瞬态电离辐射激励强电磁脉冲
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98
全新
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作者孟萃
出版社清华大学出版社
ISBN9787302598398
出版时间2022-07
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
定价98元
货号8897002
上书时间2024-12-04
商品详情
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基本信息
书名:瞬态电离辐射激励强电磁脉冲
定价:98元
作者:孟萃
出版社:清华大学出版社
出版日期:2022-07-01
ISBN:9787302598398
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装帧:平装
开本:16开
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内容提要
本书讲述了电离辐射的概念以及与物质作用的种类,核爆炸的电离辐射激励电磁脉冲环境的物理机理、分类以及空间分布规律,以激光惯性约束装置为例讲述地面大科学装置中的电离辐射激励强电磁脉冲环境的物理机理与分类,数值模拟方法、瞬态强电磁脉冲环境准确测量的手段与方法,最后介绍了电离辐射总剂量与强电磁脉冲协和效应的研究方法以及强电磁脉冲国际标准概况。
目录
章绪论1.1引言1.2核爆炸产生的电磁脉冲1.3辐射模拟装置产生的电磁脉冲1.4强电磁脉冲国际标准参考文献第2章电离辐射的种类及其与物质的相互作用2.1基本概念和术语2.1.1原子的结构2.1.2电离辐射的能量2.2电离辐射的种类2.2.1常见电离辐射的种类及属性2.2.2常见的瞬态电离辐射来源2.3带电粒子与物质的相互作用2.3.1带电粒子与物质的相互作用概述2.3.2重带电粒子与物质的相互作用2.3.3快电子与物质的相互作用2.4光子与物质的相互作用2.4.1作用截面2.4.2光电效应2.4.3康普顿效应2.4.4电子对效应2.4.5三种效应的比较2.4.6γ射线窄束的衰减规律2.5中子与物质的相互作用2.5.1中子的分类2.5.2宏观截面和平均自由程2.5.3弹性散射2.5.4非弹性散射2.5.5中子与空气的相互作用参考文献第3章时域有限差分算法3.1研究背景与现状3.2时域有限差分方程3.2.1直角坐标系差分公式3.2.2收敛性和稳定性分析3.2.3柱坐标系差分公式3.3吸收边界条件3.3.1Mur吸收边界3.3.2完全匹配层吸收边界3.4时偏FDTD算法参考文献第4章PIC粒子模拟算法4.1研究背景与现状4.2粒子推动方程4.3电磁场与粒子的耦合4.4电流密度的数学表达参考文献第5章高空核爆炸激励电磁脉冲的物理机理与规律5.1核爆电磁脉冲物理机理5.1.1核爆炸γ辐射源5.1.2γ射线与物质相互作用的衰减规律5.1.3康普顿效应5.2高空核爆炸向地面产生的电磁脉冲5.2.1早期HEMPE1的数值模拟5.2.2结论5.3高空核爆炸向卫星轨道产生的色散电磁脉冲5.3.1爆心附近核电磁脉冲环境5.3.2爆高的影响5.3.3爆炸当量的影响5.3.4电离层对电磁脉冲信号的影响5.3.5高频电磁波通过电离层的衰减5.3.6卫星轨道电场峰值参考文献第6章腔体系统电磁脉冲的物理机理与规律6.1研究背景与现状6.2腔体内SGEMP仿真模型6.2.1二维仿真模型6.2.2三维仿真模型6.3二维模型的仿真结果及规律6.3.1典型的时域波形6.3.2X射线能注量的影响6.3.3X射线脉冲宽度的影响6.3.4X射线能量的影响6.4三维模型的仿真结果及规律6.4.1典型的时域波形6.4.2腔体内SGEMP的空间分布6.4.3腔体内SGEMP的频率特性6.5腔体外部SGEMP的仿真结果及规律6.5.1研究现状6.5.2三维仿真结果及规律参考文献第7章线缆系统电磁脉冲的物理机理与规律7.1研究背景与现状7.2线缆系统电磁脉冲的物理机理7.3时域有限差分法的仿真结果与规律7.3.1时域有限差分方程7.3.2仿真结果与规律7.4传输线+有限元方法仿真结果及规律7.4.1简化模型7.4.2有限元法7.4.3仿真结果与规律参考文献第8章源区电磁脉冲的物理机理与规律8.1研究背景与现状8.2地面核爆炸SREMP理论分析8.2.1早期波过程8.2.2饱和扩散过程8.2.3后期准静态过程8.3靶室房间SREMP数值模拟8.3.1靶室房间SREMP仿真模型8.3.2靶室房间SREMP仿真结果及规律参考文献第9章激光惯性约束装置的强电磁脉冲9.1激光惯性约束装置强电磁脉冲的分类9.2靶室内电磁脉冲9.2.1激光打靶中的电磁脉冲现象9.2.2超热电子产生电磁脉冲的主要机制9.2.3超热电子激励电磁脉冲模拟9.3能库电磁脉冲的实验研究参考文献0章瞬态强电磁脉冲测量10.1DDot传感器10.1.1DDot电场传感器原理10.1.2等效电荷法用于DDot探头形状设计10.1.3DDot传感器尺寸设计10.2Efield传感器10.2.1Efield电场传感器原理10.2.2传感器信号接收电路10.2.3电光调制电路10.2.4光接收机10.3BDot磁场传感器10.3.1SSL磁场传感器10.3.2MSL磁场传感器10.3.3CML磁场传感器10.4MGL磁场传感器10.4.1差模MGL传感器10.4.2共模MGL传感器10.5瞬态强电磁脉冲测量系统的组成10.6信号反演算法10.6.1微分传感器的软硬件信号处理方式10.6.2基于MAP的信号处理算法10.6.3基于MAP算法的实验验证10.6.4不同波形的适应性验证参考文献1章瞬态强电磁脉冲传感器校准11.1基本校准方法11.2标准电磁场产生装置11.2.1TEM小室11.2.2GTEM小室11.2.3镜面单锥TEM小室11.3频域校准方法11.4时域联合校准方法11.4.1幅度灵敏度校准11.4.2上升时间校准参考文献2章电离辐射及强电磁脉冲协和效应12.1电离辐射总剂量效应12.1.1SiO2介质材料辐射损伤机理12.1.2SiSiO2界面电荷 12.1.3MOS器件电参数变化12.2强电磁脉冲效应12.2.1电路各结构的强电磁脉冲效应12.2.2典型的半导体器件的电磁脉冲损伤机理12.3电离辐射总剂量与强电磁脉冲协和效应12.3.1协和效应测试方法12.3.2器件级研究现状12.3.3ADC芯片的实验结果12.4概率阈值分析参考文献3章国际标准概况13.1IEC SC77C发布的HPEM相关标准13.2其他国际组织发布的HPEM相关标准13.2.1ITUT发布的电信中心的HPEM防护建议13.2.2IEEE制定的公共可访问计算机的HPEM防护标准13.2.3CIGRE制定的高压变电站电子设备的HPEM防护建议13.3欧盟发布的HPEM相关文件13.4各国发布的HPEM相关标准13.4.1美国军用HEMP标准13.4.2中国的HPEM相关标准13.4.3其他各国发布的HPEM相关标准参考文献
作者介绍
孟萃,博士,清华大学工程物理系长聘副教授,博士生导师,HPEM Fellow。研究领域为电离辐射环境下的强电磁脉冲机理、效应与评估技术。现在是IECSC77C 工作组成员,“中国信息与电子工程科技发展战略研究中心”特聘专家、中国兵工学会复杂物理场专业委员会委员、中国电磁兼容标准化技术委员会大功率暂态现象标准委员会委员。
序言
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