CMOS 电路设计、布局与仿真（第1卷） （第2版）

图书标准信息

• 作者 [美]贝克 著；刘艳艳 译
• 出版社 人民邮电出版社
• 出版时间 2008-04
• 版次 1
• ISBN 9787115174468
• 定价 79.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 556页
• 字数 742千字
• 正文语种 简体中文
• 丛书 图灵电子与电气工程丛书

【内容简介】

　　本书是CMOS集成电路设计领域的一部力作，是作者20多年教学和研究成果的总结，内容涵盖电路设计流程、EDA软件、工艺集成、器件、模型、数字和模拟集成电路设计等诸多方面，由基础到前沿，由浅入深,结构合理，特色鲜明。
　　本书对学生、科研人员和工程师各有所侧重。无论对于哪一种类型的读者而言，本书都是一本极好的参考书。

【目录】

第1章　CMOS设计简介
1.1　CMOS集成电路设计流程
1.2　CMOS基础
1.2.1　CMOS缩写
1.2.2　CMOS倒相器
1.2.3　第一款CMOS电路
1.2.4　模拟CMOS设计

1.3　SPICE简介
1.3.1　生成网表
1.3.2　工作点
1.3.3　传输函数分析
1.3.4　压控电压源
1.3.5　理想运算放大器
1.3.6　子电路
1.3.7　直流分析
1.3.8　绘制IV曲线
1.3.9　双环直流分析
1.3.10　瞬态分析
1.3.11　SIN源
1.3.12　RC电路实例
1.3.13　另一种RC电路实例
1.3.14　交流分析
1.3.15　十倍频程和倍频程
1.3.16　分贝
1.3.17　脉冲语句
1.3.18　有限脉冲上升时间
1.3.19　阶跃响应
1.3.20　RC电路的延迟与上升时间
1.3.21　分段线性源
1.3.22　仿真开关
1.3.23　电容的初始化条件
1.3.24　电感的初始化条件
1.3.25　LC回路的Q值
1.3.26　理想积分器的频率响应
1.3.27　单位增益频率
1.3.28　积分器的时域特性
1.3.29　收敛性
1.3.30　一些常见的错误和有用的技巧
延伸阅读
习题

第2章　阱
2.1　图形制作
2.2　N阱的版图设计
2.3　阻值的计算
2.4　N阱/衬底二极管
2.4.1　PN结物理学简介
2.4.2　耗尽层电容
2.4.3　存储或扩散电容
2.4.4　SPICE建模
2.5　N阱的RC延迟
2.6　双阱工艺
延伸阅读
习题

第3章　金属层
3.1　连接焊盘
3.2　用金属层进行设计和版图绘制
3.2.1　metal1和via1
3.2.2　与金属层相关的寄生器件
3.2.3　电流运载极限
3.2.4　金属层的设计规则
3.2.5　接触电阻

3.3　串扰和地电位上跳
3.3.1　串扰
3.3.2　地电位上跳

3.4　LASI版图设计实例
3.4.1　连接焊盘的版图设计Ⅱ
3.4.2　金属测试结构的版图设计
延伸阅读
习题
第4章　有源层和多晶硅层
第5章　电阻、电容、MOS管
第6章　MOS管工作原理
第7章　CMOS制备
第8章　电噪声概述
第9章　模拟设计模型
第10章　数字设计模型
第11章　反相器
第12章　静态逻辑门
第13章　钟控电路
第14章　动态逻辑门
第15章　VLSI版图设计举例
第16章　存储器电路
第17章　Δ∑调制感测
第18章　专用CMOS电路
第19章　数字锁相环