嵌入式系统中的辐射效应
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作者(法)拉乌尔·委拉兹克(Raoul Velazco) 等 著;黄云 等 译
出版社机械工业出版社
ISBN9787111582861
出版时间2018-01
版次1
装帧平装
开本B5
纸张胶版纸
页数234页
字数288千字
定价79元
货号SC:9787111582861
上书时间2024-12-23
商品详情
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精彩内容:
从１９６２年高海拔核测试导致的Ｔｅｌｅｓｔａｒ卫星失效开始，自然或人造辐射可能干扰电子设备的操作这一事实已被人们所知晓。今天，航天器高度依赖于电子学。因此，空间辐射效应必须在设计阶段就予以考虑，以保证这些项目的高可靠性和安全性要求。即使宇航级器件存在，在设计和／或制造层面采用所谓的辐射效应“加固”，它们相比于同等货架产品（ＣｏｍｍｅｒｃｉａｌＯｆｆＴｈｅＳｈｅｌｆ，ＣＯＴＳ） 的高成本和低性能导致其用于空间的元器件量产（不是专门设计用于空间） 是准强制性的。这给未来任务的可行性和成功带来一个巨大挑战：一方面，必须尽可能地理解空间环境的本质和变化性；另一方面，必须评价空间环境对电子器件的影响，考虑持续演化的技术和多种多样的器件种类。 此外，随着制造技术的持续发展，纳米电子器件的特点（晶体管的尺寸、操作频率）导致其潜在地对地球大气，甚至地面上的粒子敏感。各种各样应用中的大量集成电路产生一个不可忽略的概率：晶体管出现错误，统称为“ＳＥＥ” （ＳｉｎｇｌｅＥｖｅｎｔＥｆｆｅｃｔｓ，单粒子效应），源于大气中子与硅中原子核反应产生的二次粒子电离。这使得高可靠性／安全性的应用必须强制地在应用设计的前期考虑这些问题，引入需要的硬件／软件错误耐受性机制。 估计一个器件或架构对辐射的敏感性是深入了解辐射对可靠性／安全性层次影响的强制步骤。这样一个步骤要求辐射地面测试，即所谓的加速测试，通过辐射装置，如粒子加速器或激光设备，和对应用环境建模的软件工具来执行。这样的估计，尤其对于导致存储器单元内容扰动的单粒子翻转（ＳＥＵ），也可能要求实现故障注入；在故障注入中，辐射效应的影响在对目标器件合适描述可用的层次被考虑。基于不使用束流的故障注入方法获
...
内容简介:
本书由法国TIMA实验室的RaoulVelazco、法国波尔多第壹大学的PascalFouillat和巴西南里奥格兰德联邦大学的RicardoReis共同编著，从环境、效应、测试、评价、加固和预计等方面全面详细介绍了嵌入式系统中的辐射效应，主要内容包括空间辐射环境、微电子器件中的辐射效应、电子器件的在轨飞行异常、多层级故障效应评估、基于脉冲激光的单粒子效应测试和分析技术、电路的加固方法及自动化工具、辐射效应试验测试设备以及数字架构的错误率预计方法等。本书内容全面、丰富且针对性强，覆盖了电子器件及系统辐射效应的方方面面。区别于其他电子系统辐射效应论著，本书从工程化的角度论述空间辐射效应评估、地面模拟、软错误率预计等技术以及靠前上目前优选的研究方法论，同时兼具基础性和理论性。本书适合专业从事电子器件及系统辐射效应研究的科研人员和工程化应用的技术人员阅读和借鉴；同时，也可为该领域的“新人”（如研究生）提供推荐的基础知识。
目录:
译者序
原书前言
第1章空间辐射环境1
1.1空间辐射效应1
1.1.1空间辐射环境：范艾伦带、太阳耀斑、太阳风和宇宙射线1
1.1.2剂量效应：产生原因、对电子器件的影响、辐射强度4
1.1.3位移效应：产生原因、对电子器件的效应、辐射强度5
1.1.4重离子效应：产生原因、对电子器件的效应、辐射强度5
1.1.5质子效应：产生原因（直接或间接）、对电子器件的效应、辐射强度6
1.2其他效应7
1.2.1原子氧：来源和效应7
1.2.2太阳紫外线：来源和效应7
1.2.3微流星体：来源和效应8
1.2.4轨道碎片：来源和效应8
参考文献9
第2章微电子器件的辐射效应10
2.1引言10
2.1.1长期效应10
2.1.2瞬态效应11
2.2MOS器件12
2.2.1阈值电压漂移12
2.2.2退化效应14
2.2.3亚阈斜率15
2.2.4MOSFET的泄漏电流15
2.3双极型器件17
2.3.1简介17
2.3.2电流成分17
2.3.3射－基间耗尽区的复合效应18
2.3.4中立基区的复合效应18
2.3.5电流增益19
2.4单粒子效应20
2.4.1引言20
2.4.2仿真方法21
2.4.3器件级效应22
……
第3章电子器件的飞行异常26
第4章多层级故障效应评估61
第5章模拟和混合信号电路的辐射效应79
第6章单粒子翻转的脉冲激光测试技术基础106
第7章ASIC电路的设计加固方法125
第8章可编程电路的错误容差140
第9章用于加固设计的自动化工具158
第10章SEE和总剂量试验测试设备177
第11章数字架构的错误率预计：测试方法学和工具204
第12章基于SEEM软件的激光SET测试和分析226
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