• 国外电子电气经典教材系列:模拟CMOS集成电路设计(英文版)
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国外电子电气经典教材系列:模拟CMOS集成电路设计(英文版)

165 九品

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作者[美]拉扎维(Behzad Razavi) 著;王志华 注

出版社机械工业出版社

出版时间2013-07

版次1

装帧平装

货号C562

上书时间2023-03-24

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品相描述:九品
图书标准信息
  • 作者 [美]拉扎维(Behzad Razavi) 著;王志华 注
  • 出版社 机械工业出版社
  • 出版时间 2013-07
  • 版次 1
  • ISBN 9787111430278
  • 定价 79.00元
  • 装帧 平装
  • 开本 32开
  • 纸张 胶版纸
  • 页数 684页
  • 正文语种 英语
  • 原版书名 Design of Analog CMOS Integrated Circuits
  • 丛书 国外电子电气经典教材系列
【内容简介】
  《国外电子电气经典教材系列:模拟CMOS集成电路设计(英文版)》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,着重讲解技术的最新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理特性开始,逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基准源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。
  《国外电子电气经典教材系列:模拟CMOS集成电路设计(英文版)》还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐,被许多国际知名大学选为教科书。同时,由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历,使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。
【作者简介】
  BehzadRazavi,分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室。他于1992年~1994年在普林斯顿大学(新泽西州普林斯顿)及1995年在斯坦福大学任副教授。1996年9月,他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。拉扎维教授是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员。担任模拟小组委员会的主席。
【目录】
AbouttheAuthor
Preface
Acknowledgments
1IntroductiontoAnalogDesign
1.1WhyAnalog?
1.2WhyIntegrated?
1.3WhyCMOS?
1.4WhyThisBook?
1.5GeneralConcepts
1.5.1LevelsofAbstraction
1.5.2RobustAnalogDesign

2BasicMOSDevicePhysics
2.1GeneralConsiderations
2.1.1MOSFETasaSwitch
2.1.2MOSFETStructure
2.1.3MOSSymbols
2.2MOSI/VCharacteristics
2.2.1ThresholdVoltage
2.2.2DerivationofI/VCharacteristics
2.3Second-OrderEffects
2.4MOSDeviceModels
2.4.1MOSDeviceLayout
2.4.2MOSDeviceCapacitances
2.4.3MOSSmall-SignalModel
2.4.4MOSSPICEmodels
2.4.5NMOSversusPMOSDevices
2.4.6Long-ChannelversusShort-ChannelDevices

3Single-StageAmplifiers
3.1BasicConcepts
3.2Common-SourceStage
3.2.1Common-SourceStagewithResistiveLoad
3.2.2CSStagewithDiode-ConnectedLoad
3.2.3CSStagewithCurrent-SourceLoad
3.2.4CSStagewithTriodeLoad
3.2.5CSStagewithSourceDegeneration
3.3SourceFollower
3.4Common-GateStage
3.5CascodeStage
3.5.1FoldedCascode
3.6ChoiceofDeviceModels

4DifferentialAmplifiers
4.1Single-EndedandDifferentialOperation
4.2BasicDifferentialPair
4.2.1QualitativeAnalysis
4.2.2QuantitativeAnalysis
4.3Common-ModeResponse
4.4DifferentialPairwithMOSLoads
4.5GilbertCell

5PassiveandActiveCurrentMirrors
5.1BasicCurrentMirrors
5.2CascodeCurrentMirrors
5.3ActiveCurrentMirrors
5.3.1Large-SignalAnalysis
5.3.2Small-SignalAnalysis
5.3.3Common-ModeProperties

6FrequencyResponseofAmplifiers
6.1GeneralConsiderations
6.1.1MillerEffect
6.1.2AssociationofPoleswithNodes
6.2Common-SourceStage
6.3SourceFollowers
6.4Common-GateStage
6.5CascodeStage
6.6DifferentialPair
AppendixA:DualofMiller'sTheorem

7Noise
8Feedback
9OperationalAmplifiers
10StabilityandFrequencyCompensation
11BandgapReferences
12IntroductiontoSwitched-CapacitorCircuits
13NonlinearityandMismatch
14Oscillators
15Phase-LockedLoops
16Short-ChannelEffectsandDeviceModels
17CMOSProcessingTechnology
18LayoutandPackaging
Index
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