• 芯片设计——CMOS模拟集成电路版图设计与验证:基于Cadence IC 6.1.7 第2版
21年品牌 40万+商家 超1.5亿件商品

芯片设计——CMOS模拟集成电路版图设计与验证:基于Cadence IC 6.1.7 第2版

70 4.7折 149 全新

仅1件

北京丰台
认证卖家担保交易快速发货售后保障

作者陈铖颖 陈黎明 蒋见花 王兴华

出版社机械工业出版社

出版时间2023-11

版次2

装帧平装

货号D9

上书时间2024-12-02

博文书阁

十年老店
已实名 已认证 进店 收藏店铺

   商品详情   

品相描述:全新
图书标准信息
  • 作者 陈铖颖 陈黎明 蒋见花 王兴华
  • 出版社 机械工业出版社
  • 出版时间 2023-11
  • 版次 2
  • ISBN 9787111737803
  • 定价 149.00元
  • 装帧 平装
  • 开本 32开
  • 页数 992页
  • 字数 601千字
【内容简介】


本书聚焦cmo模拟集成电路版图设计领域,从版图的基本概念、设计方法和eda工具入手,循序渐进介绍了cmo模拟集成电路版图规划、布局、设计到流片的全流程;详尽地介绍了目前主流使用的模拟集成电路版图设计和验证工具——cadence ic 6.1.7与iemen eda calibre deign olution (calibre);同时展示了运算放大器、带隙基准源、低压差线稳压器、模-数转换器等典型模拟集成电路版图的设计实例,并结合实例对lv验证中的典型案例进行了归纳和结;后对集成电路设计使用的工艺设计工具包内容,以及参数化单元建立方法进行了讨论。
本书通过结合基础、工具和设计实践,由浅入深,使读者深刻了解cmo模拟集成电路版图设计和验证的规则、流程和基本方法,对于进行cmo模拟集成电路学的高年级本科生、,以及从事集成电路版图设计与验证的工程师,都能提供有益的帮助。
【目录】


第2版前言

版前言

章优选集成电路器件1

1.1概述1

1.2面全耗尽绝缘衬底上硅(fd-soi)mosfet4

1.2.1采用薄氧化埋层的原因5

1.2.2超薄体中的二维效应8

1.3finfet11

1.3.1三栅以及双栅finfet12

1.3.2实际中的结构选择19

1.4碳基晶体管20

1.4.1碳纳米管20

1.4.2碳纳米管场效应晶体管22

1.5版图相关效应26

1.5.1阱邻近效应27

……

点击展开 点击收起

—  没有更多了  —

以下为对购买帮助不大的评价

此功能需要访问孔网APP才能使用
暂时不用
打开孔网APP