• 用于恶劣环境的碳化硅微机电系统
  • 用于恶劣环境的碳化硅微机电系统
  • 用于恶劣环境的碳化硅微机电系统
  • 用于恶劣环境的碳化硅微机电系统
21年品牌 40万+商家 超1.5亿件商品

用于恶劣环境的碳化硅微机电系统

19.8 5.7折 35 九五品

仅1件

上海闵行
认证卖家担保交易快速发货售后保障

作者[英]张 著;王晓浩、唐飞、王文弢 译

出版社科学出版社

出版时间2010-03

版次1

装帧平装

货号41

上书时间2020-12-18

江宁书局

八年老店
已实名 已认证 进店 收藏店铺

   商品详情   

品相描述:九五品
图书标准信息
  • 作者 [英]张 著;王晓浩、唐飞、王文弢 译
  • 出版社 科学出版社
  • 出版时间 2010-03
  • 版次 1
  • ISBN 9787030268624
  • 定价 35.00元
  • 装帧 平装
  • 开本 16开
  • 纸张 胶版纸
  • 页数 121页
  • 字数 154千字
  • 正文语种 简体中文
  • 丛书 微纳技术著作丛书
【内容简介】
碳化硅以其优异的温度特性、电迁移特性、机械特性等,越来越被微电子和微机电系统研究领域所关注,不断有新的研究群体介入这一材料及其应用的研究。《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》是目前译者见到的唯一一本系统论述碳化硅微机电系统的著作,作者是来自英国、美国从事碳化硅微机电系统研究的几位学者,他们系统综述了碳化硅生长、加工、接触、腐蚀和应用等环节的技术和现状,汇聚了作者大量的经验和智慧。
《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》可供从事微电子、微机械研究的科研人员参考阅读,也可以作为研究生专业课程教材或参考书目。
【目录】
译者序
前言
第1章SiCMEMS概述
1.简介
2.SiC材料性能
3.制作微机电(MEM)器件
4.表面改性
5.SiCMEMS的频率调谐
6.MEMS的机械测试
7.应用举例
8.小结
参考文献

第2章SiCMEMS沉积技术
1.概述
2.与SiC沉积相关的问题
3.APCVD
4.PE(2VD
5.LPCVD
6.LPCⅧSiC薄膜的掺杂
7.其他沉积方法
8.小结
参考文献

第3章与SiC接触开发相关的问题综述
1.概述
2.热稳定性
3.p型SiC的欧姆接触
4.使用Ni的欧姆接触
5.肖特基接触缺陷的影响
6.小结
参考文献

第4章SiC的干法刻蚀
1.概述
2.等离子刻蚀基础
3.SiC的等离子刻蚀
4.等离子体化学
5.掩膜材料
6.近期发展及未来展望
7.小结
参考文献

第5章SiCMEMS的设计、性能和应用
1.概述
2.SiCMEMS器件
3.结论和展望
参考文献
附录
点击展开 点击收起

—  没有更多了  —

以下为对购买帮助不大的评价

此功能需要访问孔网APP才能使用
暂时不用
打开孔网APP