• 集成电路制造大生产工艺技术9787308233491
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集成电路制造大生产工艺技术9787308233491

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作者编者:吴汉明|责编:王元新//王波//黄娟琴

出版社浙江大学

ISBN9787308233491

出版时间2023-06

装帧平装

开本其他

定价198元

货号31875826

上书时间2024-09-09

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品相描述:全新
商品描述
目录
第一篇  集成电路器件与制造基础
  第1章  MOSFET器件工作原理
    1.1  MOSFET器件的结构
    1.2  MOSFET器件中的电流
    1.3  短沟道MOSFET器件
  第2章  MOSFET器件中的尺寸微缩效应
    2.1  等电场微缩
    2.2  一般化比例微缩
    2.3  集成电路产业中的器件微缩情况
    2.4  非微缩成分
  第3章  MOSFET器件设计
    3.1  阈值电压设计
    3.2  电场强度设计
    3.3  工作电压设计
  第4章  微缩的工艺挑战与突破
    4.1  微缩的技术基础
    4.2  浅沟槽隔离技术
    4.3  栅氧与栅工程
    4.4  源漏工程
    4.5  应力工程
    4.6  金属硅化物技术
    4.7  接触孔技术
    4.8  金属互连
第二篇  集成电路基本工艺
  第5章  光刻工艺
    5.1  光刻工艺概述
    5.2  光刻工艺流程
    5.3  光刻机技术演进
    5.4  光刻工艺参数与工艺窗口
    5.5  光刻掩模版
    5.6  计算光刻
  第6章  刻蚀工艺
    6.1  刻蚀技术的简介
    6.2  湿法刻蚀技术的发展和原理
    6.3  干法刻蚀技术的发展进程和原理
    6.4  刻蚀技术的展望
  第7章  薄膜工艺
    7.1  薄膜沉积概述
    7.2  硅的氧化
    7.3  化学气相沉积
    7.4  物理气相沉积
  第8章  掺杂工艺
    8.1  硅掺杂基础知识
    8.2  扩散掺杂
    8.3  离子注人掺杂
    8.4  激活
第三篇  集成电路制造支撑技术
  第9章  半导体工艺及器件仿真工具TCAD
    9.1  集成工艺仿真系统Sentaurus Process
    9.2  器件结构编辑工具Sentaurus Structure Editor
    9.3  器件仿真工具Sentaurus Device
    9.4  器件仿真调阅工具Sentaurus Visual简介
    9.5  集成电路虚拟制造系统Sentaurus Workbench简介
  第10章  光刻掩模版及晶圆量测
    10.1  掩模版的检测
    10.2  晶圆检测
    10.3  缺陷处理
  第11章  试验设计与分析在IC制造中的应用
    11.1  试验设计:基本概念、定义与发展简史
    11.2  单变量比较试验
    11.3  二水平析因设计
    11.4  经典响应曲面设计
    11.5  试验设计实践的更多讨论
  第12章  集成电路工艺可靠性
    12.1  集成电路工艺可靠性概述
    12.2  集成电路前段工艺的可靠性
    12.3  集成电路后段工艺的可靠性
  第13章  良率提升
    13.1  良率的定义和简介
    13.2  良率损失的来源和分类
    13.3  缺陷与检测
    13.4  基于缺陷的良率模型
    13.5  工艺能力和统计过程控制的作用
    13.6  未来的挑战
    13.7  人工智能技术提升良率的应用前景
第四篇  工艺集成技术
  第14章  工艺流程简介
    14.1  CMOS逻辑工艺简介
    14.2  常见存储器工艺简介
    14.3  后摩尔定律时代的工艺发展方向
  第15章  浅沟槽隔离工艺
    15.1  STI技术的发展历程
    15.2  STI的刻蚀工艺考量
    15.3  沟槽填充和氧化物退火的工艺参数考量
    15.4  CMP的工艺参数考量
  第16章  栅极工艺
    16.1  引言
    16.2  栅极工程简介
    16.3  栅氧化层
    16.4  沟道应变
    16.5  栅极光刻
    16.6  栅极刻蚀
    16.7  栅极湿法刻蚀
  第17章  源漏工艺
    17.1  轻掺杂漏区离子注人
    17.2  晕环离子注人
    17.3  源漏重掺杂
  第18章  金属硅化物工艺
    18.1  Silicide概述
    18.2  Ti金属硅化物及其工艺流程
    18.3  Co金属硅化物及其工艺流程
    18.4  Ni金属硅化物及其工艺流程
    18.5  Ni与GeSi的金属硅化物及其工艺
    18.6  未来技术趋势
  第19章  接触孔工艺
    19.1  接触孔工艺简介
    19.2  接触孔工艺流程
    19.3  氨化硅沉积(SiN DEP)
    19.4  层间介质层沉积
    19.5  层间介质层平坦化
    19.6  接触孔光刻
    19.7  接触孔刻蚀
    19.8  接触孔清洗
    19.9  接触孔黏合层沉积
    19.10  接触孔钨栓沉积
    19.11  接触孔钨栓平坦化
  第20章  金属互连工艺
    20.1  互连的基本功能与结构
    20.2  铜大马士革工艺
    20.3  钝化层和铝板工艺
    20.4  新型互连技术及其未来
第五篇  集成电路芯片制造实例
  第21章  集成电路芯片制造实例
    21.1  集成电路芯片制造实例分析
    21.2  集成电路芯片的封装和测试
    21.3  印刷电路板组装工艺
  第22章  集成电路芯片的应用场景及未来发展
    22.1  芯片产品应用场景
    22.2  摩尔定律的终结
    22.3  未来的纳米电子器件
    22.4  450mm直径晶圆片
第六篇  制造设计一体化
  第23章  集成电路芯片设计
    23.1  产品调研和系统细化分析
    23.2  数字电路设计流程
    23.3  模拟电路设计流程
    23.4  工艺设计套件
    23.5  标准单元库
  第24章  设计制造一体化(DTCO)
    24.1  可制造性设计(DFM)概况
    24.2  DFM关键技术
    24.3  DTCO概况
    24.4  DTCO流程
    24.5  DTCO关键

内容摘要
 本书共有六篇(24章),分别对晶体管工作原理,基础工艺技术,大生产制造工艺流程中的相关技
术、工艺集成和工艺模块(短流程),芯片制造中的一些实例,以及制造与设计的互相支撑关系等,作了较为系统的介绍。

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