半导体器件物理基础（第2版）/普通高等教育“十一五”国家级规划教材

图书标准信息

• 作者 曾树荣 著
• 出版社 北京大学出版社
• 出版时间 2007-01
• 版次 2
• ISBN 9787301054567
• 定价 36.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 378页
• 字数 566千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 普通高等教育“十一五”国家级规划教材

【内容简介】

　　本书内容大体可分为两个部分。前两章为第一部分，介绍学习半导体器件必须的知识，包括半导体基本知识和pn结理论；其余各章为第二部分，阐述主要半导体器件的基本原理和特性，这些器件包括：双极型晶体管、化合物半导体场效应晶体管、MOS器件、微波二极管、量子效应器件和光器件。每章末均有习题，书后附有习题参考解答。
　　本书简明扼要，讨论深入，内容丰富，可作为大学有关专业半导体物理与器件方面课程的教材或参考书，分章节供本科生和研究生使用；也可供有关研究人员参考。

【目录】

主要符号表
第一章半导体基本知识
1.1半导体材料和载流子模型
1.2晶格振动
1.3载流子输运现象
1.4半导体的光学性质
第二章Pn结
2.1热平衡状态
2.2耗尽区和耗尽层电容
2.3真流特性
2.4交流小信号特性：扩散电容
2.5电荷存储和反向恢复时间
2.6结的击穿
第三章双极型晶体管
3.1基本原理
3.2双极型晶体管的真流特性
3.3双极型晶体管模型
3.4双极型晶体管的频率特性
3.5双极型晶体管的开关特性
3.6异质结双极晶体管（HBT）
3.7多晶硅发射极晶体管（PET）
3.8Pnpn结构
第四章化合物半导体场效应晶体管
4.1肖特基势垒和欧姆接触
4.2GaAsMESFET
4.3高电子迁移率晶体管（HEMT）
第五章MOS器件
第六章微波二极管，量子效应器件
第七章半导体光器件
附录