碳化硅晶体生长与缺陷~签名

图书标准信息

• 作者 施尔畏 著
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2012-05
• 版次 1
• ISBN 9787030341280
• 定价 128.00元
• 装帧 精装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 360页
• 字数 400千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

《碳化硅晶体生长与缺陷》系统地介绍了物理气相输运（PVT）法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作，由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。《碳化硅晶体生长与缺陷》从碳化硅晶体结构出发，把气相组分作为贯穿生长原料分解升华、系统中的质量／能量输运、生长界面的结晶过程、晶体中缺陷的繁衍与发育等的一条主线，从而使读者对PVT法碳化硅晶体生长的复杂系统和过程有一个全面的、深入的认识和理解。
《碳化硅晶体生长与缺陷》可供从事无机晶体生长研究的科技人员参考，亦可供从事相关领域研究的科技人员和在学研究生阅读。

【目录】

前言
1碳化硅晶体的多型结构与表征
1.1晶体的多型
1.2碳化硅晶体的结构层与基本结构单元
1.3碳化硅晶体多型的共生与连生
1.43C-SiC多型的结构
1.52H-SiC多型的结构
1.64H-SiC多型的结构
1.76H-SiC多型的结构
1.815R-SiC多型的结构
1.9碳化硅晶体多型结构参数的变化
1.10碳化硅晶体多型结构鉴别概述
1.11X射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构
1.12高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构
1.13吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构
1.14拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构
符号说明和注解

2碳化硅晶体的物理气相输运（PVT）法生长
2.1硅-碳二元体系和硅-碳-金属元素三元体系的相图
2.2固态碳化硅分解升华的热力学研究
2.3PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程
2.4PVT法碳化硅晶体生长系统概述
2.5PVT法碳化硅晶体生长模型研究
2.6PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量
2.7PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合
2.8生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变
2.9石墨坩埚生长腔内温度场的演变
符号说明和注解

3气相组分和碳化硅晶体的生长机制
3.1气相组分概述
3.2PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制
3.3气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位
3.4纯硅气相组分Sim的稳定构型与能量
3.5纯碳气相组分Cn的稳定构型与能量
3.6硅碳气相组分SimCn的稳定构型与能量
3.7气相组分SimCn构型的转变
3.8气相组分SimCn的化学序
3.9气相组分SimCn的相互作用
3.10气相组分SimCn在生长界面上的结晶
符号说明和注解

4碳化硅晶体的结晶缺陷
4.1碳化硅晶体结晶缺陷概述
4.2碳化硅晶片结晶质量的整体评价
4.3碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价
4.4多型共生缺陷
4.5镶嵌结构缺陷
4.6堆垛层错
4.7孔道与微管道
符号说明和注解
后记