微电子器件(第3版)

图书标准信息

• 作者 陈星弼 著
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2011-02
• 版次 01
• ISBN 9787121128097
• 定价 49.80元
• 装帧 平装
• 开本 其他
• 纸张 胶版纸
• 页数 316页
• 正文语种 简体中文
• 丛书 电子科学与技术专业规划教材

【内容简介】

本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上，全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管（BJT）和绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题，便于读者巩固及加深对所学知识的理解。

【目录】

第1章半导体器件基本方程 
1�1半导体器件基本方程的形式
1�2基本方程的简化与应用举例
本章参考文献
第2章PN结 
2�1PN结的平衡状态
2�1�1空间电荷区的形成
2�1�2内建电场、内建电势与耗尽区宽度
2�1�3能带图
2�1�4线性缓变结
2�1�5耗尽近似和中性近似的适用性［1］
2�2PN结的直流电流电压方程
2�2�1外加电压时载流子的运动情况
2�2�2势垒区两旁载流子浓度的玻耳兹曼分布
2�2�3扩散电流
2�2�4势垒区产生复合电流［2，3］
2�2�5正向导通电压
2�2�6薄基区二极管
2�3准费米能级与大注入效应
2�3�1自由能与费米能级
2�3�2准费米能级
2�3�3大注入效应
2�4PN结的击穿
2�4�1碰撞电离率和雪崩倍增因子
2�4�2雪崩击穿
2�4�3齐纳击穿
2�4�4热击穿
2�5PN结的势垒电容
2�5�1势垒电容的定义
2�5�2突变结的势垒电容
2�5�3线性缓变结的势垒电容
2�5�4实际扩散结的势垒电容
2�6PN结的交流小信号特性与扩散电容
2�6�1交流小信号下的扩散电流
2�6�2交流导纳与扩散电容
2�6�3二极管的交流小信号等效电路
2�7PN结的开关特性
2�7�1PN结的直流开关特性
2�7�2PN结的瞬态开关特性
2�7�3反向恢复过程
2�7�4存储时间与下降时间
2�8SPICE中的二极管模型
习题二
本章参考文献
第3章双极结型晶体管 
3�1双极结型晶体管基础
3�1�1双极结型晶体管的结构
3�1�2偏压与工作状态
3�1�3少子浓度分布与能带图
3�1�4晶体管的放大作用
3�2均匀基区晶体管的电流放大系数［1～11］
3�2�1基区输运系数
3�2�2基区渡越时间
3�2�3发射结注入效率
3�2�4电流放大系数
3�3缓变基区晶体管的电流放大系数
3�3�1基区内建电场的形成
3�3�2基区少子电流密度与基区少子浓度分布
3�3�3基区渡越时间与输运系数
3�3�4注入效率与电流放大系数
3�3�5小电流时放大系数的下降
3�3�6发射区重掺杂的影响
3�3�7异质结双极型晶体管
3�4双极结型晶体管的直流电流电压方程
3�4�1集电结短路时的电流
3�4�2发射结短路时的电流
3�4�3晶体管的直流电流电压方程
3�4�4晶体管的输出特性
3�4�5基区宽度调变效应
3�5双极结型晶体管的反向特性
3�5�1反向截止电流
3�5�2共基极接法中的雪崩击穿电压
3�5�3共发射极接法中的雪崩击穿电压
3�5�4发射极与基极间接有外电路时的反向电流与击穿电压
3�5�5发射结击穿电压
3�5�6基区穿通效应
3�6基极电阻
3�6�1方块电阻
3�6�2基极接触电阻和接触孔边缘下到工作基区边缘的电阻
3�6�3工作基区的电阻和基极接触区下的电阻
3�7双极结型晶体管的功率特性
3�7�1大注入效应
3�7�2基区扩展效应
3�7�3发射结电流集边效应
3�7�4晶体管的热学性质
