半导体物理学第4版

图书标准信息

• 作者 刘恩科 著
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2007-04
• 版次 4
• ISBN 9787118011951
• 定价 28.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 其他
• 页数 372页
• 正文语种 简体中文
• 丛书 高等学校工科电子类规划教材

【内容简介】

　　内容包括半导体的晶格结构、半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级、载流子的统计分布，非平衡载流子及载流子的运动规律；讨论了p—n结、异质结、金属半导体接触、表面及MIS结构等半导体表面和界面问题；介绍了半导体的光、热、磁、压阻等物理现象；最后较全面地介绍了非晶态半导体的基本特性。

【目录】

主要参数符号表
第一章半导体中的电子状态
半导体的品格结构和结合性质
半导体中的电子状态和能带
半导体中电子的运动　有效质量
本征半导体的导电机构空穴
回旋共振
硅和锗的能带结构
Ⅲ一V族化合物半导体的能带结构
Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体的能带结构
习题
参考资料
第二章半导体中杂质和缺陷能级
硅、锗晶体中的杂质能级
族化合物中的杂质能级
缺陷、位错能级
思考题及习题
参考资料
第三章半导体中载流子的统计分布
状态密度
费米能级和载流子的统计分布
本征半导体的载流子浓度
杂质半导体的载流子浓度
一般情况下的载流子统计分布
简并半导体
补充材料：电子占据杂质能级的几率
习题
参考资料
第四章半导体的导电性
载流子的漂移运动迁移率
载流子的散射
迁移率与杂质浓度和温度的关系
电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
玻耳兹曼方程电导率的统计理论
强电场下的效应热载流子
多能谷散射耿氏效应
习题
参考资料
第五章非平衡载流子
非平衡载流子的注入与复合
非平衡载流子的寿命
准费米能级
复合理论
陷阱效应
载流子的扩散运动
载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式
连续性方程式
习题
参考资料
第六章p—n结
p—n结及其能带图
p—n结电流电压特性
p—n结电容
p—n结击穿
p—n结隧道效应
习题
参考资料
第七章金属和半导体的接触．
金属半导体接触及其能级图
金属半导体接触整流理论
少数载流子的注入和欧姆接触
习题
参考资料
第八章半导体表面与MIs结构
表面态
表面电场效应
MIs结构的电容一电压特性
硅一二氧化硅系统的性质
表面电导及迁移率
表面电场对p—n结特性的影响
习题
参考资料
第九章异质结
异质结及其能带图
异质结的电流输运机构
异质结在器件中的应用
半导体超晶格
思考题及习题
参考资料
第十章半导体的光学性质和光电与发光现象
半导体的光学常数
半导体的光吸收
半导体的光电导
半导体的光生伏特效应
半导体发光
半导体激光
习题
参考资料
第十一章半导体的热电性质
热电效应的一般描述
半导体的温差电动势率
半导体的珀耳帖效应
半导体的汤姆孙效应．
半导体的热导率
半导体热电效应的应用
习题
参考资料
第十二章半导体磁和压阻效应
霍耳效应
磁阻效应
磁光效应
量子化霍耳效应
热磁效应
光磁电效应
压阻效应
声波和载流子的相互作用
习题
参考资料
第十三章非晶态半导体
非晶态半导体的结构
非晶态半导体中的电子态
非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应
非晶态半导体中的电学性质
非晶态半导体中的光学性质
n—Si：H的p—n结与金一半接触特性
参考资料
附录
附录1　常用物理常数和能量表达变换表
附表1一l　常用物理常数表
附表1—2　能量表达变换表
附录2　半导体材料物理性质表
附表2—1Ⅳ族半导体材料的性质
附表2一2　Ⅲ—V族半导体材料的性质
附表2—3Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的性质
附表2—4　Ⅳ一Ⅵ族半导体材料的性质
附表2—5Ⅲ—V族三元化合物半导体材料的性质
参考资料