碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用

图书标准信息

• 作者 [日】 木本恒暢【美]詹姆士 A. 库珀(Ja（Tsunenobu Kimoto） 著；夏经华 译
• 出版社 机械工业出版社
• 出版时间 2018-05
• 版次 1
• ISBN 9787111586807
• 定价 150.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 胶版纸
• 页数 499页
• 字数 649千字
• 丛书 新型电力电子器件丛书

【内容简介】

《碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用》是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。

【作者简介】

木本恒畅，本京都大学电子科学与工程系的教授。他的主要科研活动包括ic的外延生长、光学和电学特表征、缺陷电子学、离子注入、金属氧化物半导体（mo）物理和高电压器件。此外，他也参与了在纳米级的硅、锗器件、非易失存储器中用新型材料，以及基于氮化镓（gan）的电子器件方面的研究。詹姆士a.库珀，美国普渡大学电气与计算机工程学院的一位半导体界的元老级人物。

【目录】

译者序 
原书前言 
原书作者简介 
第１章　导论１ 
第２章　碳化硅的物理性质１０ 
第３章　碳化硅晶体生长３６ 
第４章　碳化硅外延生长７０ 
第５章　碳化硅的缺陷及表征技术１１７ 
第６章　碳化硅器件工艺１７7 
第７章　单极型和双极型功率二极管２６２ 
第８章　单极型功率开关器件２８6 
第９章　双极型功率开关器件３３６ 
第１０章　功率器件的优化和比较３９８ 
第１１章　碳化硅器件在电力系统中的应用４２５ 
第１２章　专用碳化硅器件及应用４６６ 
附录４９０ 
参考文献４９９