半导体物理性能手册：第3卷（下）

图书标准信息

• 作者 Sadao Adachi 著
• 出版社 哈尔滨工业大学出版社
• 出版时间 2014-04
• 版次 1
• ISBN 9787560345192
• 定价 138.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 217页

【内容简介】

　　The progress made in physics and technology of semiconductors depends main.ly on three families of materials: the group-IV elemental,Ⅲ-Ⅴ, and Ⅱ-Ⅵ compound semiconductors.Almost all ⅡⅥ compound semiconductors crystallize either in the zincblende or wurtzite structure.The first research papers on Ⅱ-Ⅶ compound semiconductors date back to the middle of the nineteenth century.In the ensuring hundred years extensive literature has been accumulated as much research and development works are being carried out on these compound semiconductors.At present, the Ⅱ-Ⅵ compound semiconductors are widely used as photodetectors, x-ray sensors and scintillators, phosphors in lighting, displays, etc.New applications are continuously being proposed.Thus, it seems to timely bring together the most up-to-date information on the material and semiconducting properties of Ⅱ-Ⅵ compound semiconductors.

【目录】

Preface 
Acknowledgments 
Contents of Other Volumes 
10 Cubic Cadmium Sulphide （c—CdS） 
10.1 Structural Properties 
10.1.1 Ionicity 
10.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight 
10.1.3 Crystal Structure and Space Group 
10.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters 
10.1.5 Structural Phase Transition 
10.1.6 Cleavage Plane 
10.2 Thermal Properties 
10.2.1 Melting Point and Its Related Parameters 
10.2.2 Specific Heat 
10.2.3 Debye Temperature 
10.2.4 Thermal Expansion Coefficient 
10.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity 
10.3 Elastic Properties 
10.3.1 Elastic Constant 
10.3.2 Third—Order Elastic Constant 
10.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Simila 
10.3.4 Microhardness 
10.3.5 Sound Velocity 
10.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties 
10.4.1 Phonon Dispersion Relation 
10.4.2 Phonon Frequency 
10.4.3 Mode Gruneisen Parameter 
10.4.4 Phonon Deformation Potential 
10.5 Collective Effects and Related Properties 
10.5.1 Piezoelectric Constant 
10.5.2 Frohlich Coupling Constant 
10.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps 
10.6.1 Basic Propertie 
10.6.2 Eo—Gap Region 
10.6.3 Higher—Lying Direct Gap 
10.6.4 Lowest Indirect Gap 
10.6.5 Conduction—Valley Energy Separation 
10.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure 
10.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses 
10.7.1 Electron Effective Mass： Γ Valley 
10.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley 
10.7.3 Hole Effective Mass 
10.8 Electronic Deformation Potential 
10.8.1 Intravalley Deformation Potential： F Poin 
10.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points 
10.8.3 Intervalley Deformation Potential 
10.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height 
10.9.1 Electron Affinity 
10.9.2 Schottky Barrier Height 
10.10 Optical Properties 
10.10.1 Summary ofOptical Dispersion Relations 
10.10.2 The Reststrahlen Region 
10.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge 
10.10.4 The Interband Transition Region 
10.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena 
10.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties 
10.11.1 Elastooptic Effect 
10.11.2 Linear Electrooptic Constant 
10.11.3 Quadratic Electrooptic Constant 
10.11.4 Franz—Keldysh Effect 
10.11.5 Nonlinear Optical Constant 
10.12 Carrier Transport Properties 
10.12.1 Low—Field Mobility： Electrons 
10.12.2 Low—Field Mobility： Holes 
10，12.3 High—Field Transport： Electrons 
10.12.4 High—Field Transport： Holes 
10.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in p—Type Materials 
10.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials 
10.12.7 Impact Ionization Coefficient 
11 Wurtzite Cadmium Sulphide （w—CdS） 
11.1 Structural Properties 
11.1.1 Ionicity 
11.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight 
11.1.3 Crystal Structure and Space Group 
11.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters 
11.1.5 Structural Phase Transition 
11.1.6 Cleavage Plane 
11.2 Thermal Properties 
11.2.1 Melting Point and Its Related Parameters 
11.2.2 Specific Heat 
11.2.3 Debye Temperature 
11.2.4 Thermal Expansion Coefficient 
11.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity 
11.3 Elastic Properties 
11.3.1Elastic Constant 
11.3.2 Third—Order Elastic Constant 
11.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar 
11.3.4 Microhardness 
11.3.5 Sound Velocity 
11.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties 
11.4.1 Phonon Dispersion Relation 
11.4.2 Phonon Frequency 
11.4.3 Mode Gruneisen Parameter 
