氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 电子、电工 郝跃,张金风,张进成 新华正版
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作者郝跃,张金风,张进成
出版社科学出版社
ISBN9787030367174
出版时间2013-01
版次1
装帧平装
开本16
页数320页
字数390千字
定价149元
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上书时间2024-09-29
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目录：
《半导体科学与技术丛书》出版说明
序言
章 绪论 1
参文献 4
第2章 ⅲ族氮化物半导体材料的质 6
2.1 ⅲ族氮化物的晶体结构和能带结构 6
2.1.1 gan、aln和inn 6
2.1.2 氮化物合金材料的晶格常数和禁带宽度 9
2.1.3 异质结界面的能带带阶 10
2.2 氮化物的电子速场关系和低场迁移率 10
2.2.1 gan的电子速场关系 10
2.2.2 gan和algan的电子低场迁移率和速场关系解析模型 11
2.3 氮化物材料的极化效应 15
2.3.1 极 15
2.3.2 自发极化和压电极化效应 16
2.3.3 氮化物合金材料的压电和自发极化强度 17
2.3.4 削弱极化效应的机制 19
2.3.5 极材料和非极/半极材料 20
2.4 氮化物电子材料的掺杂和其他质 21
2.5 氮化物材料质测试分析 22
2.5.1 高分辨x线衍(hrxrd) 22
2.5.2 原子力显微镜(afm) 26
2.5.3 扫描电子显微镜(sem) 28
2.5.4 透电子显微镜(tem) 28
2.5.5 光致发光谱(pl谱) 29
2.5.6 电容 电压测试(c-v) 31
2.5.7 范德堡法霍尔测试 32
2.5.8 霍尔条测试sdh振荡分析二维电子气输运质 33
参文献 35
第3章 氮化物材料的异质外延生长和缺陷质 39
3.1 氮化物材料的外延生长技术 39
3.2 外延生长基本模式和外延衬底的选择 42
3.2.1 外延生长的基本模式 43
3.2.2 外延衬底的选择 44
3.3 mocvd生长氮化物材料的两步生长法 46
3.3.1 两步生长法的步骤 46
3.3.2 蓝宝石上两步法生长gan的生长模式演化 48
3.4 氮化物材料外延的成核层优化 49
3.4.1 低温gan成核层 49
3.4.2 高温aln成核层 50
3.4.3 间歇供氨生长的高温aln成核层 52
3.5 氮化物材料外延层生长条件对材料质量的影响 53
3.6 氮化物单晶薄膜材料的缺陷微结构 57
3.6.1 衬底与成核层界面的微结构——失配位错 57
3.6.2 成核层内的微结构——堆垛层错、局部立方相和反向边界 58
3.6.3 高温gan层的微结构——小角晶界、穿透位错和点缺陷 61
3.6.4 裂纹和沉淀物 63
参文献 64
第4章 gan hemt材料的电学质与机理 66
4.1 gan异质结中的二维电子气 66
4.1.1 gan异质结二维电子气的形成机理 66
4.1.2 gan异质结二维电子气的面电子密度 68
4.2 gan异质结中导带和载流子分布的一维量子效应自洽解 70
4.2.1 一维薛定谔-泊松方程量子效应自洽解物理模型 71
4.2.2 一维薛定谔-泊松方程自洽解模型的数值算法 72
4.2.3 一维量子效应自洽解在gan异质结中的应用 74
4.3 gan异质结二维电子气低场迁移率的解析建模分析 77
4.3.1 gan异质结二维电子气低场迁移率的解析建模 77
4.3.2 algan/gan异质结al组分对迁移率的影响 80
4.3.3 晶格匹配inaln/gan和inaln/aln/gan材料二维电子气输运特 83
参文献 86
第5章 algan/gan异质结材料的生长与优化方法 88
5.1 algan/gan异质结材料结构 88
5.2 低缺陷密度氮化物材料生长方法 90
5.3 斜切衬底生长低缺陷gan缓冲层 94
5.4 gan的同质外延 96
5.4.1 斜切衬底上hvpe生长gan 97
5.4.2 hvpegan模板上mocvd外延gan 98
5.5 高阻gan外延方法 102
5.5.1 缓冲层漏电的表征方法 102
5.5.2 位错对衬底o扩散的影响 103
5.5.3 掩埋电荷层抑制方案 105
5.5.4 gan缓冲层背景n型掺杂的抑制 106
5.6 algan势垒层的优化 107
5.6.1 algan势垒层al组分和厚度对材料2deg质的影响 107
5.6.2 aln界面插入层的作用 109
5.6.3 帽层对异质结材料质的影响 112
参文献 115
第6章 algan/gan多异质结材料与电子器件 117
6.1 al(ga，in)n/ingan/gan材料 117
6.2 gan沟道下引入algan背势垒 119
6.3 ingan背势垒结构 123
6.4 双/多沟道algan/gan异质结 124
参文献 128
第7章 脉冲mocvd方法生长inaln/gan异质结材料 129
7.1 近晶格匹配inaln/gan材料的优势及其hemt特 129
7.2 近晶格匹配inaln/gan材料的生长、缺陷和电学质 131
7.2.1 近晶格匹配inaln/gan材料的生长和缺陷 131
7.2.2 近晶格匹配inaln/gan材料的电学质 133
7.3 表面反应增强的脉冲mocvd(pmocvd)方法 135
7.4 pmocvd方法生长inaln/gan异质结 136
7.4.1 外延生长压强对inaln/gan的能影响 138
7.4.2 in源脉冲时间对inaln/gan的能影响 139
7.4.3 外延生长温度对inaln/gan的能影响 140
7.5 pmocvd方法生长inaln/gan双沟道材料 142
参文献 146
