半导体物理学（第二版）上册

图书标准信息

• 作者 叶良修 著
• 出版社 高等教育出版社
• 出版时间 2007-10
• 版次 2
• ISBN 9787040225075
• 定价 65.00元
• 装帧 精装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 646页
• 字数 780千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

　　本书共十六章，分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容，包括结构和结合性质，半导体中的电子状态，载流子的平衡统计，过剩载流子，接触现象，半导体表面层和MIS结构，微结构和超晶格，半导体的光吸收，半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题，包括载流子的散射，热现象，复杂能带输运，强电场下的热电子，强磁场和磁共振现象，非晶态半导体等六章。本书可供已学过固体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。

【目录】

重要符号表
第1章晶格结构和结合性质
1.1晶格的周期性
1.2常见半导体的晶格结构
1.3结合性质
1.4晶格缺陷
1.5半导体表面的再构
第1章参考文献

第2章半导体中的电子状态
2.1晶体中的能带
2.2晶体中电子的运动有效质量和有效质量近似
2.3导电电子和空穴
2.4常见半导体的能带结构
2.5杂质和缺陷能级
2.6局域态的晶格弛豫
2.7重掺杂半导体
2.8表面态
第2章参考文献

第3章电子和空穴的统计平衡分布
3.1费米分布函数
3.2栽流子浓度对费米能的依赖关系
3.3本征载流子浓度
3.4含单一能级杂质情形的统计
3.5补偿及多重能级情形的统计
3.6简并情形的统计
3.7化学势和费米能
3.8宽禁带半导体的掺杂问题和自补偿
附录3.1若干半导体的等效态密度(300K)
第3章参考文献

第4章电荷输运现象
4.1电导和霍尔效应的分析
4.2载流子的散射
4.3电导统计理论
4.4霍尔效应的统计理论
4.5磁阻
4.6强电场下的载流子输运
4.7漂移速度过冲和近弹道输运
附录4.1微扰势引起的状态之间的跃迁
附录4.2玻尔兹曼积分一微分方程和弛豫时间的存在性
附录4.3电阻率和杂质浓度的对应关系
第4章参考文献

第5章过剩载流子
5.1过剩栽流子及其产生和复合
5.2过剩载流子的扩散
5.3过剩载流子的漂移和扩散
5.4双极扩散和双极漂移
5.5丹倍效应和光磁效应
5.6表面复合对寿命的影响
5.7复合机制和直接复合
5.8间接复合
5.9陷阱效应
5.10空间电荷的弛豫
第5章参考文献

第6章接触现象

6.1同质和异质pn结势垒
6.2金属-半导体接触：肖特基势垒
6.3pn结电流：注入电流势垒区产生复合电流
6.4肖特基势垒电流尖峰发射
6.5势垒电容和扩散电容
6.6隧道穿透势垒——隧道电流
6.7光生伏特效应
6.8雪崩击穿和齐纳击穿
第6章参考文献

第7章半导体表面层和MIS结构
7.1半导体表面电荷层
7.2MIS电容
7.3界面态及其电容效应
7.4场效应和表面电导
7.5表面复合
附录7.1半导体表面电荷层电荷、表面电场和电容作为ys函数的一般表示式
第7章参考文献

第8章微结构和超晶格
8.1半导体中的尺寸量子化和低维电子气
8.2微结构和超晶格的生长和形成
8.3二维电子气的电荷输运
8.4微结构中垂直于界面的输运共振隧穿
8.5一维系统的输运介观输运
8.6有关量子点的输运现象
8.7半导体超晶格
8.8超晶格的输运
8.9Rashba效应和自旋晶体管
8.10碳纳米管
8.11异质结构的带阶
8.12晶格失配的异质结构
第8章参考文献

第9章半导体的光吸收和光反射
9.1光的吸收和基本吸收边
9.2基本吸收与能带结构
9.3激子和激子吸收
9.4杂质吸收
9.5自由载流子吸收
9.6晶格吸收和反射
第9章参考文献

第10章半导体中的发光现象
10.1自发发射和受激发射
10.2发光光谱
10.3微结构和超晶格的光谱现象
10.4发光二极管及相关问题
10.5半导体激光器
10.6单光子发射和量子点一微腔系统
第10章参考文献
索引
重要的物理常量