集成电路制造技术 : 原理与实践

图书标准信息

• 作者 庄同曾 主编
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 1987-11
• ISBN 9787505301740
• 定价 7.65元
• 装帧 其他
• 开本 其他
• 纸张 其他

【内容简介】

高等学校教学用书　本书是一本较全面地介绍集成电路制造技术的书籍,共分16章,包括单晶制备,芯片制造,化学气相淀积,完美晶体工艺等。

【目录】

  目录  

  1．2．6  单晶硅中的原生缺陷

  5．4．5  掺杂多晶硅

  5．4．6  多晶硅的氧化

  5．4．7  多晶硅的其他性质

  §5．5  氮化硅

  5．5．1  氮化硅的功能

  5．5．2  氮化硅的制备方法

  5．5．3  CVD氮化硅与PCVD〓的性质

  §5．6  其它材料

  §5．7  本章摘要及展望

  第六章  完美晶体器件工艺

  1．2．7  硅单晶的质量标准和检测方法

  §6．1  引言

  §6．2  工艺诱生缺陷的理论模型

  6．2．1  热应力和热应力诱生位错

  6．2．2  氧化诱生层错

  6．2．3  扩散诱生位错

  §6．3  工艺诱生缺陷对集成电路的影响

  6．3．1  硅片翘曲

  6．3．2  p-n结特性

  6．3．3  双极器件特性

  6．3．4  MOS器件特性

  §1．3  硅片制备

  §6．4  完美晶体工艺

  6．4．1  完美单晶衬底工艺

  6．4．2  无缺陷扩散工艺

  6．4．3  无缺陷氧化工艺

  6．4．4  防止滑移位错的工艺

  6．4．5  吸除工艺

  第七章  掩模制造

  §7．1  概述

  §7．2  掩模材料

  7．2．1  掩模材料的分类

  1．3．1  概述

  7．2．2  对掩模材料的要求

  §7．3  计算机辅助掩模制造技术

  7．3．1  引言

  7．3．2  原图数据处理子系统的组成

  7．3．3  典型的版图处理流程

  §7．4  原版制造

  7．4．1  乳胶原版的制造

  7．4．2  铬原版的制造

  §7．5  母版制造

  7．5．1  母版制造及有关问题

  1．3．2  晶向测定

  7．5．2  分步重复

  7．5．3  工艺控制

  §7．6  接触复印

  7．6．1  接触复印及复印机

  7．6．2  接触复印工艺控制

  §7．7  掩模版的质量检测

  7．7．1  掩模版外观及版面图形一般质量检查

  7．7．2  小尺寸检查

  7．7．3  间距测定（坐标测定）

  7．7．4  套准精度测定

  1．3．3  机械加工

  7．7．5  缺陷检查

  §7．8  掩模缺陷修补术

  7．8．1  掩模缺陷的成因及其控制

  7．8．2  掩模缺陷的种类

  7．8．3  掩模缺陷的修补

  §7．9  电子束曝光技术

  7．9．1  概述

  7．9．2  电子束曝光的特点

  7．9．3  电子束曝光装置的组成

  7．9．4  电子束的扫描方式

  1．3．4  腐蚀

  7．9．5  电子束曝光技术工艺要点

  第八章  光刻

  §8．1  概述

  §8．2  光刻胶的种类及感光机理

  8．2．1  光刻胶的种类及感光机理

  8．2．2  光刻胶的主要性能及其测定方法

  §8．3  光刻工艺

  8．3．1  衬底材料对光刻工艺的影响

  8．3．2  增粘处理

  8．3．3  涂胶

  1．3．5  抛光

  8．3．4  前烘

  8．3．5  对位与曝光

  8．3．6  显影

  8．3．7  后烘

  8．3．8  湿法腐蚀

  8．3．9  干法腐蚀

  8．3．10  去胶

  §8．4  光学光刻的发展概况

  8．4．1  限制光刻条宽的主要因素

  8．4．2  光刻技术的进展

  1．3．6  清洗

  第九章  接触与互连

  §9．1  概述

