先进半导体材料及器件的辐射效应，签名本

图书标准信息

• 作者 [比]克拉艾（Claeys C） 著；刘忠立 译
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2008-03
• 版次 1
• ISBN 9787118054088
• 定价 55.00元
• 装帧 精装
• 开本 大32开
• 纸张 胶版纸
• 页数 428页
• 字数 360千字

【内容简介】

　　《先进半导体材料及器件的辐射效应》在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上，介绍IV族半导体材料、GaAs材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤，接着介绍了基于GaAs材料辐射加固的场效应晶体管及空间应用的光电子器件，最后对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。
　　《先进半导体材料及器件的辐射效应》特别强调辐射效应的基本物理，介绍的内容反映当前半导体材料及器件辐射效应和辐射加固技术研究的最新进展，对于相关领域的研究及应用均具有重要的参考价值。
　　《先进半导体材料及器件的辐射效应》适合于从事空间技术及高能物理研究和应用，以及从事辐射加固半导体器件及制造等领域的广大科技人员阅读，也可以作为相关领域研究生及大学生的教学参考书。

【目录】

符号表
希腊符号表
第1章　辐射环境及器件选择策略
1.1引言
1.2辐射环境
1.2.1空间环境
1.2.2高能物理实验
1.2.3核环境
1.2.4天然环境
1.2.5加工工艺引入的辐射
1.3器件选择策略
1.4小结

第2章　半导体材料及器件的基本辐射损伤机理
2.1引言
2.2　基本损伤机理
2.2.1计量单位
2.2.2电离损伤
2.2.3位移损伤
2.3辐射损伤对器件特性的影响
2.3.1电离损伤
2.3.2位移损伤
2.4　微观辐射损伤的谱学研究
2.4.1电子顺磁共振（EPR）
2.4.2深能级瞬态谱（DLTS）
2.4.3光致发光谱（PL）
2.5小结

第3章　Iv族半导体材料中的位移损伤
3.1引言
3.2硅的位移损伤
3.2.1硅的辐射缺陷
3.2.2辐射缺陷对硅器件的影响
3.2.3衬底及器件的加固
3.2.4硅辐射缺陷的小结
3.3锗的位移损伤
3.3.1Ge的潜在应用
3.3.2Ge的低温辐照
3.3.3Ge的室温辐照
3.3.4辐射损伤对Ge材料及器件的影响
3.3.5Ge辐射缺陷的小结
3.4SiGe合金的位移损伤
3.4.1SiGe材料的性质及应用
3.4.2SiGe的辐射损伤
3.4.3SiGe加工工艺引入的辐射损伤
3.4.4SiGe器件的辐射损伤
3.4.5SiGe合金辐射损伤小结
3.5Ⅳ族半导体总的小结

第4章　GaAs的辐射损伤
4.1引言
4.2　基本符号及定义
4.3GaAs中原生的及辐射引入的点缺陷
4.3.1GaAs中的原生点缺陷
4.3.2GaAs中的基本辐射缺陷
4.3.3GaAs中中子及离子引入的辐射缺陷

第5章　硅双极工艺的究竟辐射效应
第6章　硅MOS器件的辐射损伤
第7章　基于GaAs的辐射加固效应晶体管
第8章　用于究竟的光电子器件
第9章　先进半导体材料及器件的前景展望
参考文献