高温SiC MEMS传感器的热电特性
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作者(澳)丁东安,(澳)阮南中,(澳)陶宗越
出版社科学出版社
ISBN9787030724892
出版时间2022-06
版次1
装帧平装
开本B5
纸张胶版纸
页数148页
字数138千字
定价88元
货号SC:9787030724892
上书时间2024-12-22
商品详情
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内容简介:
本书主要介绍了碳化硅（SiC）传感器在高温下热电特性的研究进展。本书可分为三部分，共七章。第一部分从单层SiC和多层SiC的热阻效应、热电效应、热电子效应和热电容效应等物理效应方面来介绍SiC的热电特性；第二部分介绍了SiC的诸多重要特征以及SiCMEMS的制造流程，总结了SiC传感器、热流传感器和对流惯性传感器的近期新进展；第三部分论述了SiC热电传感器的应用前景。本书可作为高等院校微电子技术专业本科生及相关专业研究生的参考书，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。
目录:
第1章SiC及热电特性简介
1.1背景
1.2SiC
1.3SiC生长
1.4热电特性
1.5高温SiCMEMS传感器
参考文献
第2章SiC热电特性基础
2.1热阻效应
2.1.1半导体材料的物理参数与基本概念
2.1.2单晶碳化硅
2.1.3多晶破化硅
2.1.4非晶碳化硅
2.2热电子效应
2.3热电容效应
2.4热电效应
2.5高温下SiC热电特性的研究现状
2.5.1热电效应的试验装置
2.5.2单层SiC的热阻效应
2.5.3多层SiC的热电效应
2.64H-SiCp-n结
2.7高温下其他热电特性
2.7.1热电效应
2.7.2热电容效应
参考文献
第3章高温SiC传感器的理想性能
3.1灵敏度
3.2线性度
3.3热响应时间
3.4低功耗
3.5稳定性和其他性能
参考文献
第4章SiCMEMS传感器的制备
4.1生长与掺杂
4.1.1SiC的生长
4.1.2SiC掺杂
4.2SiC刻蚀
4.2.1电化学刻蚀
4.2.2化学刻蚀
4.2.3干法刻蚀或反应离子刻蚀
4.3SiC的欧姆接触和肖特基接触
4.3.1欧姆接触
4.3.2肖特基接触
4.4SiCMEMS传感器的制造工艺
4.4.1表面微加工工艺
4.4.2体微加工工艺
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