半导体物理学(下)(第2版)
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九品
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作者叶良修 著
出版社高等教育出版社
出版时间2009-06
版次2
装帧精装
上书时间2024-07-16
商品详情
- 品相描述:九品
图书标准信息
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作者
叶良修 著
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出版社
高等教育出版社
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出版时间
2009-06
-
版次
2
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ISBN
9787040266252
-
定价
84.00元
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装帧
精装
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开本
16开
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纸张
胶版纸
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页数
604页
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字数
740千字
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正文语种
简体中文
- 【内容简介】
-
《半导体物理学(下)(精)》共十七章,分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容,包括结构和结合性质,半导体中的电子状态,载流子的平衡统计,过剩载流子,接触现象,半导体表面和MIs结构,微结构和趟品格,半导体的光吸收,半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题,包括载流子的散射,热现象,复杂能带输运,热载流子,强磁场下的输运和磁光现象,半导体中自旋相关的现象,非晶念半导体等七章。《半导体物理学(下)(精)》可供已学过同体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。
- 【目录】
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符号表
第11章载流子的散射
§11.1散射率
§11.2屏蔽库仑势和电离杂质散射
§11.3声学波形变势散射
§11.4声学波压电散射
§11.5光学波形变势散射和等价谷间散射
§11.6极性光学波及其散射
§11.7等离子体振荡和等离子体激元散射
§11.8栽流子之间的散射
§11.9其它晶格缺陷的散射
§11.10半导体中的各种散射机制
第11章参考文献
第12章半导体中的热现象
§12.1半导体的热导
§12.2热电效应及其相互联系
§12.3温差电动势率
§12.4热磁效应
§12.5声子曳引效应
第12章参考文献
第13章复杂能带中的输运现象
§13.1多谷带的电导、霍尔效应和磁阻
§13.2半导体中的压阻效应
§13.3声电效应
附录13.1Herring-Vogt变换
第13章参考文献
第14章热载流子和相关现象
§14.1热载流子和载流子温度模型
§14.2能量弛豫机制和能量损失率
§14.3蒙特卡罗模拟
§14.4和谷间转移相关的热载流子输运现象
§14.5雪崩击穿和碰撞电离
§14.6热载流子的扩散
§14.7激光产生的热载流子的弛豫
§14.8研究载流子动态过程的超快光谱方法
§14.9量子阱中热载流子的弛豫
§14.10量子阱中热激子的动态过程
§14.11量子点中电子空穴的弛豫
附录14.1第二类修正贝塞尔函数
第14章参考文献
第15章强磁场输运和磁光现象
§15.1磁量子化和自旋分裂
§15.2纵向振荡磁阻
§15.3横向振荡磁阻
§15.4量子霍尔效应
§15.5回旋共振
§15.6磁-声子效应和强微波辐照场下的零磁阻
§15.7振荡磁吸收
§15.8几种其它磁光效应
第15章参考文献
第16章半导体中自旋相关的现象
§16.1自旋及其在磁场中的行为
§16.2自旋-轨道相互作用
§16.3稀磁半导体及其铁磁性
§16.4电子自旋的光取向及自旋相关的光学现象
§16.5自旋霍尔效应和其它自旋相关的输运现象
§16.6自旋极化的电注入和探测
§16.7自旋极化的弛豫
§16.8核自旋超精细相互作用
§16.9自旋和量子计算
§16.10自旋共振和自旋一核双共振在半导体中的应用
第16章参考文献
第17章非晶态半导体
§17.1非晶态半导体的结构
§17.2非晶态半导体中的电子状态
§17.3非晶态半导体中的输运现象
§17.4非晶态半导体的光吸收
§17.5非晶态Si、Ge中的隙态和掺杂效应
§17.6硫系非晶态半导体
第17章参考文献
索引
《半导体物理学(上册)》的若干修改
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