11.4.4 Phonon Deformation Potential 
11.5 Collective Effects and Related Properties 
11.5.1 Piezoelectric Constant 
11.5.2 Frohlich Coupling Constant 
11.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps 
11.6.1 Basic Properties 
11.6.2 Eo—Gap Region 
11.6.3 Higher—Lying Direct Gap 
11.6.4 Lowest Indirect Gap 
11.6.5 Conduction—Valley Energy Separation 
11.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure 
11.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses 
11.7.1 Electron Effective Mass： 1— Valley 
11.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley 
11.7.3 Hole Effective Mass 
11.8 Electronic Deformation Potential 
11.8.1 Intravalley Deformation Potential： Γ Point 
11.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points 
11.8.3 Intervalley Deformation Potential 
11.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height 
11.9.1 Electron Affinity 
11.9.2 Schottky Barrier Height 
11.10 Optical Properties 
11.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations 
11.10.2 The Reststrahlen Region 
11.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge 
11.10.4 The Interband Transition Region 
11.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena 
11.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties 
11.11.1 Elastooptic Effect 
11.11.2 Linear Electrooptic Constant 
11.11.3 Quadratic Electrooptic Constant 
11.11.4 Franz—Keldysh Effect 
11.11.5 Nonlinear Optical Constant 
11.12 Carrier Transport Properties 
11.12.1 Low—Field Mobility： Electrons 
11.12.2 Low—Field Mobility： Holes 
11.12.3 High Field Transport： Electrons 
11.12.4 High—Field Transport： Holes 
11.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in p—Type Materials 
11.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials 
11.12.7 Impact Ionization Coefficient 
12 Cubic Cadmium Selenide （c—CdSe） 
12.1 Structural Properties 
12.1.1 Ionicity 
12.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight 
12.1.3 Crystal Structure and Space Group 
12.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters 
12.1.5 Structural Phase Transition 
12.1.6 Cleavage Plane 
12.2 Thermal Properties 
12.2.1 Melting Point and Its Related Parameters 
12.2.2 Specific Heat 
12.2.3 Debye Temperature 
12.2.4 Thermal Expansion Coefficient 
12.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity 
12.3 Elastic Properties 
12.3.1 Elastic Constant 
12.3.2 Third—Order Elastic Constant 
12.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar 
12.3.4 Microhardness 
12.3.5 Sound Velocity 
12.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties 
12.4.1 Phonon Dispersion Relation 
12.4.2 Phonon Frequency 
12.4.3 Mode Gruneisen Parameter 
12.4.4 Phonon Deformation Potential 
12.5 Collective Effects and Related Properties 
12.5.1Piezoelectric Constant 
12.5.2 Frohlich Coupling Constant 
12.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps 
12.6.1 Basic Properties 
12.6.2 Eo—Gap Region 
12.6.3 Higher—Lying Direct Gap 
12.6.4 Lowest Indirect Gap 
12.6.5 Conduction—Valley Energy Separation 
12.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure 
12.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses 
12.7.1 Electron Effective Mass：F Valley 
12.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley 
12.7.3 Hole Effective Mass 
12.8 Electronic Deformation Potential 
12.8.1Intravalley Deformation Potentiai： Γ Point 
12.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points 
12.8.3 Intervalley Deformation Potential 
12.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height 
12.9.1 Electron Affinity 
12.9.2 Schottky Barrier Height 
12.10 Optical Properties 
12.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations 
12.10.2 The Reststrahlen Region 
12.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge 
12.10.4 The Interband Transition Region 
12.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena 
12.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties 
12.11.1 Elastooptic Effect 
12.11.2 Linear Electrooptic Constant 
12.11.3 Quadratic Electrooptic Constant 
12.11.4 Franz—Keldysh Effect 
12.11.5 Nonlinear Optical Constant 
12.12 Carrier Transport Properties 
12.12.1Low—Field Mobility： Electrons 
12.12.2 Low—Field Mobility： Holes 
12.12.3 High—Field Transport： Electrons 
12.12.4 High—Field Transport： Holes 
12.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in p—Type Materials 
12.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials 
12.12.7 Impact Ionization Coefficient 
…… 
13 Wurtzite Cadmium Selenide （w—CdSe） 
14 Cadmium Telluride （CdTe） 
15 Cubic Mercury Sulphide（β—HgS） 
16 Mercury Selenide （HgSe） 
17 Mercury Telluride （HgTe）