  §9．2  欧姆接触

  9．2．1  欧姆接触的基本原理

  9．2．2  形成欧姆接触的方法

  9．2．3  接触电阻的检测

  §9．3  接触与互连材料的选择

  9．3．1  选择原则

  9．3．2  铝电极

  9．3．3  铝合金电极

  第二章  外延生长

  §9．4  金属薄膜的形成方法

  9．4．1  电子束蒸发

  9．4．2  磁控溅射

  §9．5  合金化

  9．5．1  合金化原理

  9．5．2  合金化工艺

  §9．6  接触与互连中的质量控制

  9．6．1  台阶覆盖

  9．6．2  铝的变色与腐蚀

  9．6．3  淀积系统的真空度

  第一章  单晶生长与衬底制备

  §2．1  硅气相外延概述

  9．6．4  真空系统污染度测定

  9．6．5  金属膜厚度测定

  §9．7  多层布线技术

  9．7．1  多层布线的一般考虑

  9．7．2  三氧化二铝膜和涂布二氧化硅乳胶膜的多层布线工艺

  §9．8  VLSI中的接触与互连问题

  9．8．1  固定布线与选择布线

  9．8．2  难熔金属及其硅化物在VLSI中的应用

  第十章  CAD——工艺模拟和电路分析

  §10．1  集成电路工艺技术现状及使用计算机模拟的重要性

  §2．2  外延生长动力学

  §10．2  工艺模拟程序的建立方法

  10．2．1  杂质流的连续性方程

  10．2．2  高浓度下的杂质再分布问题

  10．2．3  模型方程的数值解方法

  §10．3  SUPREMⅡ工艺模拟程序介绍

  §10．4  计算机辅助电路分析程序

  10．4．1  电路分析程序在集成电路研制中的重要性

  10．4．2  器件模型和模型参数的提取

  10．4．3  网络方程的建立和求解的一般步骤

  §10．5  通用电路分析程序——SPICE

  §2．3  外延层的掺杂和杂质分布

  10．5．1  SPICE的功能和适用范围

  10．5．2  SPICE中的BJT模型

  10．5．3  SPICE中的MOSFET模型

  §10．6  实例

  第十一章  微电子测试图形

  §11．1  概述

  §11．2  微电子测试图形的配置及作用

  §11．3  几种常用的测试结构及其原理

  11．3．1  薄层电阻测试结构

  11．3．2  平面四探针测试结构

  2．3．1  外延层的掺杂

  11．3．3  金属—半导体接触电阻测试结构

  11．3．4  MOS电容测试结构

  11．3．5  十字（交叉）桥式测试结构

  11．3．6  腐蚀控制测试结构

  11．3．7  分辨率测试结构

  11．3．8  掩膜套准测试结构

  11．3．9  集成栅控二极管测试结构

  11．3．10  MOS晶体管测试结构

  11．3．11  金属台阶覆盖电阻测试结构

  §11．4  微电子测试图形在IC制造中的应用

  2．3．2  外延层的杂质分布

  11．4．1  应用实例

  11．4．2  微电子测试图形参数的测量

  第十二章  组装技术

  §12．1  概述

  §12．2  减薄与分片

  12．2．1  背面减薄

  12．2．2  划片

  §12．3  装片

  12．3．1  共晶焊

  12．3．2  聚合物粘接

  §2．4  外延层的缺陷

  12．3．3  装片工艺

  12．3．4  装片的质量控制

  §12．4  键合工艺

  12．4．1  键合引线材料

  12．4．2  键合劈刀

  12．4．3  键合方法

  §12．5  封装

  12．5．1  塑料封装

  12．5．2  陶瓷封装

  12．5．3  封装气密性的检验

  2．4．1  体内缺陷

  12．5．4  高性能封装

  §12．6  老化、打印、包装

  12．6．1  老化

  12．6．2  打印

  12．6．3  包装

  第十三章  测试

  §13．1  概述

