模拟CMOS集成电路设计 第2版

图书标准信息

• 作者 [美]毕查德·拉扎维（Behzad Razavi）
• 出版社 西安电子科技大学出版社
• 出版时间 2018-12
• 版次 2
• ISBN 9787569309928
• 定价 138.00元
• 装帧 平装
• 开本 其他
• 页数 724页
• 字数 1131千字

【内容简介】

本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的很新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了靠前外读者的好评和青睐，被许多靠前知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名很好公司的丰富研究经历，使本书也很好适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

【作者简介】

  

【目录】

第2版译者序
版译者序
第2版前言
版前言
第2版致谢
版致谢
作者简介
章 模拟电路设计绪论
1.1 模拟电路的重要性
1.1.1 信号的检测与处理
1.1.2 数字信号传输中的模拟设计
1.1.3 需求旺盛的模拟设计
1.1.4 模拟设计的挑战
1.2 研究模拟集成电路的重要性
1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
1.4 本书的特点
1.5 电路设计的抽象级别
第2章 MOS器件物理基础
2.1 基本概念
2.1.1 MOSFET开关
2.1.2 MOSFET的结构
2.1.3 MOS符号
2.2 MOS的I-V特性
2.2.1 阈值电压
2.2.2 I-V特性的推导
2.2.3 MOSFET的跨导
2.3 二级效应
2.4 MOS器件模型
2.4.1 MOS器件版图
2.4.2 MOS器件电容
2.4.3 MOS小信号模型
2.4.4 MOS SPICE模型
2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较
2.4.6 长沟道器件与短沟道器件的比较
2.5 附录A：鳍式场效应晶体管(FinFET)
2.6 附录B：用作电容器的MOS器件的特性
参考文献
习题
第3章 单级放大器
3.1 应用
3.2 概述
3.3 共源级
3.3.1 采用电阻作负载的共源级
3.3.2 采用二极管连接型器件作负载的共源级
3.3.3 采用电流源作负载的共源级
3.3.4 有源负载的共源级
3.3.5 工作在线性区的MOS为负载的共源级
3.3.6 带源极负反馈的共源级
3.4 源跟随器
3.5 共栅级
3.6 共源共栅级
3.6.1 折叠式共源共栅
3.7 器件模型的选择
习题
第4章 差动放大器
4.1 单端与差动的工作方式
4.2 基本差动对
4.2.1 定性分析
4.2.2 定量分析
4.2.3 带源极负反馈的差动对
4.3 共模响应
4.4 MOS为负载的差动对
4.5 吉尔伯特单元
参考文献
习题
第5章 电流镜与偏置技术
5.1 基本电流镜
5.2 共源共栅电流镜
……
第6章 放大器的频率特性
第7章 噪声
第8章 反馈
第9章 运算放大器
0章 稳定性与频率补偿
1章 纳米设计分析
2章 带隙基准
3章 开关电容电路导论
4章 非线性与不匹配
5章 振荡器
6章 锁相环
7章 短沟道效应与器件模型
8章 CMOS工艺技术
9章 版图与封装
索引