【我国著名真空电子技术奠基人胡汉泉40年代美国留学工作期间信札六页（其中两页为双面）】保存至今非常难得，老先生的英文书写也非常流畅秀美。
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作者胡汉泉
年代40年代 (1940-1948)
页数6页
上书时间2019-07-13
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胡汉泉，真空电子技术和微波真空电子器件专家，中国电子学会会士，中国微波真空电子器件的主要开拓者之一。1940年毕业于交通大学电机系。历任铁道部铁道科学研究院通讯组研究员，电子工业部北京真空电子技术研究所总工程师、副所长、所长，中国电子学会第一、三届理事和第二届常务理事。指导研究成功2008年管衰减陶瓷质量监控技术、2014前向波放大器反馈测试方法、用离子探针寻找6016管阴极中钙的分布方法。对提高EY－－501行波管寿命的研究作出了贡献。
1918年5月17日 生于北京。
1936-1940年 上海交通大学电机系电讯专业学习，获工学士学位。
1940-1941年 美国密歇根大学电机系学习，获硕士学位。
1942年10月-1943年12月 任美国斯巴登无线厂米波车载无线发射机、接收机、定向机测试工程师。
1944年1月-1946年8月 任美国RCA电子管厂磁控管研究工程师。
1946年9月-1949年9月 任美国依利诺大学电机乐电子管试验室研究讲师，进修博士，获博士学位。
1949年9月-1949年11月 由美国抵达天津回国。
1950年3月-1955年2月 任铁道部铁道研究所电工组研究员。
1955年2月-1956年 冬调入二机部十局技术处任三级工程师，筹备电真空研究所，参加1956～1967年12年科学发展规划电真空技术发展规划工作。
1956年冬-1984年2月 任北京真空电子技术研究所（12所）总工程师，副所长，所长。
1984年2月-1989年9月 任北京真空技术研究所教授级高级工程师，部聘技术顾问。
1989年9月-2004年6月 任北京真空电子技术研究所所聘顾问。
2005年7月22日 病逝于美国德州达拉斯。
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