  13．1．1  测试的意义

  13．1．2  测试的应用

  13．1．3  电性能测试

  2．4．2  表面缺陷

  13．1．4  测试方式

  §13．2  测试规范

  13．2．1  各种规范的意义

  13．2．2  各种规范的关系

  13．2．3  生产规范的制定

  §13．3  静态参数测试

  13．3．1  施压测流法

  13．3．2  施流测压法

  13．3．3  测试的问题

  §13．4  动态参数测试

  §2．5  外延系统与典型工艺流程

  13．4．1  测试策略

  13．4．2  单脉冲测量法

  13．4．3  取样数字化法

  13．4．4  测试注意事项

  §13．5  存储器测试

  13．5．1  常见故障

  13．5．2  测试图形

  13．5．3  测试方法

  13．5．4  测试设备

  13．5．5  测试技术

  2．5．1  外延系统

  §13．6  微处理器测试

  13．6．1  测试方法

  13．6．2  测试图形的产生

  13．6．3  测试方案

  13．6．4  测试设备

  §13．7  模拟集成电路测试

  13．7．1  模拟式方法

  13．7．2  DSP式方法

  13．7．3  测试技术

  13．7．4  彩电电路测试

  §1．1  集成电路技术的发展和硅材料的关系

  2．5．2  典型工艺介绍

  §13．8  测试集中管理

  13．8．1  分布系统

  13．8．2  参数记录表

  13．8．3  测试统计表

  13．8．4  测试评估图

  §13．9  测试工艺

  13．9．1  芯片测试工艺

  13．9．2  成品测试工艺

  第十四章  集成电路的可靠性

  §14．1  概述

  §2．6  外延层的质量标准及检测方法

  14．1．1  器件可靠性的重要性

  14．1．2  集成电路可靠性工作的基本内容

  14．1．3  集成电路可靠性的特点

  14．1．4  本章主要内容

  §14．2  可靠性基础

  14．2．1  可靠度与不可靠度

  14．2．2  失效率

  14．2．3  产品可靠性指标间的内在联系

  §14．3  集成电路的失效机理

  14．3．1  集成电路常见的失效模式和失效机理

  2．6．1  缺陷密度的检测

  14．3．2  表面失效和p-n结退化

  14．3．3  晶体缺陷对集成电路性能与可靠性的影响

  14．3．4  金属化系统的失效

  14．3．5  塑封集成电路的可靠性

  §14．4  其它失效机理

  14．4．1  α射线引起半导体存贮器的软失效

  14．4．2  高能粒子辐射造成集成电路的失效

  14．4．3  静电放电失效

  14．4．4  电过应力失效

  §14．5  集成电路的可靠性保证

  2．6．2  外延层厚度的测量

  14．5．1  工业化大生产的可靠性保证体系

  14．5．2  集成电路可靠性设计

  14．5．3  工艺过程中的质量控制

  14．5．4  集成电路的可靠性评估

  14．5．5  电视机用集成电路的质量保证试验实例

  §14．6  超大规模集成电路的可靠性

  14．6．1  热电子效应

  14．6．2  VLSI的接触与互连

  14．6．3  栅氧化层的缺陷和栅氧化层的击穿

  14．6．4  VLSI中的工艺缺陷

  2．6．3  外延层电阻率的测量

  14．6．5  塑封VLSI的铝引线腐蚀

  第十五章  理化分析

  §15．1  概述

  §15．2  IC生产中常用的理化分析仪器

  15．2．1  扫描电子显微镜（SEM）

  15．2．2  扫描俄歇微探针（SAM）

  15．2．3  离子探针显微分析仪（IMA）

  15．2．4  透射电子显微镜（TEM）

  15．2．5  红外热象仪

  15．2．6  其它分析仪器

  §2．7  硅烷热分解外延简介

  §15．3  理化分析仪器应用实例

