石墨烯纳米电子学——从材料到电路

图书标准信息

• 作者 [美]拉古·穆拉利（Raghu Murali） 著
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2023-01
• 版次 1
• ISBN 9787118126778
• 定价 156.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 248页
• 字数 285.000千字

【内容简介】

　　《石墨烯纳米电子学：从材料到电路》全书共9章，在概括了CMOS器件发展历史和发展趋势后，首先用4章分别论述了石墨烯纳米晶体管的器件物理性质；然后再用4章论述了制作石墨烯纳米器件的材料和工艺方法。

  《石墨烯纳米电子学：从材料到电路》包含了石墨烯在纳米电子器件领域中的新研究成果，为相关科研人员在该领域的应用创新奠定了坚实基础。

  《石墨烯纳米电子学：从材料到电路》所涵盖的内容较为广泛，对于从事石墨烯器件以及材料研究的科研人员和工程技术人员都具有很好的参考价值。各章之间相互连贯又相对独立，读者也可以根据自己的兴趣和需要选择阅读相应的章节。

  《石墨烯纳米电子学：从材料到电路》根据原著直接翻译而成，为方便读者阅读，有些地方根据中文阅读习惯做了少量调整。

  《石墨烯纳米电子学：从材料到电路》由苏州大学王雪峰教授翻译，由吴雪梅教授进行审校，部分研究生参与了《石墨烯纳米电子学：从材料到电路》的翻译、整理工作。

【作者简介】

王雪峰，男，于中科院上海冶金所(现微系统所）获理学博士(半导体物理与器件物理专业)，现任苏州大学物理学院特聘教授，主要从事石墨烯及类材料纳米器件的物理特性理论和模拟研究。1994年，获中国科学院自然科学奖一等奖，中科院院长奖优秀奖，上海市科技系统十佳青年。承担2012国家自然科学基金重大研究计划项目(91121021)：石墨烯等离激元受激发射太赫兹量子振荡源。发表相关论文多篇。

【目录】

第1章 CMOS器件性能进展

1．1 引言

1．2 MOSFET操作的基本原理

1．3 10nm尺寸MOSFET器件物理

1．4 简单的MOSFET模型

1．5 MOSFET性能指标

1．6 MOSFET性能的历史发展趋势

1．7 Si基MOSFET的速度演化

1．8 应变Si器件中的载流子速度增长极限

1．9 对Ge和Ⅲ-V族半导体中的速度增长的展望

1．10 小结

参考文献

延伸阅读

第2章 石墨烯中的电子输运

2．1 石墨烯的电子能带结构

2．1．1 紧束缚计算

2．1．2 石墨烯纳米带

2．2 电子输运

2．2．1 电声子散射

2．2．2 无序散射

2．2．3 石墨烯纳米带中的输运

2．2．4 SiC生长和CVD生长石墨烯中的输运

2．3 石墨烯场效应晶体管中的高场输运

2．4 小结

致谢

参考文献

延伸阅读

第3章 石墨烯晶体管

3．1 引言

3．2 数字场效应晶体管

3．3 能带带隙

3．4 射频场效应晶体管（RFFET）

3．5 宽度缩放

3．6 边缘散射的弱化

3．7 长度缩放

3．8 层数对FET性能的影响

3．9 掺杂

3．10 数字FET的性能蓝图

3．11 接触电阻

3．12 从晶体管到电路

3．13 非经典的电荷晶体管

3．14 小结

参考文献

第4章 非电态参量石墨烯晶体管

4．1 引言

4．2 石墨烯中的电子电荷

4．3 石墨烯原子开关

4．4 石墨烯中的自旋

4．5 石墨烯中的赝自旋

4．6 石墨烯中的声子

4．7 展望

致谢

参考文献

……

第5章 新型态参量的输运

第6章 石墨烯的外延生长

第7章 利用化学气相沉积法生长石墨烯

第8章 制备石墨烯氧化物及相关材料的化学方法

第9章 石墨烯上的电介质原子层沉积

缩略语