硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究

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江苏南京

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作者杜文汉

出版社江苏大学出版社

ISBN9787568410304

出版时间2018-12

版次1

装帧平装

开本32开

纸张胶版纸

页数123页

字数158千字

定价35元

货号SC:9787568410304

上书时间2024-12-23

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商品描述: 作者简介:

内容简介:
借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具，本书对Sr／Si体系进行了深入的研究，主要分为以下3个部分：(1)第一部分：Si(100)衬底上的Sr／Si再构；(2)第二部分：Si(111)衬底上的Sr／Si再构；(3)第三部分：超薄SrTiO3膜的高温晶化。
目录:
第1章绪论
1.1 背景简介
1.1.1 Sr/Si体系研究的兴起
1.1.2 硅基氧化物晶态外延生长研究近况
1.1.3 Sr/Si表面的研究近况
1.1.4 SrTiO3/Si(100)和Sr/Si体系研究存在的问题
1.2 研究内容
1.3 主要实验方法和仪器
1.3.1 PLD实验方法
1.3.2 STM简介
1.3.3 仪器系统
第2章 Sr/Si(100)再构表面的制备
2.1 引言
2.2 Sr/Si(100)的获得
2.2.1 Si(100)衬底再构表面的获得
2.2.2 SrO/Si(100)的制备
2.2.3 SrO/Si(100)结构表征方法
2.3 Sr/Si(100)表面SrO晶态的形成
2.4 Sr/Si(100)高温退火情况
2.5 高温SrO/Si(100)表面随时问的变化
2.6 结论
第3章 Sr/Si(100)-2×3表面的几何结构及初始氧化研究
3.1 引言
3.2 实验及理论计算方法
3.2.1 实验方法
3.2.2 理论计算
3.3 Sr/Si(100)-2×3表面的电子和几何结构
3.3.1 Sr/Si(100)-2×3表面STM特征
3.3.2 I-V和dI/dV特性
3.3.3 Sr/Si(100)-2×3表面的几何结构与电子之间的相互关联
3.3.4 Sr/Si(100)-2×3电子态变温结果
3.3.5 Sr/Si(100)-2×6及2×3的极低偏压图像
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