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  • 电子封装技术与关键材料丛书--tsv 3d rf integration：hr-si interer technology（tsv三维频集成——高阻硅转接板技术） 电子、电工 作者
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电子封装技术与关键材料丛书--tsv 3d rf integration：hr-si interer technology（tsv三维频集成——高阻硅转接板技术） 电子、电工 作者

用于5g与毫米波的高阻硅tsv三维频集成技术

￥ 203.95 6.8折 ￥ 298 全新

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北京丰台
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作者作者

出版社化学工业出版社

ISBN9787122394842

出版时间2021-12

版次1

装帧平装

开本16

页数273页

字数0.5千字

定价298元

货号xhwx_1202659261

上书时间2024-11-21

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品相描述：全新
正版特价新书
商品描述
主编：

三维频集成应用是硅通孔（tv）三维集成技术重要应用发展方向。随着5g与毫米波应用的兴起，基于高阻硅tv晶圆级封装的fbar器件、rf mem开关器件、基于tgv的滤波器等逐渐实现商业化应用，tv三维异质频集成逐渐成为电子信息装备领域工程化应用的关键技术。
1. 本书全面阐述面向三维频异质集成应用的高阻硅tv转接板技术，包括设计、工艺、电学特评估与优化等研究，从tv、cpw等基本单元结构入手，到ipd元件以及集成样机，探讨金属化对高频特的影响规律；
2. 展示基于高阻硅tv的集成电感、微带交指滤波器、天线等ipd元件；
3. 详细介绍了2.5d集成四通道l波段接收组件、510ghz信道化变频、集成微流道散热的26ghz gan pa 模块等研究案例。
4. 本书也系统综述了高阻硅tv三维频集成技术的外研究进展，并做了详细的对比分析与归纳结。
5. 本书兼顾深度的同时，力求从较为全面的视角，为本领域研究人员提供启发思路，以助力我国在tv三维频异质集成技术研究的发展进步。

目录：

preface by yufeng jinix

preface by shenglin ma

acknowledgmentsxv

about the authorsxvii

1  introduction to hr-si interer technology1
1.1 background1
1.2 3d rf heterogeneous integration scheme  2
1.3 hr-si interer technology7
1.4 tgv interer technology16
1.5 summary23
1.6 main work of this book24
references25

2  design, process, and electrical verification of hr-si interer for 3d heterogeneous rf integration27
2.1 introduction27
2.2 design and fabrication process of hr-si tsv interer31
2.3 design and analysis of rf transmission structure built on hr-si tsv interer38
2.4 research on hr-si tsv interer fabrication process43
2.4.1 double-sided deep reactive ion etching (drie) to open hr-si tsv43
2.4.2 thermal odation to form firm insulation layer44
2.4.3 patterned cu electroting to achieve metallization and establish rdl layer45
2.4.4 electroless nickel electroless palladium immersion gold (enepig)54
2.4.5 surface passivation54
2.5  electrical characteristics analysis of transmission structure on hr-si tsv interer55
2.6  conclusion61
references63

3  design, verification, and optimization of novel 3d rf tsv based on hr-si interer65
3.1 introduction65
3.2 hr-si tsv-based coaal-like transmission structure69
3.3 redundant rf tsv transmission structure70
3.4 sample processing and test result analysis72
3.5 optimization of hr-si tsv interer83
3.6 conclusion90
references93

4  hr-si tsv integrated inductor95
4.1 introduction95
4.2 hr-si tsv interer integrated nar inductor96
4.3 research on 3d inductor based on hr-si interer113
4.4 summary123
references123

5  verification of 2.5d/3d heterogeneous rf integration of hr-si interer125
5.1 introduction125
5.2 four-channel 2.5d heterogeneous integrated l-band receiver126
5.3 3d heterogeneous integrated channelized frequency conversion receiver based on hr-si interer132
5.3.1 hr-si interer integrated microstrip interdigital filter134
5.3.2 design, fabrication, and test of hr-si interer142
5.3.3 3d heterogeneous integrated assembly and test145
5.4 conclusions 150
references151

6  hr-si interer embedded microchannel153
6.1 introduction153
6.2 design of a hr-si interer embedded microchannel158
6.3 thermal characteristics analy sis of a tsv interer embedded microchannel161
6.3.1 simplified calculation based on a variable diffusion angle162
6.3.2 direct calculation based on analytical formula163
6.3.3 a fitting formula based on simulation results164
6.3.4 equivalent thermal resistance work based on the high thermal conductivity path164
6.4 process development of a tsv interer embedded microchannel172
6.5 characterization of cooling capacity of hr-si interer with an embedded microchannel176
6.6 evaluation of hr-si interer embedded with a cooling microchannel178
6.7 application verification of hr-si interer embedded with microchannel188
6.8 conclusions191
references192

7  patch antenna in stacked hr-si interers 197
7.1 introduction197
7.2 theoretical basis of patch antenna200
7.3 design of a patch antenna in stacked hr-si interers200
7.4 processing of a patch antenna in stacked hr-si interers213
7.5 test and analysis of patch antenna in stacked hr-si tsv interer213
7.6 summary222
references222

8  through glass via technology225
8.1 introduction225
8.2 tgv fabrication225
8.3 metallization of tgv228
8.4 passive devices based on tgv technology230
8.4.1 technology description230
8.4.2 mim capacitor230
8.4.3 tgv-based bandpass filter231
8.5 embedded glass fan-out wafer-level package technology235
8.5.1 technology description235
8.5.2 aip enabled by egfo package technology236
8.5.3 3d rf integration enabled by egfo package technology242
8.6 2.5d heterogeneous integrated l-band receiver based on tgv interer242
8.7 conclusions249
references250

9  conclusion and outlook251

appendix 1  abbreviations 255

appendix 2  nomenclature259

appendix 3  conversion factors267

index269

内容简介：

三维频集成应用是硅通孔（tv）三维集成技术的重要应用发展方向。随着5g与毫米波应用的兴起，基于高阻硅tv晶圆级封装的薄膜体声波谐振器（fbar） 器件、频微电子机械系统（rf mem）开关器件等逐渐实现商业化应用，tv三维异质频集成逐渐成为电子信息装备领域工程化应用的关键技术。
本书全面阐述面向三维频异质集成应用的高阻硅tv转接板技术，包括设计、工艺、电学特评估与优化等研究，从tv、共面波导传输线（cpw）等基本单元结构入手，到集成无源元件（ipd）以及集成样机，探讨金属化对高频特的影响规律；展示基于高阻硅tv的集成电感、微带交指滤波器、天线等ipd元件；详细介绍了2.5d集成四通道l波段接收组件、5～10ghz信道化变频、集成微流道散热的2～6ghz gan 功率放大器模块等研究案例。本书也系统综述了高阻硅tv三维频集成技术的外新研究进展，并做了详细的对比分析与归纳结。本书兼顾深度的同时，力求从较为全面的视角，为本领域研究人员提供启发思路，以助力我国在tv三维频异质集成技术研究的发展进步。
本书可供微电子封装以及频模组领域研究人员、工程技术人员参，也可供相关专业高等院校及高年级本科生学参。

作者简介：

马盛林，厦门大学机电工程系副教授，北京大学博士，北京大学微纳米加工科学与技术客座研究员。发表50余篇，获得专利20余项，主要研究方向为基于硅通孔的三维集成技术、mem及其应用。
金玉丰，北京大学教授，东南大学博士，担任北京大学微纳米级主任多年。撰写三本关于封装技术的书籍，研究领域包括mem传感器和与硅通孔相关的微系统三维集成技术。

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