图解入门 半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）（全新未拆封）

图书标准信息

• 作者 佐藤淳一
• 出版社 机械工业出版社
• 出版时间 2022-03
• 版次 1
• ISBN 9787111702344
• 定价 99.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 208页
• 字数 288千字

【内容简介】

本书力求深入浅出、浅显易懂。面向的对象既包含具有一定半导体知识的读者，也包含与半导体商务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、感兴趣的职场人士、学生等。书中包含了专业性的描述，但大多数内容都尽量写得通俗易懂。有些地方如果不能马上理解，积累经验后再读就容易理解了。此外，对于有一定经验的读者，通过整理自己的知识，尝试去理解相关联的其他领域，也不失为一种有益的方法。

【作者简介】

1988~2000：电子工业部47所 高级工程师 2000~2008：东京工业大学 特任副教授 2008~至今：电子科技大学 教授

【目录】

前言章 半导体制造工艺全貌/1-1半导体工艺简介/各种半导体产品/为什么称为半导体工艺？/1-2前段制程和后段制程的区别/前段制程和后段制程的优选区别/晶圆厂的差异/1-3循环型的前段制程半导体工艺/什么是循环型工艺？/几种基本的组合/1-4前端工艺和后端工艺/为何要分前端工艺和后端工艺？/温度耐受的差异/1-5什么是硅晶圆？/为什么是硅？/半导体的特是什么？/1-6硅晶圆是如何制造的？/作为原料的多晶硅的纯度是11个9/缓慢拉起的单晶硅/1-7硅的特是什么？/硅的同类有哪些？/硅的特点/1-8硅晶圆所需的洁净度/硅晶圆和颗粒/其他污染/1-9硅晶圆在fab中的使用方法/硅晶圆的实际应用/不只用于产品制造的晶圆的使用方法/止生产线中的相互污染/1-10晶圆的大直径化/为什么要大直径化？/从200mm至 300mm/1-11与产品化相关的后段制程/包装为什么是黑的？/封装的趋势/1-12后段制程使用的工艺是什么?/后段制程的流程/后段制程工厂是什么样的？/第2章 前段制程概述/2-1追求微细化的前段制程工艺/摩尔定律/微细化是如何发展起来的？/2-2批量制造芯片的前段制程/批量生产的优点/与 lcd 面板的比较/2-3在没有“等待”的工艺中进行必要的检查和监控/半导体工艺独有的思路/监控的必要/2-4前段制程fab的全貌/什么是洁净室？/工厂需要哪些设备？/2-5fab的生产线构成——什么是bay方式？/为什么选择bay方式？/实际生产线的运行/2-6晶圆厂需要尽早提升良品率/为什么要尽早启动？/如何提高初期成品率？/第3章 清洗和干燥湿法工艺/3-1始终保持洁净的清洗工艺/为什么每次都需要清洗？/仅对表面进行清洗处理是不够的/3-2清洗方法和机理/清洗方法/什么是超声波清洗？/3-3基础清洗——rca清洗/什么是rca清洗？/rca清洗的挑战/3-4新清洗方法的例子/新的清洗方法/未来的清洗方法/3-5批量式和单片式之间的区别/什么是批量式？/什么是单片式？/3-6吞吐量至关重要的清洗工艺/清洗设备的吞吐量/无载具清洗机/3-7清洗后必不可少的干燥工艺/什么是水渍？/干燥方法/3-8新的干燥工艺/什么是马兰戈尼干燥？/什么是罗塔戈尼干燥？/3-9湿法工艺和干法清洗/为什么是湿法工艺？/接近干法清洗的尝试/第4章 离子注入和热处理工艺/4-1注入杂质的离子注入技术/离子注入技术之前/什么是离子注入？/4-2需要高真空的离子注入工艺/什么是离子注入机？/离子束扫描是什么样子的？/4-3用于不同目的的离子注入工艺/各式各样的扩散层/具有不同加速能量和束电流的离子注入工艺/4-4离子注入后的晶格恢复处理/什么是硅晶格？/杂质原子的作用/4-5各种热处理工艺/恢复晶格的方法/用什么方法进行热处理？/4-6近期新的激光退火工艺/什么是激光退火设备？/激光退火和rta之间的区别是什么？/4-7lsi制造和热预算/什么是杂质的分布曲线？/半导体材料的耐热和热预算/第5章 光刻工艺/5-1复制图形的光刻工艺/什么是光刻工艺？/光刻工艺流程/光刻是减法工艺/5-2光刻工艺的本质是照相/与光照相相同的接触式曝光/缩小投影的好处/5-3推动微细化的曝光技术的演变/分辨率和焦深/光源和曝光设备的历史/5-4掩膜版和尘薄膜/什么是掩膜版？/什么是尘薄膜？/套刻/5-5相当于相纸的光刻胶/光刻胶种类/感光机理/什么是化学放大光刻胶？/5-6涂布光刻胶膜的涂胶机/光刻胶涂布工艺/光刻胶涂布的实际情况/5-7曝光后必需的显影工艺/显影机理/实际的显影工艺和设备/5-8去除不要的光刻胶灰化工艺/灰化工艺的机理/灰化工艺和设备/5-9浸液曝光技术现状/为什么要使用浸液？/浸液式曝光技术的与问题/5-10什么是双重图形？/浸液的极限是什么？/多种方法的双重图形技术/5-11追求进一步微细化的euv 技术/什么是 euv曝光技术？/euv 技术的挑战与展望/5-12纳米压印技术/什么是纳米压印技术？/与光刻的比较/纳米压印分类/纳米压印的可能/第6章 刻蚀工艺/6-1刻蚀工艺流程和刻蚀偏差/刻蚀工艺流程是什么？/刻蚀偏差是什么？/6-2方法多样的刻蚀工艺/适应各种材料/适应各种形状/6-3刻蚀工艺中不可或缺的等离子体/等离子体生成机理/离子体电势/6-4rf（频）施加方式有什么不同？/什么是干法刻蚀设备？/阴极耦合的优点/6-5各向异的机理/什么是刻蚀反应？/利用侧壁保护效果/6-6干法刻蚀工艺的挑战/针对新材料的刻蚀工艺/什么是深槽刻蚀？/第7章 成膜工艺/7-1lsi功能不可或缺的成膜工艺/lsi和成膜/lsi 剖面所看到的薄膜形成示例/7-2方法多样的成膜工艺/各种成膜方法/成膜的参数/7-3受基底形状影响的成膜工艺/适应什么样的形状？/成膜机理/7-4直接氧化晶圆的氧化工艺/为什么是氧化硅膜？/硅热氧化机理/7-5热cvd和等离子体cvd/热cvd工艺的机理/什么是等离子cvd法？/7-6金属膜所需要的溅工艺/