微电子器件基础

图书标准信息

• 作者 曾云 编
• 出版社 湖南大学出版社
• 出版时间 2005-12
• 版次 1
• ISBN 9787810539999
• 定价 20.00元
• 装帧 平装
• 开本 其他
• 纸张 胶版纸

【内容简介】

　　本书是作者在十余年讲授《微电子器件基础》课程的基础上总结、修订、补充而编著的，是作者多年授课经验和从事相关科研工作成果的总结。书中重点介绍PN结二极管、结型晶体管和MOS场效应晶体管这三种基本微电子器件的工作原理和基本特性，并阐述器件特性与结构、材料与工艺参数之间的依赖关系。书中还简要介绍了一些代表性的其他器件如特殊二极管、晶闸管、光电器件和电荷耦合器件等。

  本书可作为大学本科相关课程的教材，也可供微电子领域的科技及相关专业人员参考。

【作者简介】

曾云，男，1956年8月出生，湖南芷江人，教授，教育部电子科学与技术教学指导委员会委员，湖南大学微电子研究所所长。主要从事新型和高，性能电子器件和电子器件与集成电路应用方面的教学与研究工作，承担或完成纵、横向科研课题20余项，在国内外学术刊物和国际学术会议

【目录】

第1章 PN结二极管

　第1节 PN结杂质浓度分布

　　1 突变结

　　2 缓变结

　第2节 平衡PN结

　　1 空间电荷区

　　2 能带图

　　3 接触电势差

　　4 载流子浓度

　第3节 PN结空间电荷区电场和电位分布

　　1 突变结

　　2 线性缓变结

　　3 耗尽层近似讨论

　第4节 PN结势垒电容

　　1 突变结势垒电容

　　2 线性缓变结势垒电容

　第5节 PN结直流特性

　　1 PN结非平衡载流子注入

　　2 PN结反向抽取

　　3 准费米能级和载流子浓度

　　4 直流电流电压方程

　　5 影响PN结直流特性的其他因素

　　6 温度对PN结电流电压的影响

　第6节 PN结小信号交流特性与开关特性

　　1 小信号交流特性

　　2 开关特性

　第7节 PN结击穿特性

　　1 基本击穿机构

　　2 雪崩击穿电压

　　3 影响雪崩击穿电压的因素

　　习题一

第2章 特殊二极管

　第1节 变容二极管

　　1 PN结电容和变容二极管

　　2 电容电压特性

　　3 变容二极管基本特性

　　4 特殊变容二极管

　第2节 隧道二极管

　　1 隧道过程的定性分析

　　2 隧道几率和隧道电流

　　3 等效电路及特性

　　4 反向二极管

　第3节 雪崩二极管

　　1 崩越二极管工作原理

　　2 崩越二极管的特性

　　3 几种崩越二极管

　　4 俘越二极管

　　5 势越二极管

　　习题二

第3章 晶体管的直流特性

　第1节 晶体管基本结构与放大机理

　　1 晶体管结构与杂质分布

　　2 晶体管放大机理

　第2节 晶体管直流电流电压方程

　　1 均匀基区晶体管

　　2 缓变基区晶体管

　第3节 晶体管电流放大系数与特性曲线

　　1 电流放大系数

　　2 特性曲线

　　3 电流放大系数理论分析

　　4 影响电流放大系数的其他因素

　第4节 晶体管反向电流与击穿电压

　　1 晶体管反向电流

　　2 晶体管击穿电压

　第5节 晶体管基极电阻

　　1 梳状晶体管基极电阻

　　2 圆形晶体管基极电阻

　习题三

第4章 晶体管频率特性与开关特性

第5章 晶体管的功率特性

第6章 晶闸管

第7章 MOS场效应晶体管

第8章 光电器件与电荷耦合器件

附录

参考文献