  15．3．1  原材料检验分析

  15．3．2  工艺分析

  15．3．3  失效分析

  第十六章  集成电路工业化生产的管理

  §16．1  质量管理基础

  §16．2  生产管理

  16．2．1  管理体制的选择及其特点

  16．2．2  生产计划管理

  16．2．3  新建生产线的管理

  第三章  热氧化

  §16．3  技术管理

  16．3．1  工艺技术文件的编制和管理

  16．3．2  实行条件管理和解决技术问题

  16．3．3  新产品新工艺的研制和开发

  §16．4  质量管理

  16．4．1  质量管理的组织机构

  16．4．2  IC制造中质量管理流程

  16．4．3  质量检测

  16．4．4  工序质量控制

  16．4．5  生产环境和动力条件的原理

  §3．1  概述

  16．4．6  质量反馈

  16．4．7  质量管理基础工作

  附录  

  附录一  集成电路制造技术常用数据表

  附录二  集成电路制造中的常用清洗、腐蚀剂

  附录三  集成电路制造用的主要动力标准

  附录四  集成电路制造用气体

  §3．2  二氧化硅膜的结构、性质和功能

  3．2．1  二氧化硅膜的结构

  §1．2  单晶生长

  3．2．2  二氧化硅膜的性质

  3．2．3  二氧化硅膜在电路中的功能

  §3．3  热氧化原理

  3．3．1  热氧化膜生长机理

  3．3．2  硅的热氧化模型和生长动力学

  3．3．3  影响氧化速率的因素

  §3．4  热氧化方法

  3．4．1  常规热氧化方法介绍

  3．4．2  水汽氯化氢氧化

  3．4．3  热氧化工艺质量控制

  1．2．1  单晶炉

  §3．5  氢氧合成HCL氧化

  §3．6  LSI及VLSI中的氧化技术

  3．6．1  低温薄栅氧化

  3．6．2  硅的局部氧化

  3．6．3  高压氧化

  §3．7  氧化膜的质量评价

  3．7．1  厚度的检测及评价

  3．7．2  氧化膜缺陷的检测及评价

  3．7．3  可动电荷的检测及其评价

  第四章  掺杂

  1．2．2  单晶生长对单晶炉热场的要求

  §4．1  概述

  §4．2  杂质在半导体中的扩散

  4．2．1  扩散原理

  4．2．2  理论分布与实际分布的差异

  §4．3  扩散方法

  4．3．1  双温区锑扩散

  4．3．2  固—固扩散

  4．3．3  片状源扩散

  4．3．4  液态源扩散

  4．3．5  乳胶源扩散

  1．2．3  单晶硅中的杂质分布

  §4．4  扩散的工艺控制和质量检测

  4．4．1  扩散工艺的污染控制

  4．4．2  扩散工艺的参量控制

  4．4．3  扩散工艺质量参数的偏差控制

  4．4．4  扩散工艺的质量检测

  4．4．5  扩散工艺常见质量问题及分析

  §4．5  离子注入

  4．5．1  离子注入设备

  4．5．2  离子注入原理

  4．5．3  注入损伤与退火

  1．2．4  大直径单晶的拉制特点

  4．5．4  离子注入的应用

  4．5．5  离子注入的检测

  第五章  化学气相淀积（CVD）

  §5．1  引言

  §5．2  化学气相淀积方法介绍

  5．2．1  常压化学气相淀积（APCVD）

  5．2．2  低压化学气相淀积（LPCVD）

  5．2．3  等离子体化学气相淀积（PCVD）

  5．2．4  化学气相淀积的安全问题

  §5．3  二氧化硅

  1．2．5  拉晶工艺

  5．3．1  淀积方法

  5．3．2  淀积参数对形成膜的影响

  5．3．3  台阶覆盖与磷硅玻璃回流工艺

  5．3．4  淀积二氧化硅膜的性质

  5．3．5  二氧化硅淀积工艺实例

  §5．4  多晶硅

  5．4．1  多晶硅的功能

  5．4．2  多晶硅淀积方法

  5．4．3  淀积参数

  5．4．4  结构