• 模拟电子技术(原书第11版)(英文版)
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模拟电子技术(原书第11版)(英文版)

40 3.4折 119 八五品

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作者[美]Robert L. Boylestad(罗伯特·L. 博伊斯坦;Louis Nashelsky(路易斯·纳什斯凯)

出版社电子工业出版社

出版时间2023-03

版次1

装帧其他

货号9787121452246

上书时间2024-11-05

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品相描述:八五品
图书标准信息
  • 作者 [美]Robert L. Boylestad(罗伯特·L. 博伊斯坦;Louis Nashelsky(路易斯·纳什斯凯)
  • 出版社 电子工业出版社
  • 出版时间 2023-03
  • 版次 1
  • ISBN 9787121452246
  • 定价 119.00元
  • 装帧 其他
  • 开本 16开
  • 页数 608页
  • 字数 1265千字
【内容简介】
本书包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、双极性结型晶体管和场效应晶体管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等内容。本书结合国内高等教育中采用英语或双语教学的特点和实际情况,对原版教材进行了改编,精简了内容,突出了重点,补充了必要知识点,内容更加新颖和系统化,反映了半导体器件和应用的发展趋势,强调了系统工程的概念。
【作者简介】
Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授,在电子电路学科领域出版了多部优秀教材,受到很高的评价。

Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授,在电子电路学科领域出版了多部优秀教材,受到很高的评价。
【目录】
Chapter 1?Semiconductor Diodes

1.1?Introduction

1.2?Semiconductor Materials: Ge, Si, and GaAs

1.3?Covalent Bonding and Intrinsic Materials

1.4?Extrinsic Materials: n-Type and p-Type Materials

1.5?Semiconductor Diode

1.6?Ideal versus Practical

1.7?Resistance Levels

1.8?Diode Equivalent Circuits

1.9?Transition and Diffusion Capacitance

1.10?Reverse Recovery Time

1.11?Diode Specification Sheets

1.12?Semiconductor Diode Notation

1.13?Zener Diodes

1.14?Light-Emitting Diodes

1.15?Summary

1.16?Computer Analysis

Problems

Chapter 2?Diode Applications

2.1?Introduction

2.2?Load-Line Analysis

2.3?Equivalent Model Analysis

2.4?AND/OR Gates

2.5?Sinusoidal Inputs, Half-Wave Rectification

2.6?Full-Wave Rectification

2.7?Clippers

2.8?Clampers

2.9?Zener Diodes

2.10?Summary

Problems

Chapter 3?Bipolar Junction Transistors

3.1?Introduction

3.2?Transistor Construction

3.3?Transistor Operation

3.4?Common-Base Configuration

3.5?Transistor Amplifying Action

3.6?Common-Emitter Configuration

3.7?Common-Collector Configuration

3.8?Limits of Operation

3.9?Transistor Specification Sheet

3.10?Transistor Casing and Terminal Identification

3.11?Summary

Problems

Chapter 4?DC Biasing —BJTs

4.1?Introduction

4.2?Operating Point

4.3?Fixed-Bias Circuit

4.4?Emitter Bias

4.5?Voltage-Divider Bias

4.6?DC Bias with Voltage Feedback

4.7?Miscellaneous Bias Configurations

4.8?Transistor Switching Networks

4.9?pnp Transistors

4.10?Bias Stabilization

4.11?Summary

Problems

Chapter 5?BJT AC Analysis

5.1?Introduction

5.2?Amplification in the AC Domain

5.3?BJT Transistor Modeling

5.4?The re Transistor Model

5.5?The Hybrid Equivalent Model

5.6?Hybrid π Model

5.7?Variations of Transistor Parameters

5.8?Common-Emitter Fixed-Bias Configuration

5.9?Voltage-Divider Bias

5.10?CE Emitter-Bias Configuration

5.11?Emitter-Follower Configuration

5.12?Common-Base Configuration

5.13?Collector Feedback Configuration

5.14?Collector DC Feedback Configuration

5.15?Determining the Current Gain

5.16?Effect of RL and Rs

5.17?Two-Port Systems Approach

5.18?Summary Table

5.19?Cascaded Systems

5.20?Darlington Connection

5.21?Feedback Pair

5.22?Current Mirror Circuits

5.23?Current Source Circuits

5.24?Approximate Hybrid Equivalent Circuit

5.25?Summary

Problems

Chapter 6?Field-Effect Transistors

6.1?Introduction

6.2?Construction and Characteristics of JFETs

6.3?Transfer Characteristics

6.4?Specification Sheets (JFETs)

6.5?Important Relationships

6.6?Depletion-Type MOSFETs

6.7?Enhancement-Type MOSFETs

6.8?CMOS

6.9?Summary Table

6.10?Summary

Problems

Chapter 7?FET Biasing

7.1?Introduction

7.2?Fixed-Bias Configuration

7.3?Self-Bias Configuration

7.4?Voltage-Divider Biasing

7.5?Depletion-Type MOSFETs

7.6?Enhancement-Type MOSFETs

7.7?Summary Table

7.8?Combination Networks

7.9?p-Channel FETs

7.10?Summary

Problems

Chapter 8?FET Amplifiers

8.1?Introduction

8.2?FET Small-Signal Model

8.3?JFET Fixed-Bias Configuration

8.4?JFET Self-Bias Configuration

8.5?JFET Voltage-Divider Configuration

8.6?JFET Source-Follower (Common-Drain) Configuration

8.7?JFET Common-Gate Configuration

8.8?Depletion-Type MOSFETs

8.9?Enhancement-Type MOSFETs

8.10?E-MOSFET Drain-Feedback Configuration

8.11?E-MOSFET Voltage-Divider Configuration

8.12?Summary Table

8.13?Effect of RL and Rsig

8.14?Cascade Configuration

8.15?Summary

Problems

Chapter 9?BJT and FET Frequency Response

9.1?Introduction

9.2?General Frequency Considerations

9.3?Low-Frequency Analysis — Bode Plot

9.4?Low-Frequency Response — BJT Amplifier

9.5?Low-Frequency Response — FET Amplifier

9.6?Miller Effect Capacitance

9.7?High-Frequency Response — BJT Amplifier

9.8?High-Frequency Response — FET Amplifier

9.9?Multistage Frequency Effects

9.10?Summary

Problems

Chapter 10?Operational Amplifiers

10.1?Introduction

10.2?Differential Amplifier Circuit

10.3?Differential and Common-Mode Operation

10.4?BiFET, BiMOS, and CMOS Differential Amplifier Circuits

10.5?Op-Amp Basics

10.6?Op-Amp Specifications — DC Offset Parameters

10.7?Op-Amp Specifications — Frequency Parameters

10.8?Op-Amp Unit Specifications

10.9?Summary

Problems

Chapter 11?Op-Amp Applications

11.1?Operation Circuits

11.2?Active Filters

11.3?Comparator Unit Operation

11.4?Schmitt Trigger

11.5?Summary

Problems

Chaper 12?Power Amplifiers

12.1?Introduction — Definitions and Amplifier Types

12.2?Series-Fed Class A Amplifier

12.3?Transformer-Coupled Class A Amplifier

12.4?Class B Amplifier Operation

12.5?Class B Amplifier Circuits

12.6?Class C and Class D Amplifiers

12.7?Summary

Problems

Chapter 13?Feedback Circuits

13.1?Feedback Concepts

13.2?Feedback Connection Types

13.3?Practical Feedback Circuits

13.4?Feedback Amplifier — Phase and Frequency Considerations

13.5?Summary
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