半导体物理学（下）（第2版）

图书标准信息

• 作者 叶良修 著
• 出版社 高等教育出版社
• 出版时间 2009-06
• 版次 2
• ISBN 9787040266252
• 定价 84.00元
• 装帧 精装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 604页
• 字数 740千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

　　《半导体物理学(下)(精)》共十七章，分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容，包括结构和结合性质，半导体中的电子状态，载流子的平衡统计，过剩载流子，接触现象，半导体表面和MIs结构，微结构和趟品格，半导体的光吸收，半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题，包括载流子的散射，热现象，复杂能带输运，热载流子，强磁场下的输运和磁光现象，半导体中自旋相关的现象，非晶念半导体等七章。《半导体物理学(下)(精)》可供已学过同体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。

【目录】

符号表
第11章载流子的散射
§11.1散射率
§11.2屏蔽库仑势和电离杂质散射
§11.3声学波形变势散射
§11.4声学波压电散射
§11.5光学波形变势散射和等价谷间散射
§11.6极性光学波及其散射
§11.7等离子体振荡和等离子体激元散射
§11.8栽流子之间的散射
§11.9其它晶格缺陷的散射
§11.10半导体中的各种散射机制
第11章参考文献

第12章半导体中的热现象
§12.1半导体的热导
§12.2热电效应及其相互联系
§12.3温差电动势率
§12.4热磁效应
§12.5声子曳引效应
第12章参考文献

第13章复杂能带中的输运现象
§13.1多谷带的电导、霍尔效应和磁阻
§13.2半导体中的压阻效应
§13.3声电效应
附录13.1Herring-Vogt变换
第13章参考文献

第14章热载流子和相关现象
§14.1热载流子和载流子温度模型
§14.2能量弛豫机制和能量损失率
§14.3蒙特卡罗模拟
§14.4和谷间转移相关的热载流子输运现象
§14.5雪崩击穿和碰撞电离
§14.6热载流子的扩散
§14.7激光产生的热载流子的弛豫
§14.8研究载流子动态过程的超快光谱方法
§14.9量子阱中热载流子的弛豫
§14.10量子阱中热激子的动态过程
§14.11量子点中电子空穴的弛豫
附录14.1第二类修正贝塞尔函数
第14章参考文献

第15章强磁场输运和磁光现象
§15.1磁量子化和自旋分裂
§15.2纵向振荡磁阻
§15.3横向振荡磁阻
§15.4量子霍尔效应
§15.5回旋共振
§15.6磁-声子效应和强微波辐照场下的零磁阻
§15.7振荡磁吸收
§15.8几种其它磁光效应
第15章参考文献

第16章半导体中自旋相关的现象
§16.1自旋及其在磁场中的行为
§16.2自旋-轨道相互作用
§16.3稀磁半导体及其铁磁性
§16.4电子自旋的光取向及自旋相关的光学现象
§16.5自旋霍尔效应和其它自旋相关的输运现象
§16.6自旋极化的电注入和探测
§16.7自旋极化的弛豫
§16.8核自旋超精细相互作用
§16.9自旋和量子计算
§16.10自旋共振和自旋一核双共振在半导体中的应用
第16章参考文献

第17章非晶态半导体
§17.1非晶态半导体的结构
§17.2非晶态半导体中的电子状态
§17.3非晶态半导体中的输运现象
§17.4非晶态半导体的光吸收
§17.5非晶态Si、Ge中的隙态和掺杂效应
§17.6硫系非晶态半导体
第17章参考文献

索引
《半导体物理学(上册)》的若干修改
感谢