正版 书籍半导体制造技术导论（第二版）萧宏 译者:杨银堂 段宝兴
9787121188503
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作者(美)萧宏 著作 杨银堂//段宝兴 译者
出版社电子工业出版社
ISBN9787121188503
出版时间2020-01
装帧平装
开本16开
货号738700060817
上书时间2024-03-09
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本店均为正版二手书籍，正常85成新，如有质量问题联系本店客服即可。支持全国旧书回收。本店同时回收旧书，收藏关注店铺联系店铺客服即可。基本信息书名:半导体制造技术导论（第二版）定价：69元作者:(美)萧宏，译者:杨银堂，段宝兴出版社：电子工业出版社出版日期：2013-01-01ISBN：9787121188503字数：826字页码：459版次：1装帧：平装开本：16开编辑 暂无相关内容 目录 第1章 导论
1.1 集成电路发展
1.1.1 世界上**个晶体
1.1.2 世界上**个集成电路芯片
1.1.3 摩尔定律
1.1.4 图形尺寸和晶圆尺寸
1.1.5 集成电路发展节点
1.1.6 摩尔定律或超摩尔定律
1.2 集成电路发展回顾
1.2.1 材料制备
1.2.2 半导体工艺设备
1.2.3 测量和测试工具
1.2.4 晶圆生产
1.2.5 电路设计
1.2.6 光刻版的制造
1.2.7 晶圆制造
1.3 小结
1.4 参考文献
1.5 习题
第2章 集成电路工艺介绍
2.1 集成电路工艺简介
2.2 集成电路的成品率
2.2.1 成品率的定义
2.2.2 成品率和利润
2.2.3 缺陷和成品率
2.3 无尘室技术
2.3.1 无尘室
2.3.2 污染物控制和成品率
2.3.3 无尘室的基本结构
2.3.4 无尘室的无尘衣穿着程序
2.3.5 无尘室协议规范
2.4 集成电路工艺间基本结构
2.4.1 晶圆的制造区
2.4.2 设备区
2.4.3 辅助区
2.5 集成电路测试与封装
2.5.1 晶粒测试
2.5.2 芯片的封装
2.5.3 *终的测试
2.5.4 3D封装技术
2.6 集成电路未来发展趋势
2.7 小结
2.8 参考文献
2.9 习题
第3章 半导体基础
3.1 半导体基本概念
3.1.1 能带间隙
3.1.2 晶体结构
3.1.3 掺杂半导体
3.1.4 掺杂物浓度和电导率
3.1.5 半导体材料概要
3.2 半导体基本元器件
3.2.1 电阻
3.2.2 电容
3.2.3 二极管
3.2.4 双载流子晶体管
3.2.5 MOSFET
3.3 集成电路芯片
3.3.1 存储器
3.3.2 微处理器
3.3.3 专用集成电路(ASlC)
3.4 集成电路基本工艺
3.4.1 双载流子晶体管制造过程
3.4.2 P型MOS工艺(20世纪60年代技术)
3.4.3 N型MOS工艺(20世纪70年代技术)
3.5 互补型金属氧化物晶体管
3.5.1 CMOS电路
3.5.2 CMOS工艺(20世纪80年代技术)
3.5.3 CMOS工艺(20世纪90年代技术)
3.6 2000年后半导体工艺发展趋势
3.7 小结
3.8 参考文献
3.9 习题
……
第4章 晶圆制造
第5章 加热工艺
第6章 光刻工艺
第7章 等离子体工艺
第8章 离子注入工艺
第9章 刻蚀工艺
**0章 化学气相沉积与电介质薄膜
**1章 金属化工艺
**2章 化学机械研磨工艺
**3章 半导体工艺整合
**4章 IC工艺技术
**5章 半导体工艺发展趋势和总结
内容提要 萧宏编著的《半导体制造技术导论(第2版)》共
括15章：第1章概述了半导体制造工艺；第2章介绍
了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件
、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章
描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术
；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细
介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程
中使用的等离子体理论；第8章讨论了离子注入工艺
；第9章详细介绍了刻蚀工艺；第章介绍了基本的
化学气相沉积(CVD)和电介质薄膜沉积工艺，以及多
孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积(ALD)工
艺过程；第11章介绍了金属化工艺；第12章讨论了化
学机械研磨(CMP)工艺；第13章介绍了工艺整合；第
14章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程；
第15章总结了本书和半导体工业未来的发展。
本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，
也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公
培训员工的标准教材。
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