半导体集成电路(第2版)
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作者余宁梅，杨媛，郭仲杰主编
出版社科学出版社
ISBN9787030759580
出版时间2023-08
版次2
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数320页
字数475千字
定价69元
货号SC:9787030759580
上书时间2024-12-02
商品详情
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内容简介:
本书在简述半导体集成电路的基本概念、发展和面临的主要问题后，以“器件工艺电路应用”为主线，首先介绍半导体集成电路的主要制造工艺、基本元器件的结构和工作原理,然后重点讨论数字集成电路中组合逻辑电路、时序逻辑电路、存储器、逻辑功能部件，最后介绍模拟集成电路中的关键电路和数模、模-数转换电路。
本书以问题为导向，在每一章节开始设置了启发性问题,并以二维码方式给出了关键章节的预习教学视频。全书内容系统全面，叙述深入浅出，易于自学。配备了器件彩色三维结构图，读者可以通过扫描二维码进行查看。
本书可作为普通高等学校电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计与集成系统等相关专业的专业课教材，也可作为相关领域研究生及工程技术人员的参考书。
目录:
第1章绪论1
1.1半导体集成电路的概念1
1.1.1半导体集成电路的基本概念1
1.1.2半导体集成电路的分类2
1.2半导体集成电路的发展过程4
1.3半导体集成电路的发展规律5
1.4半导体集成电路面临的问题6
1.4.1深亚微米集成电路设计面临的问题与挑战7
1.4.2深亚微米集成电路性能面临的问题与挑战8
1.4.3深亚微米集成电路工艺面临的问题与挑战8
技术拓展:Chiplet(芯粒)8
基础习题9
高阶习题9
第2章双极集成电路中的元件形成及其寄生效应10
2.1双极集成电路的制造工艺10
2.1.1双极型晶体管的单管结构和工作原理10
2.1.2双极集成晶体管的结构与制造工艺13
2.2集成双极晶体管的有源寄生效应20
技术拓展:BCD工艺21
基础习题22
高阶习题22
第3章MOS集成电路中晶体管的形成及其寄生效应23
3.1MOSFET晶体管的结构及制造工艺23
3.1.1MOSFET晶体管器件结构与工作原理23
3.1.2MOSFET晶体管的制造工艺25
3.2CMOS集成电路的制造工艺27
3.2.1n阱CMOS工艺28
3.2.2p阱CMOS工艺36
3.2.3双阱CMOS工艺37
3.3MOS集成电路中的有源寄生效应37
3.3.1场区寄生MOSFET37
3.3.2寄生双极型晶体管38
3.3.3CMOS集成电路中的闩锁效应38
3.4深亚微米CMOS集
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