产业专利分析报告（第10册）：功率半导体器件

图书标准信息

• 作者 杨铁军 编
• 出版社 知识产权出版社
• 出版时间 2013-03
• 版次 1
• ISBN 9787513017886
• 定价 46.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 198页
• 字数 320千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

　　《产业专利分析报告（第10册）：功率半导体器件》是功率半导体器件行业的专利分析报告。报告从功率半导体器件行业的专利（国内、国外）申请、授权、申请人的已有专利状态、其他先进国家的专利状况、同领域领先企业的专利壁垒等方面入手，充分结合相关数据，展开分析，并得出分析结果。《产业专利分析报告（第10册）：功率半导体器件》是了解功率半导体器件行业技术发展现状并预测未来走向，帮助企业做好专利预警的必备工具书。

【目录】

第1章研究概述
1.1技术概况
1.1.1主要功率半导体器件的技术特点及应用
1.1.2产业现状
1.1.3行业需求
1.2研究对象和方法
1.2.1技术分解
1.2.2数据检索
1.2.3查全查准评估
1.2.4数据处理
1.2.5相关事项和约定

第2章功率半导体器件领域专利分析
2.1全球专利分析
2.1.1发展趋势分析
2.1.2首次申请国家／地区分析
2.1.3目标国家／地区分析
2.1.4申请人分析
2.2中国专利分析
2.2.1中国专利申请发展趋势分析
2.2.2主要技术分析
2.2.3专利申请的国别分析
2.2.4专利申请的省市／地区区域分布
2.2.5国内外申请人的类型分析
2.2.6主要申请人分析
2.3结论

第3章IGBT领域专利申请分析
3.1IGBT领域产业技术概况
3.1.1技术概况
3.1.2产业现状
3.2全球专利申请现状
3.2.1技术构成分析
3.2.2IGBT结构的技术发展路线
3.2.3首次申请国家／地区分析
3.2.4目标国家／地区分析
3.2.5申请人分析
3.3中国专利申请现状
3.3.1申请趋势分析
3.3.2技术构成分析
3.3.3技术功效分析
3.3.4国外申请人区域分布分析
3.3.5中国申请人区域分布分析
3.3.6主要申请人分析
3.3.7小结
3.4结论
3.4.1全球申请
3.4.2中国申请

第4章SiC器件专利申请分析
4.1全球专利申请现状
4.1.1申请趋势分析
4.1.2技术生命周期分析
4.1.3技术构成分析
4.1.4申请人国家／地区分布
4.1.5申请人分析
4.2中国专利申请现状
4.2.1申请趋势分析
4.2.2技术构成分析
4.2.3申请人分析
4.3MOSFET栅氧化膜技术分析
4.3.1发展路线分析
4.3.2中国申请技术布局
4.3.3未来需重点关注的相关申请
4.4结论
4.4.1全球申请状况
4.4.2中国申请状况
4.4.3MOSFET栅氧化膜技术

第5章英飞凌公司专利申请分析
5.1专利申请现状
5.1.1申请量趋势分析
……

第6章ABB公司专利申请分析
第7章重要专利筛选及分析
第8章主要结论
附录1重要专利列表
附录2SiCMOSFET器件栅氧化膜技术未来需要关注的相关申请
图索引
表索引