微电子器件基础9787560385952
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作者编者:兰慕杰//来逢昌|责编:李长波//周一曈
出版社哈尔滨工业大学
ISBN9787560385952
出版时间2020-08
装帧平装
开本其他
定价59.8元
货号30952335
上书时间2024-09-05
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目录
第1章 pn结二极管
1.1 pn结的形成及平衡状态
1.2 pn结的直流特性
1.3 pn结空间电荷区和势垒电容
1.4 pn结的小信号交流特性
1.5 pn结的击穿特性
1.6 pn结二极管的开关特性
1.7 pn结二极管的其他类型
思考与练习
第2章 双极型晶体管的直流特性
2.1 晶体管的基本结构和杂质分布
2.2 晶体管的放大机理
2.3 晶体管的直流伏安特性及电流增益
2.4 晶体管的反向电流及击穿电压
2.5 双极型晶体管的直流特性曲线
2.6 基极电阻
2.7 埃伯尔斯-莫尔（Ebers-Moll)模型
思考与练习
第3章 双极型晶体管的频率特性
3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数
3.2 晶体管交流特性的理论分析
3.3 晶体管的高频参数及等效电路
3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数
3.5 晶体管电流放大系数的频率关系
3.6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率
3.7 工作条件对晶体管fr、Kpm的影响
思考与练习
第4章 双极型晶体管的功率特性
4.1 集电极最大允许工作电流IcM
4.2 基区大注人效应对电流放大系数的影响
4.3 有效基区扩展效应
4.4 发射极电流集边效应
4.5 晶体管最大耗散功率PcM
4.6 二次击穿和安全工作区
思考与练习
第5章 双极型晶体管的开关特性
5.1 开关晶体管的静态特性
5.2 晶体管的开关过程和开关时间
5.3 开关晶体管的正向压降和饱和压降
思考与练习
第6章 结型栅场效应晶体管
6.1 JFET基本结构和工作原理
6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数
6.3 JFET的交流特性
6.4 JFET的功率特性
6.5 JFET和MESFET结构举例
思考与练习
第7章 MOS场效应晶体管
7.1 MOSFET基本结构和工作原理
7.2 MOSFET的阈值电压
内容摘要
本书重点介绍pn结二极
管、双极型晶体管和场效应晶体管的基本结构、工作原理、直流特性、频率特性、功率特性和开关特性，以及描述这些特性的有关参数；简要介绍晶闸管、异质结双极晶体管、
静电感应晶体管、绝缘栅双极晶体管、单结晶体管、双极反型沟道场效应晶体管和穿通型晶体管等微电子器件的基本概念、结构和工作原理。本书配有PPT等教学资源。
本书可作为普通高等学校电子科学与技术、集成电路设计、微电子学等专业本科生相关课程的教材，也可供相关专业本科生
、研究生以及从事微电子技术相关工作的科研及工程技术人员阅读参考。
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