芯片设计——CMOS模拟集成电路版图设计与验证:基于Cadence IC 6.1.7 第2版
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全新
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作者陈铖颖 陈黎明 蒋见花 王兴华
出版社机械工业出版社
出版时间2023-11
版次2
装帧平装
货号D9
上书时间2024-12-02
商品详情
- 品相描述:全新
图书标准信息
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作者
陈铖颖 陈黎明 蒋见花 王兴华
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出版社
机械工业出版社
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出版时间
2023-11
-
版次
2
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ISBN
9787111737803
-
定价
149.00元
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装帧
平装
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开本
32开
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页数
992页
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字数
601千字
- 【内容简介】
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本书聚焦cmo模拟集成电路版图设计领域,从版图的基本概念、设计方法和eda工具入手,循序渐进介绍了cmo模拟集成电路版图规划、布局、设计到流片的全流程;详尽地介绍了目前主流使用的模拟集成电路版图设计和验证工具——cadence ic 6.1.7与iemen eda calibre deign olution (calibre);同时展示了运算放大器、带隙基准源、低压差线稳压器、模-数转换器等典型模拟集成电路版图的设计实例,并结合实例对lv验证中的典型案例进行了归纳和结;后对集成电路设计使用的工艺设计工具包内容,以及参数化单元建立方法进行了讨论。
本书通过结合基础、工具和设计实践,由浅入深,使读者深刻了解cmo模拟集成电路版图设计和验证的规则、流程和基本方法,对于进行cmo模拟集成电路学的高年级本科生、,以及从事集成电路版图设计与验证的工程师,都能提供有益的帮助。
- 【目录】
-
第2版前言
版前言
章优选集成电路器件1
1.1概述1
1.2面全耗尽绝缘衬底上硅(fd-soi)mosfet4
1.2.1采用薄氧化埋层的原因5
1.2.2超薄体中的二维效应8
1.3finfet11
1.3.1三栅以及双栅finfet12
1.3.2实际中的结构选择19
1.4碳基晶体管20
1.4.1碳纳米管20
1.4.2碳纳米管场效应晶体管22
1.5版图相关效应26
1.5.1阱邻近效应27
……
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