国外名校最新教材精选：半导体器件物理(第3版)
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￥ 26.6 八品
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作者[美]
出版社西安交通大学出版社
出版时间2008-06
装帧平装
货号9787560525969
上书时间2024-08-16
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商品详情
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书名:国外名校最新教材精选：半导体器件物理(第3版)
定价：76.00元
作者:[美]
出版社：西安交通大学出版社
出版日期：2008-06
ISBN：9787560525969
字数：933千字
页码：598
版次：1
装帧：平装
开本：16开
商品标识：
[chatu]
《国外名校最新教材精选：半导体器件物理（第3版）》这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》（第3版）专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括：以最新进展进行了全面更新；包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述；对内容进行了重新组织和安排；各章后面配备了习题；重新高质量地制作了书中的所有插图。
译者序前言导言第1部分 半导体物理第1章 半导体物理学和半导体性质概要1.1 引言1.2 晶体结构1.3 能带和能隙1.4 热平衡时的载流子浓度1.5 载流子输运现象1.6 声子、光学和热特性1.7 异质结和纳米结构1.8 基本方程和实例
第2部分 器件的基本构件第2章 p-n结二极管2.1 引言2.2 耗尽区2.3 电流-电压特性2.4 结击穿2.5 瞬变特性与噪声2.6 端功能2.7 异质结第3章 金属-半导体接触3.1 引言3.2 势垒的形成3.3 电流输运过程3.4 势垒高度的测量3.5 器件结构3.6 欧姆接触第4章 金属-绝缘体-半导体电容4.1 引言4.2 理想MIS电容4.3 硅MOS电容
第3部分 晶体管第5章 双极晶体管5.1 引言5.2 静态特性5.3 微波特性5.4 相关器件结构5.5 异质结双极晶体管第6章 MOS场效应晶体管6.1 引言6.2 器件的基本特性6.3 非均匀掺杂和埋沟器件6.4 器件按比例缩小和短沟道效应6.5 MOSFET的结构6.6 电路应用6.7 非挥发存储器6.8 单电子晶体管第7章 JFET，MESFET和MODFET器件7.1 引言7.2 JFET和MODFET7.3 MODFET
第4部分 负阻器件和功率器件第8章 隧道器件8.1 引言8.2 隧道二极管8.3 相关的隧道器件8.4 共振遂穿二极管第9章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管第10章 转移电子器件和实空间转移器件第11章 晶闸管和功率器件
第5部分 光学器件和传感器第12章 发光二极管和半导体激光器第13章 光电探测器和太阳电池第14章 传感器
附录A.符号表B.国际单位制C.单位词头D.希腊字母表E.物理常数F.重要半导体的特性G.Si和GaAs的特性H.SiO2和Si3N4的特性[chatu]
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