3�7�5二次击穿和安全工作区
3�8电流放大系数与频率的关系
3�8�1高频小信号电流在晶体管中的变化
3�8�2基区输运系数与频率的关系
3�8�3高频小信号电流放大系数
3�8�4晶体管的特征频率
3�8�5影响高频电流放大系数与特征频率的其他因素
3�9高频小信号电流电压方程与等效电路
3�9�1小信号的电荷控制模型
3�9�2小信号的电荷电压关系
3�9�3高频小信号电流电压方程
3�9�4Y参数
3�9�5小信号等效电路
3�10功率增益和最高振荡频率
3�10�1高频功率增益与高频优值
3�10�2最高振荡频率
3�10�3高频晶体管的结构
3�11双极结型晶体管的开关特性
3�11�1晶体管的静态大信号特性
3�11�2晶体管的直流开关特性
3�11�3晶体管的瞬态开关特性
3�12SPICE中的双极晶体管模型
3�12�1埃伯斯-莫尔(EM)模型
3�12�2葛谋-潘(GP)模型［46］
3�13双极结型晶体管的噪声特性
3�13�1噪声与噪声系数
3�13�2晶体管的噪声源
3�13�3晶体管的高频噪声等效电路
3�13�4晶体管的高频噪声系数
3�13�5晶体管高频噪声的基本特征
习题三
本章参考文献
第4章绝缘栅型场效应晶体管
4�1MOSFET基础
4�2MOSFET的阈电压
4�2�1MOS结构的阈电压
4�2�2MOSFET的阈电压
4�3MOSFET的直流电流电压方程
4�3�1非饱和区直流电流电压方程
4�3�2饱和区的特性
4�4MOSFET的亚阈区导电
4�5MOSFET的直流参数与温度特性
4�5�1MOSFET的直流参数
4�5�2MOSFET的温度特性
4�5�3MOSFET的击穿电压
4�6MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性
4�6�1MOSFET的小信号交流参数
4�6�2MOSFET的小信号高频等效电路
4�6�3最高工作频率和最高振荡频率
4�6�4沟道渡越时间
4�7MOSFET的噪声特性［8］
4�7�11/f噪声
4�7�2沟道热噪声
4�7�3诱生栅极噪声
4�7�4高频噪声等效电路和高频噪声系数
4�8短沟道效应
4�8�1小尺寸效应
4�8�2迁移率调制效应
4�8�3漏诱生势垒降低效应
4�8�4强电场效应
4�9MOSFET的发展方向
4�9�1按比例缩小的MOSFET
4�9�2双扩散MOSFET
4�9�3SOS�MOSFET
4�9�4深亚微米MOSFET
4�10SPICE中的MOSFET模型
4�10�1MOS1模型
4�10�2MOS2模型
4�10�3MOS3模型
4�10�4电容模型
4�10�5小信号模型
4�10�6串联电阻的影响
习题四
本章参考文献
第5章半导体异质结器件
5�1半导体异质结
5�1�1半导体异质结的能带突变
5�1�2半导体异质结伏安特性
5�2高电子迁移率晶体管(HEMT)
5�2�1高电子迁移率晶体管的基本结构
5�2�2HEMT的工作原理
5�2�3异质结界面的二维电子气
5�2�4高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性
5�2�5HEMT的高频模型
5�2�6HEMT的高频小信号等效电路
5�2�7高电子迁移率晶体管(HEMT)的频率特性
5�3异质结双极晶体管(HBT)
5�3�1HBT的基础理论
5�3�2能带结构与HBT性能的关系
5�3�3异质结双极晶体管的特性
5�3�4Si/Si1-xGex异质结双极晶体管
习题五
本章参考文献
附录A晶体管设计中的一些常用图表
A�1扩散结势垒区宽度xd与势垒电容CT和外加电压V的关系曲线
A�2室温下硅电阻率随施主或受主浓度的变化
A�3扩散结的耗尽区在扩散层一侧所占厚度xCB对耗尽区总
A�4硅中扩散层的电导率曲线
A�5硅中载流子的迁移率与扩散系数曲线