwithInterconnect
Chapter10TimingIssuesinDigitalCircuits
DesignMethodologyInsertGDesignVerification
Chapter11DesigningArithmeticBuildingBlocks
Chapter12DesigningMemoryandArrayStructures
DesignMethodologyInsertHValidationandTestofManufacturedCircuits
ProblemSolutions
Index