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  • 半导体器件物理与工艺(基础版) 施敏 苏州大学出版社 9787811373080 正版旧书
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半导体器件物理与工艺(基础版) 施敏 苏州大学出版社 9787811373080 正版旧书

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￥ 9.2 九五品

库存3件

江西南昌
认证卖家担保交易快速发货售后保障

作者施敏

出版社苏州大学出版社

ISBN9787811373080

出版时间2009-12

装帧线装

页数224页

货号2527502

上书时间2024-06-24

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品相描述：九五品
商品描述
温馨提示：亲！旧书库存变动比较快，有时难免会有断货的情况，为保证您的利益，拍前请务必联系卖家咨询库存情况！谢谢！
书名：半导体器件物理与工艺(基础版)
编号：2527502
ISBN：9787811373080[十位:]
作者：施敏
出版社：苏州大学出版社
出版日期：2009年12月
页数：224
定价：29.00 元
参考重量：0.366Kg
-------------------------
新旧程度：6-9成新左右，不影响阅读，详细情况请咨询店主
如图书附带、磁带、学习卡等请咨询店主是否齐全* 图书目录 *
第1章 简介
1.1 半导体器件
1.2 半导体工艺技术
总结
参考文献

第1部分 半导体物理
第2章 热平衡时的能带和载流子浓度
2.1 半导体材料
2.2 基本晶体结构
2.3 基本晶体生长技术
2.4 共价健
2.5 能带
2.6 本征载流子浓度
2.7 施主与受主
总结
参考文献
习题

第3章 载流子输运现象
3.1 载流子漂移
3.2 载流子扩散
3.3 产生与复合过程
3.4 连续性方程式
3.5 热电子发射过程
3.6 隧穿过程
3.7 强电场效应
总结
参考文献
习题

第2部 分半导体器件
第4章 p-n结
4.1 基本工艺步骤
4.2 热平衡状态
4.3 耗尽区
4.4 耗尽层势垒电容
4.5 电流-电压特性
4.6 电荷储存与暂态响应
4.7 结击穿
总结
参考文献
习题

第5章 双极型晶体管及相关器件
5.1 晶体管的工作原理
5.2 双极型晶体管的静态特性
5.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性
5.4 异质结及相关器件
5.5 可控硅器件及相关功率器件
总结
参考文献
习题

第6章 MOSFET及相关器件
6.1 MOS二极管
6.2 MOSFE2、基本原理
6.3 小尺寸MOSFET
6.4 CMOS与双极型CMOS（BiCMOS）
6.5 绝缘层上MOSFET（SOI）
6.6 MOS存储器结构
6.7 功率MOSFET
总结
参考文献
习题

第7章 光电器件
7.1 辐射跃迁与光的吸收
7.2 发光二极管
7.3 半导体激光
7.4 光探测器
7.5 太阳能电池
总结
参考文献
习题

第8章 其他半导体器件
8.1 金半接触
8.2 MESFET
8.3 MODFET的基本原理
8.4 微波二极管、量子效应和热电子器件
总结
参考文献
习题

第3部分 半导体工艺
第9章 集成电路工艺
9.1 基本半导体工艺技术
9.2 集成工艺
9.3 微机电系统
9.4 微电子器件的挑战
总结
参考文献
习题

习题参考答案
附录A 符号表
附录B 国际单位制（SI Units）
附录C 单位词头
附录D 物理常数
附录E 300K时重要半导体材料的特性
附录F 300K时硅和砷化镓的特性
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