{正版现货新书} 氮化镓与碳化硅功率器件：基础原理及应用全解 9787122477545 （意）毛里齐奥·迪保罗·埃米利奥（Maurizio Di Paolo Emilio） 著 著

 第1章 功率变换 001～006 

 1.1 引言001 

 1.2 变流技术002 

 1.3 电力电子变流器002 

 1.4 效率003 

 1.5 应用005 

 参考文献005 

 第2章 硅功率器件 007～013 

 2.1 材料和器件008 

 2.2 MOSFET 008 

 2.3 功率MOSFET 的电气特性009 

 2.4 功率MOSFET 的损耗012 

 参考文献013 

 第3章 宽禁带材料 014～025 

 3.1 引言014 

 3.2 碳化硅（SiC） 015 

 3.3 氮化镓（GaN） 018 

 3.3.1 GaN 的特性019 

 …… 

 本书是关于宽禁带(WBG)半导体器件及其设计、应用等主题的综合性参考书籍，能够满足读者对基础及前沿知识的需求。本书内容以实用性为出发点，阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件，从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析，重点介绍了仿真手段和各种典型应用，最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。针对SiC器件，主要介绍了芯片工艺、芯片技术、可靠性等，并对核心应用，如新能源汽车、储能等方面进行了介绍。 

 本书既适合电力电子、微电子、功率器件设计与制造等领域的研究及技术人员阅读，也可作为高等院校相关专业本科生和研究生的教学参考书。此外，也适合对半导体、电力电子等技术感兴趣的管理者、投资者阅读，以拓宽视野。