正版图书 GaN量子阱光电探测器中单电子态的数值计算【塑封】 哈
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库存33件
作者哈斯花，朱俊著
出版社吉林大学出版社
ISBN9787576809152
出版时间2023-01
版次1
装帧平装
开本16开
纸张胶版纸
页数195页
字数99999千字
定价66元
货号wht- 9787576809152
上书时间2024-07-21
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商品详情
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基本信息
书名:GaN量子阱光电探测器中单电子态的数值计算【塑封】
定价：66元
作者:哈斯花，朱俊著
出版社：吉林大学出版社
出版日期：2023-01-01
ISBN：9787576809152
字数：210000
页码：195
版次：
装帧：平装
开本：16开
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内容提要
本书总结作者十余年来一直从事Ⅲ族氮化物异质结构的理论研究结果，详细介绍在有效质量近似框架下基于GaN量子阱光电探测器中单电子态的数值计算方法、理论模型和计算数据分析。全书一共分为六章。章和第二章重点介绍Ⅲ族氮化物半导体材料及其量子阱结构的特点和性质。第三章讨论GaN量子阱中的电子态及其受到极化电场、二维电子（空穴）气、外电场以及电声子相互作用的具体影响。第四章介绍GaN单量子阱和双量子阱中的类氢杂质态。第五章详细介绍GaN量子阱中的激子态及电声子相互作用等问题。第六章通过量子阱结构的设计和优化，分别介绍非对称单量子阱、外电场调制下的单量子阱、耦合双量子阱和插入纳米凹槽的台阶量子阱研究电子的子带间跃迁的光学吸收问题和动力学性质。
目录
章 Ⅲ族氮化物的基本性质 1.1 晶体结构 1.2 能带结构 1.3 缺陷和杂质 参考文献第二章 GaN量子阱的基本性质 2.1 带阶 2.2 应变 2.3 极化电场 2.4 电子气屏蔽效应 2.5 电声子相互作用 参考文献第三章 GaN量子阱中的电子态 3.1 引言 3.2 理论计算模型 3.3 极化电场对量子阱中电子和空穴本征态的影响 3.4 电子-空穴气屏蔽影响下应变量子阱中电子和空穴的本征态 3.5 外电场下应变量子阱中电子与空穴的本征态 3.6 电声子相互作用对量子阱中电子本征态的影响 3.7 小结 参考文献第四章 GaN量子阱中的类氢杂质态 4.1 引言 4.2 理论计算模型 4.3 单量子阱情形 4.4 双量子阱情形 4.5 小结 参考文献第五章 GaN量子阱中的激子态 5.1 引言 5.2 理论模型 5.3 闪锌矿［001］取向GaN量子阱中的激子态 5.4 闪锌矿［111］取向GaN量子阱中的激子态 5.5 纤锌矿［0001］取向GaN量子阱中的激子态 5.6 小结 参考文献第六章 GaN量子阱中的电子子带跃迁 6.1 引言 6.2 GaN量子阱中的电子子带跃迁 6.3 GaN量子阱中电子的声子辅助子带间跃迁 6.4 小结 参考文献附录
作者介绍
哈斯花，蒙古族，理学博士，内蒙古工业大学副教授，硕士生导师。2020年入选内蒙古自治区“新世纪321人才工程”。近年来，先后主持国家及省部级科研项目4项，在国内外学术期刊发表研究论文逾20篇，参编《大学物理学习指导书》一书，发表教学研究论文多篇。
序言
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【封面】
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