MOS集成电路工艺与制造技术 品佳

图书标准信息

• 作者 潘桂忠 编
• 出版社 上海科学技术出版社
• 出版时间 2012-07
• 版次 1
• ISBN 9787547809808
• 定价 85.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 252页
• 字数 670千字

【内容简介】

《MOS集成电路工艺与制造技术》全面介绍了MOS集成电路工艺和制造技术。内容包括：硅晶圆衬底，氧化，扩散，离子注入，外延，化学汽相淀积，光刻，付蚀与刻蚀等，PNOS，NMOS，CMOS，LVHV兼容CMOS等制造工艺。

【目录】

第1章 硅衬底与清洗

　1．1 硅晶圆

　1．2 P型硅衬底

　1．3 N型硅衬底

　1．4 Pepi／P或Pepi／P+型硅衬底

　1．5 Nepi／P或Nepi／N+型硅衬底

　1．6 硅片激光编号

　1．7 硅片清洗分类及其步骤

　1．8 硅片各种清洗液及其清洗

第2章 热氧化

第3章 热扩散

第4章 离子注入及其退伙

第5章 硅外延

第6章 化学气相淀积

第7章 光刻

第8章 腐蚀和刻蚀

第9章 金属化

第10章 表面钝化

第11章 CMOS工艺集成

第13章 Bicmos工艺集成