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作者Ning(甯德雄) 著;[美]Yuan、Taur(陶元)、Tak、H.、黄如 译
出版社电子工业出版社
出版时间2020-06
版次1
装帧平装
货号花园货架B2
上书时间2024-06-27
本书全面且深入地讲授了现代大规模集成电路(VLSI)中主流的半导体器件(CMOS器件、BJT器件等)的基本原理、高等器件物理、器件性能评估、器件设计与应用、器件缩比等一系列问题。该书在高等器件物理与实际的器件设计及其电路应用之间搭建了一座桥梁,不仅具有教科书的作用,还具有重要的应用价值。
Yuan Taur(陶元)是加州大学圣迭戈分校的电子和计算机工程系教授。他在IBM的沃森研究中心工作了20年,在那里他获得了无数的发明和成就奖。陶元教授是IEEE Fellow, 《IEEE电子设备通讯》主编,拥有 14 项美国专利。
黄如,理学博士,教授,中国科学院院士、发展中国家科学院院士,北京大学副校长,长期从事半导体新器件及其应用研究,主要包括低功耗新结构新原理器件、新型神经形态器件及相关技术、器件、电路可靠性与波动性、关键共性工艺等。截至2019年7月,黄如已合作出版著作5本,发表学术论文250余篇,在微电子器件领域标志性国际会议IEDM、VLSI和标志性期刊EDL、TED上发表70余篇论文(自2007年以来连续12年在IEDM上发表论文32篇),多项研究成果连续被列入四个版本的国际半导体技术发展路线图ITRS。
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