高新科技译丛：数字集成电路分析与设计（第2版）

图书标准信息

• 作者 [美]艾尔斯（John E.Ayers） 著；杨兵 译
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2013-03
• 版次 2
• ISBN 9787118085686
• 定价 69.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 357页
• 字数 526千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 高新科技译丛

【内容简介】

　　数字集成电路功能和性能指数性的增加，彻底改变了我们的生活和工作。MOS晶体管尺寸的不断减小，扩大了电路技术的使用范围，而在技术实现一些年后有关这方面的书籍仍然缺乏。
　　《数字集成电路分析与设计（第2版）》从现代跨学科的观点出发，重点介绍基本原理，可供将来要从事集成电路设计的工程师使用。它给从事超大规模集成电路设计与制造的工程师提供一个修订的教学参考书，《高新科技译丛：数字集成电路分析与设计（第2版）》关注该领域最新的进展，包括器件尺寸不断减小的情况下工作原理新的应用。
　　《高新科技译丛：数字集成电路分析与设计（第2版）》的初衷是在目前有关晶体管电子学和VLSI设计与制造作为一个独立主题的众多领域的教材间起到桥梁作用。像第1版一样，《高新科技译丛：数字集成电路分析与设计（第2版）》对集成电路工程师和该领域研究人员至关重要，为他们从事更先进的工作提供所需要的跨学科的引导。
　　出于教学的目的，作者采用SPICElevel1计算机模拟模型，但还引入了广泛用于VLSI设计的BSIM模型。使得使用者在手算分析和SPICE模拟之间形成一个对器件和电路设计更直观的联系。
　　在新增加的4章中，增加了超过200个新的插图，以及大量的实例分析，并提供了一个网址。这本教材大大扩展了第一版中出现的概念。

【目录】

第1章引言
1.1历史展望与摩尔定律
1.2数字集成电路的电学性能
1.2.1逻辑功能
1.2.2静态电压传输特性
1.2.3瞬态特性
1.2.4扇入和扇出
1.2.5功耗
1.2.6功率延迟积
1.3计算机辅助设计与验证
1.4制造
1.5半导体和结
1.6MOS晶体管
1.7MOS门电路
1.8互连
1.9动态CMOS
1.10低功耗CMOS
1.11双稳态电路
1.12存储器
1.13输入／输出和接口电路
1.14实际的观点
1.15小结
练习题
参考文献

第2章制造
2.1引言
2.2基本的CMOS制造工序
2.3先进的高性能CMOS工艺
2.3.1铜布线
2.3.2金属栅
2.3.3高K栅介质
2.4光刻和掩膜版
2.5版图和设计规则
2.5.1最小线宽和间隔
2.5.2接触孔和过孔
2.6测试及成品率
2.7封装
2.8老化和加速试验
2.9实际的观点
2.10总结
练习题
参考文献

第3章半导体和pn结
3.1引言
3.2硅的晶体结构
3.3能带
3.4载流子浓度
3.4.1本征硅
3.4.2n型硅
3.4.3p型硅
3.5电流传输
3.6载流子连续性方程
3.7泊松方程
3.8pn结
3.8.1零偏置（热平衡）
3.8.2耗尽电容
3.8.3正向偏置电流
3.8.4反向偏置
3.8.5反向击穿
3.9金属——半导体结
3.10SPICE模型
3.11实际的观点
3.12小结
练习题
参考文献

第4章MOS晶体管
4.1引言
4.2MOS电容
4.3阈值电压
4.4MOSFET的电流一电压特性
4.4.1线性区工作
……

第5章MOS门电路
第6章静态CMOS
第7章互连线
第8章动态CMOS
第9章低功耗CMOS电路
第10章双稳态电路
第11章数字存储器
第12章输入／输出和接口电路