碳化硅电力电子器件原理与应用

图书标准信息

• 作者 秦海鸿；赵朝会；荀 倩；严仰光
• 出版社 北京航空航天大学出版社
• 出版时间 2020-03
• 版次 1
• ISBN 9787512431881
• 定价 99.00元
• 装帧 其他
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸

【内容简介】

本书介绍了碳化硅半导体电力电子器件的原理、特性和应用,概括了这一领域近十年来的主要研究进展,内容包括:多种类型碳化硅器件的原理与特性,典型碳化硅器件的驱动电路原理与设计方法,碳化硅基变换器的扩容方法,碳化硅器件在不同领域和不同变换器中的应用实例分析,以及碳化硅基变换器的性能制约因 素和关键问题。
  本书可作为高等院校电力电子技术、电机驱动技术和新能源技术等专业的本科生、研究生和教师的参考书,也可供从事碳化硅半导体器件研制和测试的工程技术人员,以及应用碳化硅半导体器件研制高性能电力电子装置的工程技术人员参考。

【作者简介】

秦海鸿，男，博士，副教授，研究方向：新能源电力电子变换技术、电动飞机先进驱动技术、宽禁带半导体器件应用技术。参与及承担国家自然科学基金重点项目、面上项目、863项目、973项目、教育部博士点基金、上海市教委基金、航空厂所及相关企业合作项目等多项课题研究任务。在国内外学术期刊和会议上发表学术论文80余篇。出版专著《多电飞机的电气系统》（“十二五”工信部规划专著）、《碳化硅电力电子器件原理与应用》、《氮化镓电力电子器件原理与应用》、《混合励磁电机的结构与原理》及研究生精品教材《现代交流调速技术》。在职学习及工作经历包括：2009-2010，美国马里兰大学高级访问学者；2010-2013，南自通华电器集团企业博士后；2014年，成飞工程实践暑期进修；2018年，西飞工程实践暑期进修；2019-2020，英国诺丁汉大学国家公派访问学者。担任南京航空航天大学“新能源发电大学生示范主题创新区”负责人，获得南京航空航天大学校级教学成果奖一等奖2次、校级教学优秀二等奖2次、校级微课建设团队比赛一等奖1次、江苏省微课竞赛二等奖、南京航空航天大学“十二五本科教学建设先锋”荣誉称号、国防科学技术奖三等奖1次；担任江苏省电子学会电源专业委员会秘书长、中国电源学会高级会员、以及IEEE Transactions on Power Electronics,《中国电机工程学报》、《南京航空航天大学学报》、《电源学报》等期刊的审稿专家。

【目录】

第1章  绪论
  1.1  高性能电力电子装置的发展要求
  1.2  Si基电力电子器件的限制
  1.3  SiC材料特性
  1.4  SiC基电力电子器件的现状与发展
  参考文献
第2章  SiC器件的原理与特性
  2.1  SiC二极管的特性与参数
    2.1.1  中低压SiC肖特基二极管的特性与参数
    2.1.2  高压SiC肖特基二极管的特性与参数
    2.1.3  SiC PiN二极管的特性与参数
    2.1.4  耐高温SiC肖特基二极管的特性与参数
    2.1.5  SiC二极管小结
  2.2  SiC MOSFET的特性与参数
    2.2.1  900~1700V SiC MOSFET的特性与参数
    2.2.2  高压SiCMOSFET的特性与参数
    2.2.3  SiC MOSFET模块的特性与参数
  2.3  SiCJFET的特性与参数
    2.3.1  耗尽型SiCJFET的特性与参数
    2.3.2  增强型SiCJFET的特性与参数
    2.3.3  Cascode SiC JFET的特性与参数
    2.3.4  中压SiCJFET的特性与参数
  2.4  SiC SIT的特性与参数
    2.4.1  导通特性及其参数
    2.4.2  阻态特性及其参数
    2.4.3  开关特性及其参数
  2.5  .SiC BJT的特性与参数
      2.5.11.2  kVSiC BJT的特性与参数
    2.5.2  高压SiCBJT的特性与参数
    2.5.3  耐高温SiCBJT的特性与参数
    2.5.4  SiCBJT模块的特性与参数
  2.6  SiCIGBT的特性与参数
  2.7  SiC晶闸管的特性与参数
    2.7.1  SiCGTO的特性与参数
    2.7.2  SiC ETO的特性与参数
  2.8  现阶段SiC器件的不足
    2.8.1  厂家数据手册的不足
    2.8.2  价格因素
    2.8.3  其他因素
  2.9  小结
  参考文献
第3章  SiC器件驱动电路原理与设计
  3.1  SiC MOSFET的驱动电路原理与设计
    3.1.1  SiC MOSFET的开关过程及对驱动电路的要求
    3.1.2  单管变换器中SiC MOSFET的驱动电路
    3.1.3  桥式变换器中SiC MOSFET的驱动电路
  3.2  SiCJFET的驱动电路原理与设计
    3.2.1  耗尽型SiCJFET的驱动电路原理与设计
    3.2.2  增强型SiCJFET的驱动电路原理与设计
    3.2.3  Cascode SiCJFET的驱动电路原理与设计

内容摘要
 本书介绍了碳化硅半导
体电力电子器件的原理、
特性和应用，概括了这一
领域近十年来的主要研究进展，内容包括：多种类型碳化硅器件的原理与特性，典型碳化硅器件的驱动电路原理与设计方法，碳化硅基变换器的扩容方法，碳化硅器件在不同领域和不同变换器中的应用实例分析，以及碳化硅基变换器的性能制约因素和关键问题。
本书可作为高等院校电力电子技术、电机驱动技
术和新能源技术等专业的本科生、研究生和教师的参考书，也可供从事碳化硅半导体器件研制和测试的工程技术人员，以及应用碳化硅半导体器件研制高性能电力电子装置的工程技术人员参考。