半导体器件物理

图书标准信息

• 作者 施敏 著；黄振岗 译
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 1987-12
• ISBN 9787505300484
• 定价 7.60元
• 装帧 其他
• 开本 其他
• 纸张 其他

【内容简介】

书名原文: Physics of semiconductor devices second edition。

【目录】

目录

引言

第Ⅰ篇半导体物理学

第一章半导体物理学和半导体性质概要

1.1  引言

1.2晶体结构

1.3  能带

1.4热平衡时的载流子浓度

1.5载流子输运现象

1.6半导体的声子谱以及光学、热学和高场性质

1.7半导体器件工作的基本方程

第Ⅱ篇双极器件

第二章  p-n结二极管

2.1  引言

2.2基本器件工艺

2.3耗尽区和耗尽电容

2.4  电流-电压特性

2.5结的击穿

2.6瞬变特性和噪声

2.7  端功能

2.8  异质结

第三章双极晶体管

3.1  引言

3.2静态特性

3.3微波晶体管

3.4功率晶体管

3.5开关晶体管

3.6相关的器件结构

第四章  晶体闸流管

4.1引言

4.2基本特性

4.3  肖克莱二极管和三端晶闸管

4.4相关的功率晶闸管

4.5二极管交流开关和三极管交流开关

4.6单结晶体管和触发晶闸管

4.7场控晶闸管

第Ⅲ篇单极器件

第五章  金属-半导体接触

5.1  引言

5.2  能带关系

5.3  肖特基效应

5.4电流输运过程

5.5势垒高度的特征

5.6器件结构

5.7  欧姆接触

第六章  结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管

6.1  引言

6.2基本的器件特性

6.3一般特性

6.4  微波特性

6.5相关的场效应器件

第七章MIS二极管和电荷耦合器件

7.1  引言

7.2理想的MIS二极管

7.3Si-SiO2MOS二极管

7.4电荷耦合器件

第八章MOS场效应晶体管

8.1  引言

8.2基本的器件特性

8.3非均匀掺杂和埋沟器件

8.4短沟道效应

8.5  MOSFET结构

8.6  非易失性存储器

第Ⅳ篇特殊微波器件

第九章隧道器件

9.1引言

9.2  隧道二极管

9.3反向二极管

9.4  MIS隧道二极管

9.5MIS开关二极管

9.6MIM隧道二极管

9.7隧道晶体管

第十章  IMPATT和相关的渡越时间二极管

10.1  引言

10.2静态特性

10.3动态特性

10.4功率和效率

10.5  噪声特性

10.6  器件设计和性能

10.7  BARITT和DOVETT二极管

10.8  TRAPATT二极管

第十一章转移电子器件

11.1  引言

11.2转移电子效应

11.3  工作模式

11.4器件特性

第Ⅴ篇光子器  件

第十二章发光二极管和半导体激光器

12.1  引言

12.2辐射跃迁

12.3发光二极管

12.4半导体激光器物理

12.5激光器工作特性

第十三章光电探测器

13.1  引言

13.2光电导体

13.3光电二极管

13.4雪崩光电二极管

13.5光电晶体管

第十四章太阳电池

14.1  引言

14.2  太阳辐射和理想的转换效率

14.3  p-n结太阳电池

14.4异质结，界面和薄膜太阳电池

14.5集光

附录

A．符号表

B．国际单位制

C．单位词头

D．希腊字母表

E．物理常数

F．晶格常数

G．重要半导体的性质

H．300K下Ge,Si和GaAs的性质

I．300K下SiO2和Si3N4的性质