第8章 ⅲ族氮化物电子材料的缺陷和物分析 148
8.1 腐蚀法分析gan位错类型和密度 148
8.1.1 腐蚀坑形状与位错类型的对应关系 148
8.1.2 湿法腐蚀准确估计不同类型位错的密度 150
8.1.3 腐蚀法分析gan的其他类型缺陷——反向边界和小角晶界 152
8.2 不同极面材料的腐蚀形貌和成因 153
8.2.1 n面材料的腐蚀特 153
8.2.2 非极a面gan的选择腐蚀 155
8.3 斜切衬底降低位错密度的机理分析 158
8.3.1 斜切衬底上gan的位错类型和位错扎堆现象 158
8.3.2 斜切衬底上gan中位错的集中湮灭 159
8.4 极对杂质结合和黄带的影响 161
8.4.1 与极有关的杂质结合模型 161
8.4.2 杂质结合对黄带的影响 163
8.5 gan中黄带的深受主来源 164
8.5.1 gan中黄带与c杂质的相关分析 164
8.5.2 对ga空位引起黄带发光的否定讨论 168
参文献 169
第9章 gan hemt器件的和优化 171
9.1 gan hemt器件的工作 171
9.2 gan hemt器件的能参数 173
9.2.1 直流能参数 173
9.2.2 交流小信号跨导 174
9.2.3 截止频率ft和**振荡频率fmax 175
9.2.4 功率能参数 177
9.3 gan hemt器件能的优化措施 178
9.4 提高器件击穿电压的场板结构和实现 181
9.4.1 场板hemt器件的优化 181
9.4.2 场板hemt器件的实现 183
9.4.3 浮空场板结构的提出、优化和实现 184
参文献 188
0章 gan hemt器件的制备工艺和能 189
10.1 表面清洗、光刻和金属剥离 189
10.1.1 表面清洗 189
10.1.2 光刻与金属剥离 189
10.2 器件隔离工艺 190
10.2.1 器件隔离方法 190
10.2.2 常见gan干法刻蚀方法 191
10.2.3 等离子体刻蚀的机理和评估 192
10.3 肖特属半导体接触 193
10.3.1 肖特基结特参数的提取方法 194
10.3.2 gan和algan/gan异质结上肖特基结的特评估 195
10.3.3 不同溶液预处理对肖特基结特的影响分析 197
10.4 欧姆接触 197
10.4.1 gan与algan/gan的欧姆接触的设计原则 198
10.4.2 欧姆接触能的测试方法——传输线模型 199
10.4.3 欧姆接触能的优化 200
10.5 半导体器件的表面钝化 202
10.6 器件互连线电镀和空气桥 204
10.6.1 电镀 204
10.6.2 空气桥 204
10.7 gan hemt器件的工艺流程 206
10.8 gan hemt器件的能与分析 208
10.8.1 器件的直流能 208
10.8.2 器件的小信号特 209
10.8.3 器件的微波功率能 209
参文献 210
1章 gan hemt器件的电热退化与可靠 212
11.1 gan hemt器件的电流崩塌 212
11.2 gan hemt器件电退化的3种机理模型 214
11.2.1 热电子注入 214
11.2.2 栅极电子注入 214
11.2.3 逆压电效应 214
11.3 gan hemt的电应力退化(一) 216
11.3.1 沟道热电子注入应力 216
11.3.2 栅极电子注入应力 217
11.3.3 vds为零的栅压阶梯式应力 218
11.4 gan hemt的电应力退化(二) 219
11.4.1 源漏高压开态应力 219
11.4.2 栅漏高压应力——关态和开态 221
11.4.3 脉冲应力 223
11.4.4 改善hemt器件电应力退化效应的措施 224
11.5 gan hemt的变温特 225
11.5.1 温度对肖特基接触能的影响 226
11.5.2 温度对欧姆接触能和材料方块电阻的影响 226
11.5.3 温度对algan/gan hemt器件特的影响 227
11.6 gan hemt的高温存储特 229
参文献 233
2章 gan增强型hemt器件和集成电路 235
12.1 gan增强型hemt器件 235
12.2 氟等离子体注入增强型器件的工艺与特 240
12.2.1 增强型器件的结构和工艺 240
12.2.2 增强型器件的直流、击穿和小信号能 240
12.2.3 氟等离子体注入器件的栅漏二极管分析 241
12.3 氟等离子体注入e-hemt的可靠评估 244
12.3.1 氟等离子体注入e-hemt在电应力下的特退化分析 244
12.3.2 氟等离子体注入e-hemt在高温下的特退化分析 247
12.4 氟等离子体注入e-hemt器件的结构优化 249
12.4.1 薄势垒层常规hemt器件 249
12.4.2 薄势垒层氟等离子体注入增强型器件 251
12.5 增强/耗尽型gan数字集成电路 252
……
3章 ganmos-hemt器件 261
4章 氮化物半导体材料和电子器件的发展 288
附录 缩略语表 300
《半导体科学与技术丛书》已出版书目 304
内容简介：
郝跃和张金风等编著的氮化物宽禁带半导体材料与电子器件以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（hemt）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本质、异质外延方法和机理，hemt材料的电学质，alcan/gan和inaln/gan异质结的生长和优化、材料缺陷分析，gan hemt器件的和优化、制备工艺和能、电热退化分析，gan增强型hemt器件和集成电路，gan mohemt器件，后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。氮化物宽禁带半导体材料与电子器件可供微电子、半导体器件和材料领域的与科研人员阅读参。
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