• 硅加工中的表征
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硅加工中的表征

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作者[美]布伦德尔、埃文斯、斯特劳瑟 编

出版社哈尔滨工业大学出版社

出版时间2014-01

版次1

装帧平装

货号605 11-28

上书时间2024-11-29

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品相描述:全新
图书标准信息
  • 作者 [美]布伦德尔、埃文斯、斯特劳瑟 编
  • 出版社 哈尔滨工业大学出版社
  • 出版时间 2014-01
  • 版次 1
  • ISBN 9787560342801
  • 定价 88.00元
  • 装帧 平装
  • 开本 16开
  • 纸张 胶版纸
  • 页数 240页
  • 字数 100千字
  • 丛书 材料表征原版系列丛书
【内容简介】
  This volume is one of a series originally issued under anotherimprint. The other volumes in this series are as follows:Characterization of Catalytic Materialsisrael E. Wachs;Characterization of Metals and AlloysPaul H. Holloway and P. N Vaidyanathan;Characterization of CeramicsRona/d E. Loehman;Characterization of PolymersNed J. Chou, Stephen R Kowalczyk, Ravi Saraf, and Ho—Ming Tong;Characterization in Compound Semiconductor ProcessingGary McGuire and Yale Strausser;Characterization of Integrated Circuit Packaging MaterialsThomas M. Moore and Robert G. McKenna;Characterization of Composite MaterialsHatsuo Ishida;Characterization of Tribological MaterialsWilliam A. Glaeser;Characterization of Optical MaterialsGregory J. Exarhos;Characterization of Organic Thin FilmsAbraham Ulman.
【目录】
Preface to the Reissue of the Materials Characterization Series ix 
Preface to Series x 
Preface to the Reissue of Characterization in Silicon Processing xi 
Preface xii 
Contributors xiv 
APPLICATION OF MATERIALS CHARACTERIZATION TECHNIQUES TO SILICON EPITAXIAL GROWTH 
1.1 Introduction 1 
1.2 Silicon Epitaxial Growth 2 
Basic Chemical Reactions 2, Precleaning Considerations 3, 
Reactor Types 3 
1.3 Film and Process Characterization 4 
Crystal Quality 4, PrecleanQuality 6, Thickness 9, Dopant 
Concentration and Dopant Profiling 12 
1.4 Selective Growth 14 
Basic Process Considerations 14, Defect Density and Growth 
Morphology 15, Predean Quality 18, Thickness 18 
1.5 Si1 _xGex Epitaxial Growth 18 
Material Considerations 18, Reactor Types 19 
1.6 Si1_ xGex Material Characterization 20 
Composition and Thickness 20, Growth Morphology 22, Lattice 
Strain and Critical Thickness 23, Relaxation Kinetics 24, Bandgap 
Measurements 24, Interracial Abruptness and Outdiffusion 25, 
Impurity Profiles 25 
1.7 Summary 26 
POLYSILICON CONDUCTORS 
SILICIDES 
ALUMINUM— AND COPPER—BASED CONDUCTORS 
TUNGSTEN—BASED CONDUCTORS 
BARRIER FILMS 
APPENDIX: TECHNIQUE SUMMARIES
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