电子与光子材料的制备和特/电子与光子材料手册 电子、电工 safa kasap 新华正版
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作者safa kasap
出版社哈尔滨工业大学出版社
ISBN9787560337616
出版时间2013-01
版次1
装帧平装
定价48元
货号xhwx_1200412833
上书时间2024-01-01
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目录：
缩略语
part b 制备和特
12 体单晶生长――方与材料
12.1 背景
12.2 技术
12.3 材料生长
12.4 结论
参文献
13 单晶硅：生长与特
13.1 综述
13.2 原始材料
13.3 单晶生长
13.4 新型晶体生长方
参文献
14 晶体外延生长：方与材料
14.1 液相外延(lpe)
14.2 有机金属化学气相沉积(mocvd)
14.3 分子束外延(mbe)
参文献
15 窄带隙ⅱ-ⅵ族半导体：生长
15.1 体生长技术
15.2 液相外延(lpe)
15.3 有机金属气相外延(movpe)
15.4 分子束外延(mbe)
15.5 替代cmt
参文献
16 宽带隙ⅱ-ⅵ族半导体：生长与特
16.1 晶体特
16.2 外延生长
16.3 体单晶生长
16.4 结论
参文献
17 结构特征
17.1 辐-材料作用
17.2 粒子-材料作用
17.3 x线衍
17.4 光衍、成像衍与电子衍
17.5 功能活动特征
17.6 样品制备
17.7 案例研究――电子和光电材料互补特
17.8 结论
参文献
18 表面化学分析
18.1 电子光谱学
18.2 辉光放电光谱学(gdoes和gdms)
18.3 二次离子质谱
18.4 结论
19 热特与热分析：基础理论、实验技术和应用
19.1 热容
19.2 热传导
19.3 热膨胀
19.4 焓的热能
19.5 温度调制dsc(tmdsc)
参文献
20 半导体材料与器件的电特
20.1 电阻率
20.2 霍尔效应
20.3 电容-电压测量
20.4 电流-电压测量
20.5 电荷泵
20.6 低频噪声
20.7 深能级瞬态光谱学
参文献
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