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半导体器件物理基础(第二2版) 曾树荣北京大学出版社 9787301054567

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江西南昌

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作者曾树荣

出版社北京大学出版社

ISBN9787301054567

出版时间2007-01

装帧线装

页数378页

货号1283236

上书时间2024-06-22

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商品详情

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书名：半导体器件物理基础(第二版)
编号：1283236
ISBN：9787301054567[十位:]
作者：曾树荣
出版社：北京大学出版社
出版日期：2007年01月
页数：378
定价：36.00 元
参考重量：0.500Kg
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新旧程度：6-9成新左右，不影响阅读，详细情况请咨询店主
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* 图书目录 *

主要符号表
*章半导体基本知识
1.1 半导体材料和载流子模型
1.2 晶格振动
1.3 载流子输运现象
1.4 半导体的光学性质
第二章 Pn结
2.1 热平衡状态
2.2 耗尽区和耗尽层电容
2.3 真流特性
2.4 交流小信号特性:扩散电容
2.5 电荷存储和反向恢复时间
2.6 结的击穿
第三章双极型晶体管
3.1 基本原理
3.2 双极型晶体管的真流特性
3.3 双极型晶体管模型
3.4 双极型晶体管的频率特性
3.5 双极型晶体管的开关特性
3.6 异质结双极晶体管(HBT)
3.7 多晶硅发射极晶体管(PET)
3.8 Pnpn结构
第四章化合物半导体场效应晶体管
4.1 肖特基势垒和欧姆接触
4.2 GaAs MESFET
4.3 高电子迁移率晶体管(HEMT)
第五章 MOS器件
第六章微波二极管,量子效应器件
第七章半导体光器件
附录

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