三维存储芯片技术
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作者(圣马)里诺·米歇洛尼
出版社清华大学出版社
ISBN9787302531340
出版时间2020-02
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数277页
字数446千字
定价118元
货号SC:9787302531340
上书时间2024-12-22
商品详情
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主编推荐:
本书是关于三维存储器的专业书籍，着眼于3D NAND闪存技术发展的未来，结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势，全面介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等，同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容
内容简介:
3D是一种全新的技术，不仅是因为它的多层结构，还因为它是一种基于新型NAND的存储单元。在第1章介绍3DFLASH的市场趋势后，本书的2~8章介绍3DFlASH的工作原理、新技术以及应用架构，包括电荷俘获和浮栅技术（包括可靠性和可缩小性这两种性质在两种技术之间的对比，以及大量不同的材料和垂直架构）、3D堆叠NAND、BiCS和P-BICS、3D浮栅技术、3DVGNAND3D优选架构和RRAM交叉点阵列等。第9~12章探讨了3DFLASH的系统级优选技术，包括多级存储和芯片堆叠等封装技术创新；基于低密度奇偶校验码的近期新商业解决方案的演化进程；TLC/QLC与若干3D层的组合需要的非对称代数码和非二进制LDPC码等校正技术；以及从系统的角度看3DFlash的含义。
目录:
第1章NAND存储器的生态
1.1存储器行业变迁
1.1.1NAND及存储器供应商的整合
1.1.2NAND技术发展
1.1.3NAND应用模式的变化
1.2固体硬盘
1.2.1企业级SSD
1.2.2Build Your Own和客制化SSD
1.2.3SSD控制器的经济效应
1.2.4消费级SSD
1.3NAND技术演进：3D NAND
1.3.13D NAND技术
1.3.23D NAND产品以TLC为主导
1.3.3浮栅技术VS电荷俘获技术
1.3.4封装创新：TSV NAND
1.4新存储器技术
1.5未来5年我们期待什么
第2章3D NAND Flash的可靠性
2.1引言
2.2NAND Flash可靠性
2.2.1耐擦写特性
2.2.2数据保持特性
2.2.3不稳定的存储位和过度写入
2.3与架构相关的可靠性问题
2.42D电荷俘获器件:基础知识
2.52D电荷俘获器件:可靠性问题
2.5.1耐擦写特性退化
2.5.2数据保持特性
2.5.3检测时的阈值电压变化
2.6从2D到3D的电荷俘获NAND
2.73D电荷俘获器件:可靠性问题
2.7.1顶部和底部氧化层的垂直电荷损失
2.7.2间隔处的横向迁移
2.7.3阈值电压瞬态偏移
2.7.4写入和通道串扰
2.7.5垂直通道设计的局限性
2.83D电荷俘获器件与最优选的2D浮栅器件的
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